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Fターム[5F051AA10]の内容

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Fターム[5F051AA10]に分類される特許

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【課題】透明電極に用いられる透明導電性酸化物は導電性を上げるための一つの手法として膜厚を上げることがあるが、膜厚を上げると透過率が低下するという課題があり、膜厚を上げることなく導電性を向上する必要があった。
【解決手段】基材上に形成された透明電極であって、該透明電極が、基材上に炭素系薄膜層が形成されており、さらにその上に透明導電性化合物層が形成されており、且つ該透明導電性化合物層はその一部が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする透明電極。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池及びそれを製造する製造装置の低コスト化、薄膜太陽電池の品質向上、薄膜太陽電池の発電効率の向上を図る。
【解決手段】基板上に、第1の電極膜を減圧雰囲気下で形成し、その後、大気に曝すことなく、前記第1の電極膜上に、光電変換層を減圧雰囲気下で形成し、その後大気に曝すことなく、前記光電変換層上に、第2の電極膜を減圧雰囲気下で形成して、積層膜を形成する工程と、前記積層膜を分断して、前記基板上に併設された複数の太陽電池セルを形成する工程と、前記複数の太陽電池セルのうちの第1の太陽電池セルの前記第2の電極膜及び前記光電変換層を選択的に除去して、前記第1の電極膜を表出させ、前記第1の太陽電池セルに隣接する第2の太陽電池セルの前記第2の金属膜と、表出させた前記第1の電極膜と、を電気的に接続する製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】優れた絶縁性能と耐電圧性を有し、耐高温強度に優れるアルミニウム合金基板を提供し、これを用いてフレキシブルな薄膜系太陽電池をロール・ツー・ロール方式で効率良く生産する方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを2.0〜7.0質量%含有し、残部がアルミニウムおよび不可避不純物から成るアルミニウム合金2の表面に1μm超〜30μm厚さの絶縁性を有する酸化膜3を有する基板を、ロール状に巻かれたアルミニウム合金板2を連続的に送り出して陽極酸化処理、封孔処理等を行うことによって製造し、一旦ロール状に巻き取り、次にロール状に巻き取った絶縁層3を備えるアルミニウム合金2連続的に送り出して裏面電極層4、光吸収層5を形成する行程を含む薄膜系太陽電池1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 (もっと読む)


【課題】クラックによる欠陥を少なくして半導体層を良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、カルコゲン化合物半導体を含む微粒子と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基と、金属元素と、を含み、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を含まないか、または、カルコゲン元素を、前記金属元素をカルコゲン化して前記カルコゲン化合物半導体にするのに必要な理論量よりも少ない量で含む半導体層形成用溶液を作製する工程と、前記半導体層形成用溶液を用いて皮膜を作製する工程と、前記皮膜を熱処理する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】通常のクラッド材では端面からの選択的溶解が起こりやすい不具合を全面のアルミ被覆層で防止し、かつ溶融メッキ等で表面層のアルミニウム層を形成した場合に生じるアルミニウム組成の厳密な管理ができないという問題を解決し、絶縁性と高温強度に優れる金属複合基板を提供する。
【解決手段】300℃以上での耐熱強度がアルミニウムより高い金属よりなる芯材を、その全表面をアルミニウムまたはアルミニウム合金で被覆し、得られるアルミニウムまたはアルミニウム合金層の少なくとも1つの表面に、アルミニウム板またはアルミニウム合金板を貼り合わせ、前記アルミニウム板またはアルミニウム合金板の少なくとも1つの表面に陽極酸化皮膜を有する金属複合基板。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池モジュールの製造効率を改善する。
【解決手段】複数の帯状太陽電池が直列に接続された太陽電池モジュールの製造方法であって、2つの電極層に挟まれた発電層を有する薄膜太陽電池100を巻出ロール11から繰り出し供給する供給工程と、供給工程により供給された薄膜太陽電池100を搬送方向と略平行に裁断し複数の帯状太陽電池200を形成する裁断工程と、裁断工程により形成された複数の帯状太陽電池200を搬送方向に対し所定の角度で傾斜させ、且つ複数の帯状太陽電池200が直列に接続するように、第1の帯状太陽電池の第1の電極層の一部と隣接する第2の帯状太陽電池の第2の電極層の一部とを重ねつつ可撓性基板上に圧着し一体成形する圧着工程と、圧着工程により可撓性基板上に圧着した複数の帯状太陽電池の接続体を巻き取りロール40に連続的に巻き取る巻き取り工程と、を有することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 (もっと読む)


【課題】スクライブ位置の誤差に起因する非発電領域を削減し、発電効率を向上させることができるカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に裏面電極を成膜・分割する工程と、裏面電極上に光吸収層を成膜・分割する工程と、光吸収層上に透明電極を成膜・分割する工程とを備えたカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法であり、光吸収層の分割工程および透明電極の分割工程の少なくとも一方は、基板の成膜側と反対側から波長800〜2000nmの赤外光を照射し、裏面電極の分割溝を透過して基板の成膜側へ達する赤外光を基板の成膜側に設けた撮像手段によって検出し、赤外光の濃淡により分割溝の端部の位置を認識し、認識した溝の端部の位置に基いて光吸収層および/または透明電極のスクライブ位置を決定し、撮像手段は、スクライブ手段と一体化して設けられ、両者は一体となって駆動することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の良好な太陽電池を得る。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼からなる基材13の少なくとも一方の面に、Al材11が一体化されたものを金属基板14とし、金属基板14のAl材11の表面に、Alの陽極酸化膜12が電気絶縁層として形成されてなる絶縁層付金属基板10上に、下部電極20を介して、少なくとも、銅および/または銀を含むIb族元素含有粒子、およびアルミニウム、インジウム、ガリウムのうち少なくとも1つを含むIIIb族元素含有粒子を用いて光電変換層30を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高く、しかも、低コストで容易に製造することができる太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】太陽電池モジュール1は、平面形状が正方形の波長変換光学板5の厚み方向の一方の側に、同様な平面形状が正方形の太陽電池3を、透光性を有する光学接着剤で貼り合わせたものである。波長変換光学板5は、Tb添加の蛍光ガラス(B23・CaO・SiO2・La23・Tb3+)から構成されており、この波長変換光学板5は、その平面方向の全周の端面7が、太陽電池3側が広くなるように、平面方向に対して斜めに(例えば45°傾斜して)切断されている。 (もっと読む)


