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Fターム[5F049SE04]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 電極 (1,414) | 材料 (994) | 透明電極 (434) | IT0 (263)

Fターム[5F049SE04]に分類される特許

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【課題】電場増強性能の高い新規なプラズモン材料による電場増強により、高い変換効率を示すことができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】活性層50と、30個以上の金属系粒子20が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子20は、その平均粒径が10〜1600nmの範囲内、平均高さが5〜500nmの範囲内、アスペクト比が0.5〜8の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が1〜150nmの範囲内となるように金属系粒子20を配置した金属系粒子集合体層とを備える光電変換素子である。 (もっと読む)


【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第1電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 (もっと読む)


【課題】基板の自由度があり、待機時(光非照射時)の電力消費が小さく、また光照射時のS/Nが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をFETの電極として用い、また、電子走行領域をAlGaNとGaNとのヘテロ界面等のGaN系膜同士のヘテロ界面とする。 (もっと読む)


【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体2に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体8をコーティングする。その回りに、4本の絶縁線6、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に1本の絶縁線6をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線9を形成する。最後に銅線9に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線10を形成する。そして銅線9、アルミニウム線10の間の抵抗値を測ることにより、半導体8に照射している光の強度を知ることができる。4本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線9、アルミニウム線10のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線6として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第1透明電極に積層される第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜の上に配設される第2の信号読み出し部と、第2の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第2の波長の光に感度を有する第2光電変換膜と、第2光電変換膜に積層される第2透明電極と、第2透明電極に積層される第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜の上に配設される第3の信号読み出し部と、第3の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第3の波長の光に感度を有する第3光電変換膜と、第3光電変換膜に積層される第3透明電極と、第1光電変換膜、第2光電変換膜、及び第3光電変換膜を画素毎に隔離する第1隔壁とを備え、前記第1の信号読み出し部、前記第2の信号読み出し部、及び前記第3の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が2次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上させることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板に画素電極と、入射光に応じた電荷を生成する有機膜を有する光電変換部と、透明な対向電極と、封止層とが形成された固体撮像素子の製造方法である。基板の画素電極が設けられた側表面にメタルマスクを磁力で密着させる工程と、基板の画素電極が設けられた側表面に、有機物を蒸着し、有機膜を形成する工程と、有機膜形成後、メタルマスクを取り外す工程と、有機膜上に対向電極を形成する工程と、対向電極を覆う封止層を形成する工程とを有する。メタルマスクは、ハーフエッチングが施されており、このハーフエッチングが施された側を画素電極に向けて密着されている。 (もっと読む)


【課題】外部量子効率と光反応性が優れた光ダイオードを提示する。
【解決手段】光ダイオードは、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードの間に位置する真性層を含み、前記真性層はP型半導体及びN型半導体を含み、前記真性層内における位置に応じてP型半導体とN型半導体の組成比率が異なる。好ましくは、前記真性層内におけるP型半導体とN型半導体の組成比率は前記アノード及び前記カソードからの距離に応じて異なり、前記真性層内において、前記アノードと近いほどP型半導体の組成比が高まり、前記カソードと近いほどN型半導体の組成比が高まる。 (もっと読む)


【課題】暗電流値が小さい等のSN比が高く、長期に亘って安定した光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極104、電子ブロッキング層114、光電変換層112、上部電極108および封止層110が、この順で積層された光電変換素子100の製造方法であり、光電変換層上に、スパッタ法により透明導電酸化物を0.5Å/s以上の成膜速度で成膜し、応力が−50〜−500MPaである上部電極を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】製造コストを抑えつつ、製造工程に起因する性能劣化を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と、第1の電極上方に形成された第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に形成された、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を有する有機層と、第1の電極、第2の電極および有機層を封止する封止層とを有する光電変換素子の製造方法である。第1の電極の上方に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層の上方に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、第2の電極の上方に封止層を形成する封止層形成工程とを有する。有機層形成工程から封止層形成工程の各工程が真空下でなされる。さらに有機層形成工程と第2の電極形成工程との間に製造途中の光電変換素子中間体を300lux・h以下の照射光量の非真空下に置く工程を有する。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板101上に酸化膜で構成された絶縁膜102が形成され、当該絶縁膜102上に並べて形成された複数の画素電極104と、複数の画素電極104の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層107と、受光層107上に形成された対向電極108とを有する固体撮像素子であって、画素電極104が、酸化窒化チタンで構成され、受光層107を形成する直前における画素電極104の組成が、(1)画素電極104全体に含まれる酸素量がチタン量の75atm%以上、又は、(2)画素電極104の基板101側から10nmまでの範囲或いは画素電極104の基板101側から画素電極104厚みの2/3までの範囲において、酸素量がチタン量の40atm%以上の条件を満たしている。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層102上に複数の画素電極104を形成する第一の工程と、複数の画素電極104の上に有機材料を含む受光層107を形成する第二の工程と、受光層107上に対向電極108を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層102上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を270℃以上で加熱する工程とで構成される。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板1上に形成されたTFTスイッチ4及びセンサ部103の上面が平坦化層18により平坦化されており、当該平坦化層18の略全面(本実施の形態では画素領域20Aの全面)に帯電防止機能を有する導電膜30が形成されている。導電膜30は、接続配線42により接続部44に接続されており、接続部44は、接続配線42を共通電極配線25を介してバイアス電源110またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板60(導電膜30)の上には、シンチレータ70が形成されており、シンチレータ70は、光電変換基板60に近い方から非柱状部71及び柱状部72を備えている。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に形成されたTFTスイッチ4及びセンサ部103の上面が平坦化層18により平坦化されており、当該平坦化層18の略全面に帯電防止機能を有する導電膜30が形成されている。導電膜30は、グランド配線32及びグランド接続端子34と一体的に形成されており、グランド接続端子34を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板60(導電膜30)の上には、シンチレータ70が形成されており、シンチレータ70は、光電変換基板60に近い方から非柱状部71及び柱状部72を備えている。導電膜30をグランド接続端子34を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板60の表面に表面処理を施す。 (もっと読む)


【課題】3次元的に規則的に配置された量子ドット列を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層された複数のトンネル接合型半導体層を有する積層体を作製する積層体作製工程と、該積層体作製工程後に、積層体の上面側に量子ドット用の複数の凸部を有する凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、該パターン形成工程で形成した凹部を削って複数の半導体層を貫通する溝を形成する溝形成工程と、を経て形成された3次元量子ドット列を有する、光電変換素子の製造方法とし、該製造方法で製造された光電変換素子とする。 (もっと読む)


【課題】光により消弧可能な光スイッチング素子又はその光スイッチング素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置(100)は、窒化物半導体を含む素子構造を有する光スイッチング素子(10)と、前記光スイッチング素子に第1の波長の光を照射する第1の光源(20)と、を遮光部材(40)内に備え、前記光スイッチング素子(10)は、前記第1の波長の光を照射されることにより、該光を照射される前に比べて、立ち上がり電圧が上昇することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜15と、導電性膜11と、透明導電性膜15と導電性膜11との間に配置された光電変換層12および電子ブロッキング層16Aとを有する光電変換素子10aであって、光電変換層12が、ベンゼン環を少なくとも5個以上含み、総環数が7個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からRa1〜Ra9の少なくとも1つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点(Tg)が200℃以上である化合物Aを含有する。 (もっと読む)


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