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Fターム[5F049SS01]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 基板 (1,382) | 材料 (1,253)

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【課題】電場増強性能の高い新規なプラズモン材料による電場増強により、高い変換効率を示すことができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】活性層50と、30個以上の金属系粒子20が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子20は、その平均粒径が10〜1600nmの範囲内、平均高さが5〜500nmの範囲内、アスペクト比が0.5〜8の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が1〜150nmの範囲内となるように金属系粒子20を配置した金属系粒子集合体層とを備える光電変換素子である。 (もっと読む)


【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体2に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体8をコーティングする。その回りに、4本の絶縁線6、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に1本の絶縁線6をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線9を形成する。最後に銅線9に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線10を形成する。そして銅線9、アルミニウム線10の間の抵抗値を測ることにより、半導体8に照射している光の強度を知ることができる。4本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線9、アルミニウム線10のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線6として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】高い安定性を有し、プロセスに対する適応性が高い有機半導体材料に適する新規化合物、及び該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイスの提供。
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物であり、は、代表的なものとして、下記で示される化合物、及び
該化合物からなる半導体層を備えた電子デバイス。
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【課題】少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。
【解決手段】有機構成要素を巻回プロセスにて製造し得る方法を最初に開示する。連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び/又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。それによって、高品質の有機構成要素を製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子11と受光素子12とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子11から放出された光を微細な棒状受光素子12で受光することによって、微細な棒状受光素子12の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子11と微細な棒状受光素子12との対を非常に微細にして、電子デバイス10を非常に微細化することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】製造コストを抑えつつ、製造工程に起因する性能劣化を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極と、第1の電極上方に形成された第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に形成された、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を有する有機層と、第1の電極、第2の電極および有機層を封止する封止層とを有する光電変換素子の製造方法である。第1の電極の上方に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層の上方に第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、第2の電極の上方に封止層を形成する封止層形成工程とを有する。有機層形成工程から封止層形成工程の各工程が真空下でなされる。さらに有機層形成工程と第2の電極形成工程との間に製造途中の光電変換素子中間体を300lux・h以下の照射光量の非真空下に置く工程を有する。 (もっと読む)


【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板101上に酸化膜で構成された絶縁膜102が形成され、当該絶縁膜102上に並べて形成された複数の画素電極104と、複数の画素電極104の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層107と、受光層107上に形成された対向電極108とを有する固体撮像素子であって、画素電極104が、酸化窒化チタンで構成され、受光層107を形成する直前における画素電極104の組成が、(1)画素電極104全体に含まれる酸素量がチタン量の75atm%以上、又は、(2)画素電極104の基板101側から10nmまでの範囲或いは画素電極104の基板101側から画素電極104厚みの2/3までの範囲において、酸素量がチタン量の40atm%以上の条件を満たしている。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜15と、導電性膜11と、透明導電性膜15と導電性膜11との間に配置された光電変換層12および電子ブロッキング層16Aとを有する光電変換素子10aであって、光電変換層12が、ベンゼン環を少なくとも5個以上含み、総環数が7個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からRa1〜Ra9の少なくとも1つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点(Tg)が200℃以上である化合物Aを含有する。 (もっと読む)


【課題】光により消弧可能な光スイッチング素子又はその光スイッチング素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置(100)は、窒化物半導体を含む素子構造を有する光スイッチング素子(10)と、前記光スイッチング素子に第1の波長の光を照射する第1の光源(20)と、を遮光部材(40)内に備え、前記光スイッチング素子(10)は、前記第1の波長の光を照射されることにより、該光を照射される前に比べて、立ち上がり電圧が上昇することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板101の上に形成された第1の半導体層102と、第1の半導体層102の上に形成された第2の半導体層104と、第2の半導体層104の上に形成されたゲート電極106と、第2の半導体層104の上にゲート電極106を挟んで対向するように形成されたソース電極107及びドレイン電極108と、第2の半導体層104の上におけるゲート電極106とソース電極107との間及びゲート電極106とドレイン電極108との間に形成され、複数の金属膜109が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜109A,109Bと、ゲート電極106及び複数の金属膜109の上方に配置された第1のミラー111と、基板101の下に形成された第2のミラー112とを備えている。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高く、光電流/暗電流のS/N比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極(20,40)と、一対の電極(20,40)に挟持された少なくとも光電変換層32を含む受光層30を有する光電変換素子1は、受光層30の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のD50%で表される平均粒径が50μm〜300μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、曲面上に有機検出器を有する有機イメージング装置を対象としている。
【解決手段】本装置は、写真撮影、軽量カメラシステム、超高解像度イメージング、軽量“暗視”、ロボット視覚等のイメージング応用において使用可能である。可変レンズを備えた凹状のハウジングが提供される。可変レンズによって、視野及び焦点距離に幅が出る。本発明は、一定範囲の電磁放射を検出するように構成され得る。そして、コンピュータ、ディスプレイまたは他の処理用装置に対する入力が提供され、または、検出された放射が画像として表示される。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】 半導体紫外線受光素子の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上の一部領域に極性反転層を形成する工程と、前記基板上及び前記極性反転層上に、−c極性ZnO系半導体層と+c極性ZnO系半導体層とを、同時にエピタキシャル成長させる工程と、前記−c極性ZnO系半導体層をエッチングにより除去する工程と、前記+c極性ZnO系半導体層上にショットキー電極を形成する工程と、前記ショットキー電極と対をなすオーミック電極を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式(1)で表される化合物を含む、光電変換素子。
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【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第1導電型(例えばp型)半導体層、i型半導体層および第2導電型(例えばn型)半導体層をこの順に備え、基板と第1導電型半導体層との間に遮光層を有している。第2導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される(光電変換がなされる)。基板と第1導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第2導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第1導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第1導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層と、前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上に形成され、前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上から除去されている第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層と、前記第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgZn1−xO(0<x≦0.6)層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgZn1−yO(0≦y<0.6)層上に形成されたショットキー電極とを有する。 (もっと読む)


【課題】十分な光電変換効率を達成するための手段を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の共役系高分子は、下記化学式1で表される部分構造を少なくとも1種含む。


式中、Arは、置換されたもしくは非置換の、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、フラン、ピロール、セレノフェン、ピリジン、ピリダジン、キノキサリン、チエノピラジン、チエノベンゼン、チエノピリジン、ジベンゾチオフェン、チエノチオフェン、ベンゾチアジアゾール、ベンゾオシサジアゾール、またはベンゾトリアゾールを表し、
mは、1または2を表し、
Qは、3つのカルボニル基、または2つのカルボニル基および1つのスルホニル基が隣接した窒素原子を含む特定の構造である。 (もっと読む)


【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法及び窒化物半導体結晶層を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表面にシリコン酸化膜が形成された基体の上に設けられた20μm以下の厚さのシリコン結晶層の上に、1μm以上の厚さの窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の上に、窒化物半導体結晶層のうちの第1の部分を形成した後、第1の部分よりも高い温度で第2の部分を形成する。シリコン結晶層は、シリコン結晶層の層面に対して平行な面内において、0.5mm以上、10mm以下の特性長さを持つ島状に区分されている。区分されたシリコン結晶層のそれぞれの上に選択的に互いに離間した複数の窒化物半導体結晶層を形成する。シリコン結晶層の少なくとも一部を窒化物半導体結晶層に取り込ませ、シリコン結晶層の厚さを減少させる。 (もっと読む)


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