【課題】光電変換半導体層の表面処理にKCNを用いることなく、光電変換素子の変換効率を向上させる。
【解決手段】基板10上に、下部電極20、光電変換半導体層30、バッファ層40、透光性導電層60が順次積層された光電変換素子1の製造方法であって、アミノ基を有する化合物と過酸化水素とを含有する表面処理液により光電変換半導体層30表面の表面処理を行った後、この表面処理をした光電変換半導体層30上にバッファ層40を形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、太陽電池の光電変換効率を高めるフィルム表面に特定の凹凸を形成したフィルム、及びそれを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、樹脂フィルムは、少なくとも一方の面が0.01〜5μmの範囲の凹凸を有し、
樹脂フィルムの凹凸面上に光電変換層を形成する用途に用いることを特徴とする光電変換層形成用樹脂フィルムである。
さらに本発明は、上記に記載の光電変換層形成用樹脂フィルムを用いる太陽電池である。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高く、しかも、低コストで容易に製造することができる太陽電池パネルを提供すること。
【解決手段】波長変換光学板9に斜めの端面11が形成されているので、波長変換光学板9内部で波長変換され集光された光は、板端面で好適に太陽電池7側に反射し、太陽電池7に入射する。そのため、太陽電池パネル1全体における光電変換効率が向上する。しかも、簡単には折れたり曲がったりしない硬質な波長変換光学板9を貼り付けた太陽電池モジュール5を配列してフレーム3に固定するので、詳しくは、上下フレーム13、15の間に太陽電池モジュール5を挟み、その平面方向の端部を固定部21にて固定する構造であるので、太陽電池パネル1を低コストで容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】多接合太陽電池のトップセルとしても利用可能な光吸収特性と、高い開放電圧を持つ光電素子を形成可能とする技術の提供。
【解決手段】Cu、Zn、Ge及びSを含む硫化物であり、Cu/Ge比(原子比)が2.00未満である化合物半導体若しくはCu、Zn、Ge、Sn及びSを含む硫化物であり、Cu/(Sn+Ge)比(原子比)が2.00未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の製造において、n型ドーパントを光電変換層に深く拡散させる。
【解決手段】基板10上に、下部電極20と、化合物半導体層からなる光電変換層30と、化合物半導体層からなるバッファ層40と、透光性導電層60との積層構造を有する光電変換素子1の製造方法において、光電変換層30上にバッファ層40を形成するバッファ層形成工程前に、光電変換層30を表面に有する基板10を、40℃以上100℃未満の所定温度に調整された、少なくとも1種のCd源と少なくとも1種のアルカリ剤とを含み、かつSイオン源を含まない、Cdイオン濃度が0.1M以上、pH9〜13の水溶液92中に浸漬して、光電変換層30中にCdイオンを拡散させる。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池を構成する各層の剥離を抑制することができる薄膜太陽電池用の絶縁層付基板、およびこの絶縁層付基板を用いた薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁層付基板は、絶縁層と少なくとも1つの金属基材とが積層された基板であって、絶縁層を構成する材料の線膨張係数が8ppm/K以下であり、金属基材を構成する材料の線膨張係数が17ppm/K以上であり、絶縁層において金属基材と反対側の絶縁層の表面における線膨張係数が6〜15ppm/Kである。 (もっと読む)


【課題】バッファ層の析出が不要な部分のバッファ層の析出を抑制し、組成の均一なバッファ層を析出速度を速く製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層を形成する反応液2が70℃〜95℃の範囲に2分以内に昇温させたものであって、反応液2を基板40に接触させることなく、光電変換半導体層10の表面に接触させ、反応液2を循環させながらバッファ層の析出を行う。 (もっと読む)


【課題】CI(G)S系光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施する。
【解決手段】基板上に、下部電極層と、光電変換半導体層と、バッファ層と、透光性導電層が順次積層された光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施するものであり、バッファ層を化学浴析出法により成膜し、透光性導電層の成膜工程が、バッファ層上に、導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも1種の複数の微粒子を含む下地層を塗布法により形成する工程と、下地層上に、導電性酸化亜鉛薄膜層を化学浴析出法により形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】非導電性の下地良好に被覆し、且つ、電析法の下地層として好適な導電性酸化亜鉛膜形成する。
【解決手段】少なくとも表面が非導電性である基板10を用意し、その表面に導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも1種の複数の微粒子11pを含む下地層11を塗布法により形成し、下地層11上に、導電性酸化亜鉛薄膜層12を化学浴析出法により形成する。 (もっと読む)


【課題】Ib族元素、IIIb族元素およびVIb族元素からなる少なくとも1種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Alを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を500℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】Alの陽極酸化による絶縁層の形成に先立ち、陽極酸化するAlの表面を酸性洗浄液で洗浄することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


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