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Fターム[5F051CB14]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 薄膜形成 (1,951) | 真空蒸着法 (241)

Fターム[5F051CB14]に分類される特許

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【課題】優れた絶縁性能と耐電圧性を有し、耐高温強度に優れるアルミニウム合金基板を提供し、これを用いてフレキシブルな薄膜系太陽電池をロール・ツー・ロール方式で効率良く生産する方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを2.0〜7.0質量%含有し、残部がアルミニウムおよび不可避不純物から成るアルミニウム合金2の表面に1μm超〜30μm厚さの絶縁性を有する酸化膜3を有する基板を、ロール状に巻かれたアルミニウム合金板2を連続的に送り出して陽極酸化処理、封孔処理等を行うことによって製造し、一旦ロール状に巻き取り、次にロール状に巻き取った絶縁層3を備えるアルミニウム合金2連続的に送り出して裏面電極層4、光吸収層5を形成する行程を含む薄膜系太陽電池1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】光電変換半導体層の表面処理にKCNを用いることなく、光電変換素子の変換効率を向上させる。
【解決手段】基板10上に、下部電極20、光電変換半導体層30、バッファ層40、透光性導電層60が順次積層された光電変換素子1の製造方法であって、アミノ基を有する化合物と過酸化水素とを含有する表面処理液により光電変換半導体層30表面の表面処理を行った後、この表面処理をした光電変換半導体層30上にバッファ層40を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の良好な太陽電池を得る。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼からなる基材13の少なくとも一方の面に、Al材11が一体化されたものを金属基板14とし、金属基板14のAl材11の表面に、Alの陽極酸化膜12が電気絶縁層として形成されてなる絶縁層付金属基板10上に、下部電極20を介して、少なくとも、銅および/または銀を含むIb族元素含有粒子、およびアルミニウム、インジウム、ガリウムのうち少なくとも1つを含むIIIb族元素含有粒子を用いて光電変換層30を形成する。 (もっと読む)


【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板1を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層2を形成した後、この不純物拡散層2に電気的に接続する電極4,6,7を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をn型拡散層2、PSG(リン珪酸塩)層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング(捕獲)して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 (もっと読む)


【課題】細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面上に絶縁膜からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に、ガラス粒子を含むガラスペーストを受光面側電極と略同等の形状に配置して受光面側ガラス層を形成する工程と、ガラス粒子のガラス移転点以上の温度で受光面側ガラス層を焼成して受光面側ガラス層を半導体基板まで貫通させる工程と、受光面側ガラス層を除去して、反射防止膜における受光面側ガラス層が配置されていた領域に半導体基板に達する開口を形成する工程と、開口内に、導電性ナノ粒子を含み低温焼成により導電性を発揮する低温焼成導電ペーストを配置する工程と、低温焼成導電ペーストを低温で焼成して半導体基板に直接接合する受光面側電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をPCVD装置を用いて形成する条件として、(1)プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離dが5mm〜7mm(2)形成基板の温度が200℃(3)製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が1体積%(4)製膜室内の圧力pが1000Pa〜1500Pa(5)プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が60MHzであり、且つ電力密度が0.28W/cm(6)製膜室内の圧力pと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離dと、の積pdが7000Pa・mm≦pd<8000Pa・mmの条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池モジュールの製造効率を改善する。
【解決手段】複数の帯状太陽電池が直列に接続された太陽電池モジュールの製造方法であって、2つの電極層に挟まれた発電層を有する薄膜太陽電池100を巻出ロール11から繰り出し供給する供給工程と、供給工程により供給された薄膜太陽電池100を搬送方向と略平行に裁断し複数の帯状太陽電池200を形成する裁断工程と、裁断工程により形成された複数の帯状太陽電池200を搬送方向に対し所定の角度で傾斜させ、且つ複数の帯状太陽電池200が直列に接続するように、第1の帯状太陽電池の第1の電極層の一部と隣接する第2の帯状太陽電池の第2の電極層の一部とを重ねつつ可撓性基板上に圧着し一体成形する圧着工程と、圧着工程により可撓性基板上に圧着した複数の帯状太陽電池の接続体を巻き取りロール40に連続的に巻き取る巻き取り工程と、を有することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池を構成する各層の剥離を抑制することができる薄膜太陽電池用の絶縁層付基板、およびこの絶縁層付基板を用いた薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁層付基板は、絶縁層と少なくとも1つの金属基材とが積層された基板であって、絶縁層を構成する材料の線膨張係数が8ppm/K以下であり、金属基材を構成する材料の線膨張係数が17ppm/K以上であり、絶縁層において金属基材と反対側の絶縁層の表面における線膨張係数が6〜15ppm/Kである。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、CBD法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板10上に、下部電極層20と、光電変換半導体層30と、バッファ層40と、透光性導電層50が順次積層された光電変換素子1の製造方法において、光電変換半導体層30上に、所定の温度T(℃)の反応液Lを用いて化学浴析出法によりバッファ層40を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Lに浸漬させる基板(10,B)の温度T(℃)と反応液Lの温度T(℃)との差が、所定値t(℃)以下となるように基板(10,B)の温度Tを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Lの温度Tは70℃以上である。 (もっと読む)


