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Fターム[5F049SS04]の内容

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Fターム[5F049SS04]に分類される特許

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【課題】故障し難く小型化することが可能な光検出素子及び該光検出素子を用いる光検出方法を提供する。
【解決手段】光吸収層及び該光吸収層に隣接する量子構造部と、光吸収層に接続された第1電極と、量子構造部に接続された第2電極とを有し、量子構造部は、量子井戸層及び該量子井戸層を挟む障壁層を有し、障壁層の伝導帯端は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、障壁層の伝導帯端と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、0.58eVよりも大きく、量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、量子準位と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は電子が受け取る熱エネルギーよりも大きい光検出素子とし、該光検出素子を用いて光検出素子へと入射した光により生じた電流電圧特性を得る工程と、得られた電流電圧特性を用いて入射した光の波長及び強度を同定する工程と、を有する光検出方法とする。 (もっと読む)


【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子1の半導体層10に凸層11を形成する。導電層40を凸層11の一側面に接触するようにして半導体層10の表面に積層する。第1電極21を凸層11の反対側の面に接触するようにして半導体層10の表面に設ける。第2電極22を導電層40に設ける。更に、凸層11又は導電層40に多数の周期構造33を含む金属ナノ構造30を積層する。各周期構造33は複数の第1凸部31からなり、第1凸部31の配置間隔が周期構造33に応じて異なる。 (もっと読む)


【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第1の撮像面と、前記第1の撮像面の逆を向いた第2の撮像面と、を有する撮像装置である。 (もっと読む)


【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、PDの暗電流を10nA以下まで低減する。
【解決手段】 n型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びZnドープp型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[011]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に(100)面方位での飽和濃度以下の濃度のFeをドープし、上側クラッド層に(100)面方位での飽和濃度以上の濃度のFeをドープする。 (もっと読む)


【課題】基板の自由度があり、待機時(光非照射時)の電力消費が小さく、また光照射時のS/Nが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をFETの電極として用い、また、電子走行領域をAlGaNとGaNとのヘテロ界面等のGaN系膜同士のヘテロ界面とする。 (もっと読む)


【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するIII−V族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 III−V族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するpn接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが10nm以上40nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子10は、半導体基板1上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層3と、受光層内に位置するpn接合15と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝7の壁面にわたって、pn接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層8が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】設計自由度を低下させることなく、感度の向上を図ることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子1は、入射光を表面プラズモンに変換する周期構造領域1aと、周期構造領域1aの外縁に沿うように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1bと、周期構造領域1aの内側に位置するように配置され、表面プラズモンに応じて電荷を発生する光電変換領域1cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、AlNバッファ層とGaN下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、AlN中間層と、AlGaN中間層と、GaN中間層と、を含む。前記AlGaN中間層は、前記AlN中間層に接する第1ステップ層を含む。前記第1ステップ層におけるAl組成比は、前記AlN中間層から前記第1ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャルLED、LD、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つGaN基板の形成方法の提供。
【解決手段】約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】二色性フォトダイオードおよび二色性光検出のための方法を提供する。
【解決手段】広バンドギャップ接合は、第1光スペクトルを検出するよう動作可能な格子整合接合を含む。狭バンドギャップ接合は、広バンドギャップ接合に結合されており、かつ、フォトダイオード構造を含む。狭バンドギャップ接合は、第2光スペクトルを検出するよう動作可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、2波長の光に対し同等の感度を有し、かつ2波長の光の両方に対し高感度となる受光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る受光素子は、第1波長の光と第2波長の光を受光する受光素子であって、第1主面、該第1主面に対向する第2主面、及び貫通孔を有する基板と、該第2主面の上に該貫通孔の直上部分を有するように形成された、該第1波長の光と該第2波長の光を同等の反射率で反射する多重反射層と、該多重反射層の上に形成された、該第1波長の光と該第2波長の光を吸収しキャリアを生成する吸収層と、該第1波長と該第2波長の中間の波長の光に対し最も反射率が低くなるように該吸収層の上に形成された無反射層とを有する。 (もっと読む)


【課題】安定動作をすることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】n型InP基板1上に、InGaAs光吸収層2、多重反射層3、InGaAs光吸収層7、InP窓層9が順に積層されている。InP窓層9は、InGaAs光吸収層2,7より大きいバンドギャップを持つ。InP窓層9の一部にp型不純物拡散領域11が設けられている。アノード電極12はp型不純物拡散領域11上に設けられ、光が入射する開口を持つ。n型InP基板1の下面にカソード電極13が設けられている。p型不純物拡散領域11の外側にメサ溝14が設けられている。メサ溝14を挟んでp型不純物拡散領域11の反対側にp型不純物拡散領域16が設けられている。p型不純物拡散領域16はInGaAs光吸収層2に達し、金属膜17はp型不純物拡散領域16を介してInGaAs光吸収層2に接続されている。 (もっと読む)


【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ1を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる2つのフォトディテクタ7A、7Bを有する複数の画素8を備えるセンサアレイ4と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体9とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】 配線の長さだけに律則されることなく、インダクタンスおよびキャパシタンスを決定し、これによって半導体受光装置の特性を向上する。
【解決手段】 半導体受光装置は、出力側電極と基準電位側電極とを備える半導体受光素子と、前記出力側電極および前記基準電位側電極にそれぞれ接続された引出配線と、を備え、前記出力側電極に接続された前記引出配線の幅が、前記基準電位側電極に接続された引出配線の幅よりも小さいことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】光ダイオードの化合物半導体の積層構造において、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、従来よりも出力信号が大きい光ダイオード構造を提供する。
【解決手段】基板401と、該基板401上に設けられた化合物半導体からなる受光部を備えたメサ型の光ダイオードにおいて、メサ(PN段差)領域の上面および側面を全て電極407で覆う。これにより、受光部を含むPNメサの上部および側面の全てを電極407で被覆することができ、製造工程を変更することなく、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、かつ、PNメサと電極の界面で入射光を反射させる。 (もっと読む)


【課題】1画素1バンプを実現しながら、感度を向上させる。
【解決手段】センサ素子アレイを、第1波長帯に対する第1活性層8と第2波長帯に対する第2活性層9とを積層した構造を有し、縦横2つずつ配列された第1〜第4画素10A〜10Dと、第1画素10Aの第1活性層と第2画素10Bの第1活性層とに電気的に接続された第1バンプ6Aと、第2画素の第2活性層に電気的に接続された第2バンプ6Bと、第1画素の第2活性層と第3画素10Cの第2活性層とに電気的に接続された第3バンプ6Cと、第4画素10Dの第1活性層に電気的に接続された第4バンプ6Dとを備えるものとし、第1〜第4バンプを、第1〜第4画素の上方にそれぞれ1つずつ設ける。 (もっと読む)


【課題】素子抵抗の大きさのばらつきを抑制することが可能な導波路型フォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型フォトダイオードの製造方法は、半導体積層23に第1方向に沿って延びるメサ部31を形成するメサ部形成工程と、一対の光導波路部41、51を形成することにより半導体構造物53を得る光導波路部形成工程と、第1方向と直交する第2方向に沿って延びる第2マスク67を用いて、下部コンタクト層5が露出するようにメサ部31をエッチングすると共に、一対の光導波路部41、51をエッチングする半導体構造物エッチング工程とを備える。半導体構造物エッチング工程においては、下部コンタクト層5をエッチングストップ層としてメサ部31及び一対の光導波路部41、51をエッチングする。 (もっと読む)


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