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Fターム[5F049WA01]の内容

受光素子−フォトダイオード・Tr (21,418) | 受光波長帯域 (982) | 赤外光 (341)

Fターム[5F049WA01]に分類される特許

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【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子1の半導体層10に凸層11を形成する。導電層40を凸層11の一側面に接触するようにして半導体層10の表面に積層する。第1電極21を凸層11の反対側の面に接触するようにして半導体層10の表面に設ける。第2電極22を導電層40に設ける。更に、凸層11又は導電層40に多数の周期構造33を含む金属ナノ構造30を積層する。各周期構造33は複数の第1凸部31からなり、第1凸部31の配置間隔が周期構造33に応じて異なる。 (もっと読む)


【課題】近接センサ及び照度センサを1チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第1の受光素子50と第2の受光素子51が半導体を用いて一体的形成されている。第1の受光素子50と第2の受光素子51に共通なp型基板1を備えている。第1の受光素子50では、第1のフォトダイオードPD1、第2のフォトダイオードPD2、第3のフォトダイオードPD3が受光面から異なる深さに形成されている。第2の受光素子51は赤外線透過フィルタ20を備え、第4のフォトダイオードPD11、第5のフォトダイオードPD12、第6のフォトダイオードPD13が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第1の受光素子50から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第2の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 (もっと読む)


【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第1電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 (もっと読む)


【課題】近赤外〜遠赤外域に受光感度を有するIII−V族半導体において、キャリア濃度を高精度で制御できる受光素子、およびその受光素子の素材となるエピタキシャルウエハ、およびそのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 III−V族化合物半導体からなる基板と、光を受光するための受光層と、該受光層のバンドギャップエネルギより大きいバンドギャップエネルギを有する窓層と、少なくとも受光層に位置するpn接合とを備え、窓層の表面において、二乗平均面粗さが10nm以上40nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】フォトダイオードPD3は、n型半導体基板1を備え、裏面入射型である。n型半導体基板1は、互いに対向する第1主面1a及び第2主面1bを有し、第1主面1a側にP型半導体領域3が形成されている。n型半導体基板1の第2主面1bにおける少なくともP型半導体領域3に対向する領域には、不規則な凹凸10が形成されている。n型半導体基板1の第2主面1b側には、n型半導体基板1よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層11が形成されている。n型半導体基板1の第2主面1bにおける不規則な凹凸10が形成された領域は、光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子10は、半導体基板1上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層3と、受光層内に位置するpn接合15と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝7の壁面にわたって、pn接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層8が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体31と、半導体基体31の第1主面上に形成された、Geを含む第1半導体層32とを備える固体撮像素子30を構成する。この固体撮像素子30は、半導体基体31の第2主面に形成された転送トランジスタTr1と、第1半導体層32を含む領域に形成されたフォトダイオード33とを備える。 (もっと読む)


【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板100と、シリコン基板100の上に形成されたSiO2からなる下部クラッド層101と、下部クラッド層101の上の第1領域110に形成されたゲルマニウムフォトダイオード110aと、下部クラッド層101の上の第1領域110に連続する第2領域120に形成されたシリコンコア121と、第2領域120の一部から第2領域120に連続する第3領域130にかけて形成された石英コア131とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード110a,シリコンコア121,および石英コア131の上に形成されたSiO2からなる上部クラッド層103を備える。 (もっと読む)


【課題】各撮像素子で特性が異なることを抑制することができると共に、ノイズが導入されることを抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板10と、当該単結晶基板10に形成された回路部20と、回路部20の一部と直接接触する状態で単結晶基板10の一面に配置された単結晶第1導電型層31と、単結晶第1導電型層31上に配置された単結晶第2導電型層33とを有するフォトダイオード30と、単結晶第2導電型層33と電気的に接続される電極35と、を備える。これによれば、単結晶基板10上に単結晶材料を用いて構成されたフォトダイオード30が形成されているため、撮像素子毎に特性が異なることを抑制することができる。 また、フォトダイオード30における単結晶第1導電型層31と回路部20の一部とを配線を介さずに直接電気的に接続しているため、ノイズが導入されることを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング(FCB)によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 (もっと読む)