【課題】高い耐久性を提供しうるフラーレン誘導体を含有し、高い開放電圧を有し、光電変換効率が高い有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式(1)で表される化合物を含有する有機層を有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ。
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【課題】CIGS系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるAlを含むCIGS系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、裏面電極、CIGS系化合物からなる光吸収層、バッファ層、窓層および上部電極が順次積層されたカルコパイライト型化合物半導体薄膜太陽電池であって、前記裏面電極よりも前記基板側にアルミニウム供給層を有し、かつ前記光吸収層の一部に前記アルミニウム供給層から供給されたアルミニウムがドーピングされていることにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 有機薄膜太陽電池の製品のロットごとのバラツキが少なく、太陽電池の面積が大きくなっても高い変換効率を達成する。
【解決手段】 有機薄膜太陽電池がドナーまたはアクセプターの層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状に形成され、該微細な溝にもう片方のドナーまたはアクセプターの層が充填された構造を有するようにする。 (もっと読む)


【課題】バッファ層をドライプロセスを用いて成膜できると共に、効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に、裏面電極3、光吸収層4、バッファ層5、透明電極6が順次積層された薄膜太陽電池1であって、バッファ層5が、ZnO1−X(ここで、0≦X≦1)により構成されていることを特徴とする。また、バッファ層5は、光吸収層4との間の電気的マッチングが取れるようにXの値を決定されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 有機薄膜太陽電池のドナーとアクセプターの混合物の膜の厚みを厚くすることによって変換効率を向上させ、また、より多く光発生電荷を発生させる。
【解決手段】 有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。 (もっと読む)


【課題】リーク電流の抑制によって出力電力を向上させた光電変換装置ならびに該光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換装置が、下部電極層と、該下部電極層上に設けられた第1半導体層と、該第1半導体層上に設けられた、第1半導体層とは異なる導電型の第2半導体層と、該第2半導体層上に設けられた、酸化インジウム系の素材を含む上部電極層と、第2半導体層と上部電極層との間に設けられた、酸化インジウム系の素材を含み且つ上部電極層よりも電気抵抗率が高い中間導電層と、を備える。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体太陽電池において、化合物半導体層とバッファー層界面において接合の不整合性に起因してキャリアの再結合が起こるために、太陽電池特性の低下が起こる可能性がある。
【解決手段】基板上に電極層、I−III−VI2型化合物半導体からなる化合物半導体層A、I−III−VI2型化合物半導体からなる化合物半導体層B、格子定数が0.490〜0.550nmを有するバッファー層、透明電極層がこの順に形成されている化合物半導体太陽電池であって、当該化合物半導体層Bが当該バッファー層に隣接しており、かつ当該化合物半導体層Bの格子定数が0.500〜0.560nmを有し、さらに当該化合物半導体層Aと異なる組成からなることを特徴とする化合物半導体太陽電池とすることで、化合物半導体とバッファー層界面でのキャリアの再結合を抑制することができ、特に開放電圧を向上することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギ
ャップが2eV以上3eV未満でありpn両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。
【解決手段】酸化第一錫(SnO)にAl3+、Ga3+、In3+、Sb3+から選ばれる3価
の陽イオンを不純物として含有し、n型伝導性を示すSnOからなるn型半導体薄膜。こ
のn型半導体薄膜とSnOからなるp型半導体薄膜とを積層したホモpn接合素子。この
ホモpn接合素子を用いた薄膜太陽電池。SnO粉末にAl3+、Ga3+、In3+、Sb3+
から選ばれる3価の陽イオン源の酸化物粉末を添加混合して焼結したSnOターゲットを
用いて物理的成膜法によりSnOからなるn型半導体薄膜を製造する。また、SnO粉末
を焼結したSnOターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したp型SnO薄膜と、上
記の方法で製造したn型SnO薄膜とを積層してホモpn接合素子を製造する。 (もっと読む)


【課題】エネルギーの変換効率の向上を図り得る太陽電池を提供する。
【解決手段】金属電極2と、この金属電極2の上面に配置されたp型半導体基板3と、この半導体基板3の上面に垂直に複数並置されたカーボンナノチューブ4と、これら各カーボンナノチューブ4の金属電極2とは反対側に配置された透明電極5とを具備し、各カーボンナノチューブ4を金属として形成すると共に、これら各カーボンナノチューブ4にリン(P)をドーピングし、さらにこれらカーボンナノチューブ4の直径を一方側から他方側に向かって段階的に変化させると共に、これらのカーボンナノチューブ4に磁石体22により磁力を付与するように構成した太陽電池21である。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の薄膜型光吸収層製造方法を提供する。
【解決手段】光吸収層の製造方法は、CIGS結晶粉末をチャンバの蒸発源に充填させるステップ、CIGS結晶粉末を同時に蒸発させるステップ、および蒸発したCIGS結晶粉末を基板に蒸着させてCIGS薄膜を形成するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して、加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜をパターニングして固定化できる方法を提供する。
【解決手段】下記の式で表されるオリゴチオフェンの薄膜を固体基板上に真空蒸着により形成し、当該基板に紫外光を照射後、加熱処理することにより、固体基板上に近赤外光を吸収する薄膜のパターニングを形成する。


式中、R1,R2の一方はアンスリル基であり、他方はアンスリル基又はメチル基であり、nは1〜5の整数である。これにより、ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜を簡便にパターニング形成できる。 (もっと読む)


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