【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側と発電電力を取り出すための電極との接合およびキャリアの取り出しの改善を図ることにより、信頼性が高く光電変換効率の優れた太陽電池素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層と逆導電型の半導体層とを有する半導体基板２を備え、半導体基板２の少なくとも一方主面が逆導電型の半導体層であり、前記半導体基板の一方主面に対向する他方主面および前記逆導電型の半導体層のそれぞれの上に、発電電力を取り出すための電極３〜６が形成された太陽電池素子１であって、前記逆導電型の半導体層の上に形成された電極３および電極４が少なくとも銀と銅を含有している。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】シリコン基板４の受光面に、シリコン基板４の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層６と反射防止膜７とを形成する工程と、シリコン基板４の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜８を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大きい電力を得ることができる太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型を示す半導体基板２と、半導体基板２の一主面Ａ側に形成された第１の電極４と、半導体基板２の一主面Ａから他主面Ｂにかけて形成された貫通孔７と、貫通孔７内に形成された第２の電極８と、第２の電極８の他端が接続されて第１の電極４と接続されている第３の電極11と、半導体基板２の他主面Ｂ上に第３の電極11とは絶縁されて形成された、第３の電極11とは極性が異なる第４の電極12とを有しており、貫通孔７は、複数個が半導体基板２の外周の一部に沿って配置されており、第４の電極12は、第３の電極11の近傍から貫通孔７が形成されている半導体基板２の一部と反対側の外周の近傍まで延在している太陽電池素子１である。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるＡｌを含むＣＩＧＳ系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、裏面電極、ＣＩＧＳ系化合物からなる光吸収層、バッファ層、窓層および上部電極が順次積層されたカルコパイライト型化合物半導体薄膜太陽電池であって、前記裏面電極よりも前記基板側にアルミニウム供給層を有し、かつ前記光吸収層の一部に前記アルミニウム供給層から供給されたアルミニウムがドーピングされていることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】安定的に、出力特性の高い太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１と、該半導体基板１上に形成された電極とを備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板１の表面および裏面のうちの少なくとも一方の面上に導電性ペーストを塗布する工程と、半導体基板１上の導電性ペーストを加熱室内で焼成して電極を形成する工程と、を有し、電極を形成する工程での焼成炉２００内に供給されるガスの供給量（Ｖ１）と加熱室内から排出されるガスの排出量（Ｖ２）の比率（Ｖ１／Ｖ２）が１以上２．５以下である太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高効率な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】第１の面１Ｆ及び該第１の面１Ｆの裏面に相当する第２の面１Ｓを有する半導体基板１と、第２の面１Ｓに設けられた第１電極４と、第２の面１Ｓに設けられ、第１電極４と異なる極性を有する第２電極５と、を有する複数の太陽電池素子１０を備え、一方の太陽電池素子１０の第１電極４と他方の太陽電池素子１０の第２電極５を電気的に接続してなる太陽電池モジュールであって、第２電極５は、集電部５ｂを具備し、該集電部５ｂは、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、順に透明電極層２と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層５１と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層５２と、光電変換層３とを形成する光電変換装置１００の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層３の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層５１の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層５２の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２の膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン多結晶系太陽電池等の光発電素子において、シリコン多結晶層を構成する微結晶の密度を高める。
【解決手段】基板５０と基板５０上に設けた金属電極層５１を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板５０上に設けた金属電極層５１上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い集積型の光電変換装置を実現する。
【解決手段】 透明絶縁性の基板上に透明電極、光電変換層、裏面電極層が順次積層されてなる光電変換装置であって、光電変換装置は透明電極および光電変換層を分離する第１の分離溝と裏面電極および光電変換層を分離する第２の分離溝を有し、第１および第２の分離溝によりユニットセルに分離され、ユニットセルは透明電極および裏面電極層により電気的に直列に接続されてなる光電変換装置であって、第２の分離溝は、裏面電極を分離する間隙が前記光電変換層を分離する間隙より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン基板１と、前記シリコン基板１の受光面側に形成され、ドーパント高濃度拡散層３とこの高濃度拡散層３よりもドーパント濃度が低い低濃度拡散層４とを有するｐ型セレクティブエミッタ層２と、前記ｐ型セレクティブエミッタ層２の高濃度拡散層３と電気的に接続する受光面電極６と、前記シリコン基板１の裏面側に形成されたｎ型拡散層５と、前記ｎ型拡散層５と電気的に接続する裏面電極７と、を備える太陽電池であって、前記受光面電極直下となる高濃度拡散層３がシリコン窒化膜８と接し、前記低濃度拡散４層がシリコン酸化膜９と接することを特徴とする太陽電池。
【効果】高濃度拡散層と低濃度拡散層とを有するｐ型セレクティブエミッタ層を有する太陽電池を簡便に製造することができ、容易に低オーミックコンタクトが形成でき、製造歩留まりを高レベルで維持しながら高性能の太陽電池及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モジュール化に伴い大きな応力が発生した場合であっても発電部の破損を防止することが可能な、太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発電部と、金属製の第１電極と、発電部の他面側に配設された第２電極とを有し、発電部の一面側の表面の一部と第１電極とが接触し、第１電極と接触していない発電部の一面側の表面の少なくとも一部に第１電極と同じ厚さの光を吸収しない炭素層が配設され、該炭素層の硬さは第１電極の硬さ以上である太陽電池とし、凸部を有する金属基板の凸部側に凸部の高さと同じ厚さの炭素層を作製する工程と、作製された炭素層の金属基板が設けられていない側の表面へ発電部を作製する工程と、作製された発電部の炭素層が設けられていない表面へ第２電極を作製する工程と、金属基板の凸部以外の部位を溶解させて除去することにより第１電極を作製する工程と、を有する太陽電池の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体基板を用いた場合でも、裏面電極近傍における少数キャリアの再結合を従来に比して抑え、耐熱性を改善した裏面電極構造が得られる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型多結晶シリコン基板１０１の受光面側にＮ型拡散層１０２と反射防止膜１０３を形成する工程と、反射防止膜１０３上に表面電極形状に導電性ペーストを形成し、８００℃以上の温度で焼成する工程と、シリコン基板１０１の裏面側に裏面電極構造を形成する工程と、を含み、焼成前に、シリコン基板１０１の裏面上にプラズマＣＶＤ法によって、水素を含む第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を形成し、焼成後で裏面電極構造形成前に、第１の水素含有プラズマＣＶＤ膜を除去する工程をさらに含み、裏面電極構造を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法によって形成された第２の水素含有プラズマＣＶＤ膜がシリコン基板１０１の裏面上に形成される。 （もっと読む）