【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子の原料素材となる、エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】従来のエピ構造に断面Ｖ型の分離溝を追加形成することで光学的クロストークを抑制可能な受光素子アレイを提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１は、第１導電型の半導体基板２と、この半導体基板２の表面側に形成した第１導電型の受光層４と、この受光層の表面側に形成した第１導電型の窓層５と、この窓層を貫通して受光層の表面側に突入する状態に形成され且つ１次元的または２次元的な配列として離隔状に形成された複数の第２導電型領域６と、これら複数の第２導電領域６の表面の少なくとも一部に夫々設けた複数の第１電極７と有し、複数の第２導電型領域６からなる複数のアレイが形成する複数のアレイ間領域に、少なくとも前記窓層５と受光層４を貫通する深さの表面側に開放された断面Ｖ型の第１分離溝１０を夫々設けている。 （もっと読む）

【課題】 軽量で信頼性が高く、紫外線から赤外線までの広い波長帯域に感度を有する広波長帯域光検出器アレイを安価に提供する。
【解決手段】 シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。異なった波長に対応する同一光路上の複数の光検出器の出力を独立にかつ同時に検出することにより、スペクトル情報を位置ずれ、時間ずれなしに取得する。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高い光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】入射した赤外線ＩＲを他の波長帯域の光に変換すると共に、他の波長帯域に変換された光を検出する赤外線検出素子１０において、赤外線検出素子１０の受光面に凹凸構造２８を設けると共に、受光面以外の赤外線検出素子１０の外周面を金属膜２４で覆い、凹凸構造２８を透過して、素子内部に入射した光を、金属膜２４で反射すると共に、金属膜２４で反射した光を凹凸構造２８で反射し、他の波長帯域に変換された光を金属膜２４と凹凸構造２８との間で反射し、入射した赤外線ＩＲ及び他の波長帯域に変換された光をセル１１内部に閉じ込めるようにした。 （もっと読む）

【課題】所定のアドレスに配置された光電変換素子の周辺に配置された光電変換素子に反射光が入射してしまうことによって生ずる解像度（分解能）の低下（周辺ボケ）を防止することを目的とする。
【解決手段】第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くする。 （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面が粗面であり、さらに半導体基板の裏面に保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 バイアスＴを用いなくても、受光素子に印加するバイアスに変調信号を付加でき、小型かつ低コストの、変調バイアス動作可能な受光装置等を実現できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体受光素子は、導電性半導体基板６、光信号を電気信号に変換する半導体層から形成された受光部、前記受光部で変換した電気信号を外部に取り出す電気信号取出用電極（２、３）および変調信号入力用電極５を有し、
前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）が、基板６の上に形成され、
変調信号入力用電極５が、基板６の上の前記受光部および電気信号取出用電極（２、３）とは別の場所に、電気信号取出用電極（２、３）と絶縁状態で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ⁻型半導体基板１を準備する。ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ⁻型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。アキュムレーション層１１を形成した後に、ｎ⁻型半導体基板１を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性InP基板上に作製する特性の優れた光半導体装置を提供することが課題である。
【解決手段】 導電性InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用いるか、Ru-InP基板或いはFe-InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用い、半導体層の積層順を基板側からｎ型半導体層／量子井戸層／ｐ型半導体層の順とする。 （もっと読む）

【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

【課題】多波長間における光のクロストークを大幅に改善する。
【解決手段】入力光を各波長毎に分波する分波器と、前記分波器で分波された各波長の光が入射され、当該入射された各波長の光を電気信号に変換する複数の光電変換部と、前記各光電変換部から出力される電気信号を増幅する増幅部とを有する光受信装置であって、前記各光電変換部は、基板と、前記基板上に設けられ、前記各波長の光を透過させる波長選択フィルタと、前記波長選択フィルタ上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、前記各波長の光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記基板の前記波長選択フィルタが設けられる面と反対側の面に設けられる２個の反射ミラーとを有し、前記各波長の光は、前記光電変換素子が設けられた面から前記バッファ層に入射された後、前記２個の反射ミラーで反射されて前記光電変換素子に入射される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩデバイスを含み、且つ貫通電極を有するＷ−ＣＳＰ構造の半導体装置において、パッケージサイズの拡大や製造プロセスの変更を伴うことなくＳＯＩ基板のシリコン基板層の電位固定を行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板層と表面に半導体素子が形成された半導体層との間に絶縁層を有するＳＯＩ基板と、半導体基板層の表面に絶縁膜を介して設けられて半導体素子に電気的に接続された少なくとも１つの外部端子と、を含む半導体装置であり、絶縁膜を貫通し、半導体基板層に電気的に接続された導電膜からなるコンタクト部と、半導体基板層の表面上に絶縁膜を介して設けられてコンタクト部に接続された電位固定用電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電極で生じる応力に起因する光電変換素子の性能の低下を防止することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち一方と光電変換層１０２とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層１０８を含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するモノリシック半導体レンズを簡易に形成できる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。また、モノリシック半導体レンズ２３の形状の再現性も良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ光を照射することなく半導体ＵＶセンサに所定の波長及び強度のＵＶ光を照射した場合に生じ得る光電流の大きさを推定することを目的とする。
【解決手段】半導体ＵＶセンサのＰＮ接合受光領域に並んで抵抗素子を形成する抵抗素子形成工程と、前記抵抗素子の抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、前記抵抗値測定工程の測定結果に応じて前記ＰＮ受光領域の膜厚を算出する膜厚算出工程と、前記膜厚算出工程の算出結果に応じて前記半導体ＵＶセンサに所定の波長及び強度のＵＶ光を入射した場合に生じ得る光電流の大きさを推定する光電流推定工程と、を有する光電流推定方法。 （もっと読む）