【課題】光電変換効率を向上させた球状の光電変換素子、およびこの素子を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第１半導体または第２半導体層と電気的に接続された支持体２１、前記素子の第２半導体層または第１半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程Ｓ１と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下とされ、その高さが１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされたブロック素体を切り出す切断工程Ｓ２と、このブロック素体に、温度；５００℃以上６００℃以下、保持時間；１５分以上６０分以下、冷却速度；１０℃／ｍｉｎ以上６０℃／ｍｉｎ以下、の熱処理を行う熱処理工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池用シリコンを安定かつ安価に提供する。
【解決手段】太陽電池用シリコンの製造方法のある態様は、ゼオライトを含有した珪素含有物質を炭素含有物質の存在下で塩素化することで四塩化珪素を得る工程（１）と、前記工程（１）によって得られた四塩化珪素を分離精製する工程（２）と、前記工程（２）において精製された四塩化珪素と亜鉛ガスを反応させることで多結晶シリコンを得る工程（３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に結晶質シリコン光電変換層を製膜する場合でも、製膜中の基板温度の上昇を抑制し、発電効率の高い光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層、ｎ層、及び結晶質シリコンｉ層を含む光電変換層をプラズマを用いて製膜する真空処理装置によって、基板１上に予め製膜されたｐ層またはｎ層上に結晶質シリコンｉ層を製膜するｉ層製膜工程を有する光電変換装置の製造方法であって、真空処理装置が、基板を加熱する基板テーブル２０４と、プラズマを形成するための放電電極２０３とを備え、ｉ層製膜工程は、基板テーブル又は放電電極の少なくとも一方の設定温度プロファイルが、基板１を真空処理装置内に導入した時の基板導入時設定温度と、真空処理装置内でプラズマを消灯した時の製膜終了時設定温度とを含み、製膜終了時設定温度が基板導入時設定温度よりも低くなるように制御する工程を含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン化合物の膜状結晶を得る場合、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａからなる金属膜を形成し、Ｓｅ化処理する方法があるが、膜の均一性や生産性に課題がある。Ｃｕ・Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｅを含むナノ粒子を低コストで得られる方法によって均一性の高いカルコゲン化合物の膜状結晶が得られるが、カルコゲン化合物中に含有される炭素量が多いため抵抗値が高く、太陽電池用途などでは満足する特性が得られていない。
【解決手段】 平均１次粒径が０．３μｍ以下の金属水酸化物粉末と、セレン、セレン化合物、硫黄、硫黄化合物の群から選択された１種以上を還元性ガス中で２２０℃以上に加熱することにより、Ｃｕ・Ｉｎ・（Ｇａ・）Ｓｅを含み、平均粒径（Ｄ５０）が０．５μｍ未満であり、粉末中の炭素量が０．２％以下のカルコゲン化合物粉を得る。 （もっと読む）

【課題】シリコン多結晶系太陽電池等の光発電素子において、シリコン多結晶層を構成する微結晶の密度を高める。
【解決手段】基板５０と基板５０上に設けた金属電極層５１を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板５０上に設けた金属電極層５１上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】希土類鉄酸化物を用いた電子素子で、より低温下で製造可能とした電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。さらに、第１の半導体層は、粉末状とした希土類鉄酸化物を吹き付けて、または粉末状とした希土類鉄酸化物を所定の溶液に混合して生成した希土類鉄酸化物溶液を塗布して形成していることにも特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法では、内面に剥離材をコーティングし焼成した坩堝に溶融原料を供給する工程と、前記坩堝内で前記溶融原料を固化させ、溶融原料の残量が３０％以下となる段階で、結晶片を溶融層に浸漬し、結晶の表面に突出部を形成する工程と、前記突出部を利用して前記結晶を前記坩堝から取り出す工程を、同じ坩堝を再利用して繰り返し行う。また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。また、前記坩堝に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。 （もっと読む）

【課題】室温およびシリコン溶融温度付近のいずれにおいても、十分な強度を有し、大型化にも対応することができ、かつ、該ルツボを用いて製造する多結晶シリコンインゴットに対する不純物汚染の防止効果にも優れた多結晶シリコン製造用ルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップキャスト法により多結晶シリコン製造用ルツボを製造する方法において、平均粒径１μｍ以上４０μｍ以下の溶融シリカ粉と平均粒径１μｍ未満のアルミナ粉と平均粒径１μｍ未満のシリカ粉とを分散させたスラリーを鋳込み型に流し込んで成形し、焼成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、良好な半導体特性を付与し、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、シリコン融液に被接触体を接触させて形成される多結晶シリコンシートであって、０．０４〜０．２ｐｐｍｗのボロンを含有することを特徴とする多結晶シリコンシートである。両方または一方の主面に凹凸を有することが好ましい。また、前記両方の主面の凹凸の周期が同一であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、表裏の２つの主面の両主面に凹凸を有するシリコンシートであって、上記２つの主面の凹凸の大きさが異なるシリコンシートである。また本発明は、上記のシリコンシートを有する太陽電池であって、凹凸が大きい面が金属電極で被覆されてなることを特徴とする太陽電池にも関する。 （もっと読む）

【課題】従来、結晶成長の初期段階でランダムな面方位を有する多数の結晶粒が制御されずに形成され、それらの結晶粒の接触により形成される結晶粒界の分布もランダムであるため、結晶欠陥がランダム粒界から発生してしまい、高品質な結晶が得られなかった。これに対し、転位や亜粒界などの結晶欠陥の少ない高品質なシリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】安価な材料を用いても高い発電効率を得ることができる光発電装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１は、例えば圧延再結晶集合組織を有する銅又は銅合金基板である。この銅又は銅合金基板では、数十μｍの大きさの複数の単結晶が、その表面の結晶方位を揃えて並んでいる。この結晶方位のずれは５度以内である。金属電極２は、例えばニッケル膜、ニッケル合金膜、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜である。この金属電極２は、めっき法により金属電極１上に形成する。ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】高湿下での強度や水蒸気バリア性に優れ、ＭＤとＴＤとの熱膨張率差が小さい基板を備えた太陽電池を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン層、多結晶シリコン層及び多結晶化合物層からなる群から選ばれる少なくとも１つの発電層と、液晶ポリエステル層と、導電層とで、太陽電池を構成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成する。前記液晶ポリエステル層は、溶剤可溶性の液晶ポリエステルから形成された液晶ポリエステルフィルムであるか、液晶ポリエステルと繊維シートとから形成されたプリプレグであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電装置の発電効率を向上させることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス導入口１０ａからアルゴンガス、ガス導入口１０ｂから水素ガスをチャンバー１０に導入し、この状態で多結晶シリコンインゴット３３を育成する。これにより、シリコン融液３２に水素が直接導入されることから、多くの水素がシリコン融液３２内に取り込まれる。このため、最終的に得られる多結晶シリコンウェーハには従来よりも多くの水素が含まれ、且つ、その濃度分布が面内方向及び厚さ方向においてほぼ一定となる。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に、低温でシリコン結晶を製造することができるシリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、粉末、バルク体または融液から成る金属ナトリウム１と、バルク体または粉末から成るシリコン２とを、６２０℃以上の温度で加熱して混合体３を作製する。その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。 （もっと読む）