【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。
【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置100である。半導体検査装置100は、半導体デバイスが形成されている基板1に対してレーザパルス光2を出射するレーザパルス光源14と、レーザパルス光2が照射される照射位置10に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス4を照射する電磁波パルス照射部18と、
レーザパルス光2の照射に応じて照射位置10から放射される電磁波パルス3を検出する検出部17とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャルLED、LD、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つGaN基板の形成方法の提供。
【解決手段】約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイPDA1は、複数の光検出チャンネルCHがn型半導体層32を有する基板Sを備える。フォトダイオードアレイPDA1は、n型半導体層32上に形成されたp型半導体層33と、光検出チャンネルCH毎に設けられると共に信号導線23に一端部が接続される抵抗24と、複数の光検出チャンネルCHの間に形成されるn型の分離部40とを備える。p型半導体層33は、n型半導体層32との界面でpn接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域AMを光検出チャンネルに対応して複数有する。n型半導体層32の表面には不規則な凹凸10が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子SP1は、第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1及び第2主面21a,21bを有すると共に第1主面21a側に第2導電型の半導体層23が形成されたシリコン基板21と、第1主面21a上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極25と、を備え、表面入射型である。シリコン基板21には、第2主面21b側にシリコン基板21よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層31が形成され、第2主面21bにおける少なくとも半導体領域23に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。シリコン基板21の第2主面21bにおける不規則な凹凸10が形成された領域は、光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードPD5は、第1半導体基板21と、第1半導体基板21に比較してn型の不純物濃度が高い第2半導体基板23と、を備え、裏面入射型である。第1半導体基板21と第2半導体基板23とは、表面21b及び表面23bが貼着面とされて、貼着されている。第1半導体基板21は、表面21a側にP型半導体領域3が形成されている。第2半導体基板23の表面23aにおける少なくともP型半導体領域3に対向する領域には、不規則な凹凸10が形成されている。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオード及びシリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードPD5は、P型半導体基板20を備え、裏面入射型である。P型半導体基板20は、互いに対向する第1及び第2主面0a,20bを有し、光感応領域21を含む。光感応領域21は、N型不純物領域23と、P型不純物領域25と、P型半導体基板20においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域とからなる。P型半導体基板20の第2主面20bには、不規則な凹凸10が形成されている。P型半導体基板20の第2主面20b側には、アキュムレーション層37が形成されており、アキュムレーション層37における、光感応領域21に対向している領域は光学的に露出している。 (もっと読む)


【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】半導体基板2を絶縁層4が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板2を貫通して絶縁層4に至る孔H1を光感応領域S1に対応する位置に形成する。次に、n型埋込み層6の孔H1に露出する面7に、不規則な凹凸22を形成する。絶縁層4のn型埋込み層6の孔H1に露出する面にピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層4が除去されると共に、n型埋込み層6の孔H1に露出する面7がピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸22が面7の全面に形成される。次に、不規則な凹凸22が形成された基板を熱処理する。 (もっと読む)


【課題】二色性フォトダイオードおよび二色性光検出のための方法を提供する。
【解決手段】広バンドギャップ接合は、第1光スペクトルを検出するよう動作可能な格子整合接合を含む。狭バンドギャップ接合は、広バンドギャップ接合に結合されており、かつ、フォトダイオード構造を含む。狭バンドギャップ接合は、第2光スペクトルを検出するよう動作可能である。 (もっと読む)


【課題】冷却装置を要することなく熱励起に起因する暗電流を低減し、室温近傍で検出器を動作させた場合に十分な特性を発揮し得る量子型赤外線検出器を提供すること。
【解決手段】量子型赤外線検出器(10)は、井戸層(13)、第1の障壁層(14)、ならびに井戸層(13)および第1の障壁層(14)の間に設けられた井戸層(13)に隣接する第2の障壁層(15)から構成される多重量子井戸層(16)と、多重量子井戸層(16)を挟み込むように設けられた一対のコンタクト層と、を備え、第1および第2の障壁層(14,15)は、それぞれAl組成比の異なるAlGa1−xAsと、AlGa1−yAsとで構成され、第2の障壁層(16)のAl組成比yは、第1の障壁層(15)のAl組成比xより高い。 (もっと読む)


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