【課題】良好な太陽電池特性を有する光起電力装置を得ること。
【解決手段】不純物拡散層３を有する第１導電型の半導体基板１と、不純物拡散層３上に形成された反射防止膜４と、不純物拡散層３に電気的に接続する第１電極５と、半導体基板１の他面側に達する複数の開口部８ａを有して半導体基板１の他面側に形成された裏面絶縁膜８と、半導体基板１の他面側に電気的に接続する複数の第２電極９と、少なくとも裏面絶縁膜８上を覆って形成された裏面反射膜１０とを備え、開口部８ａは、半導体基板１の裏面の面内方向において略長方形状を呈するとともに該開口部８ａの短手方向において複数本が略平行な列に配列され、第２電極９は、開口部８ａと略等しい形状を呈して該第２電極９の短手方向において複数本が略平行な列に配列され、短手方向における電極間ピッチが１．５〜３．０ｍｍの範囲であり、第２電極９の短手方向における幅が２０〜２００μｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池及びそれを製造する製造装置の低コスト化、薄膜太陽電池の品質向上、薄膜太陽電池の発電効率の向上を図る。
【解決手段】基板上に、第１の電極膜を減圧雰囲気下で形成し、その後、大気に曝すことなく、前記第１の電極膜上に、光電変換層を減圧雰囲気下で形成し、その後大気に曝すことなく、前記光電変換層上に、第２の電極膜を減圧雰囲気下で形成して、積層膜を形成する工程と、前記積層膜を分断して、前記基板上に併設された複数の太陽電池セルを形成する工程と、前記複数の太陽電池セルのうちの第１の太陽電池セルの前記第２の電極膜及び前記光電変換層を選択的に除去して、前記第１の電極膜を表出させ、前記第１の太陽電池セルに隣接する第２の太陽電池セルの前記第２の金属膜と、表出させた前記第１の電極膜と、を電気的に接続する製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側と発電電力を取り出すための電極との接合およびキャリアの取り出しの改善を図ることにより、信頼性が高く光電変換効率の優れた太陽電池素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層と逆導電型の半導体層とを有する半導体基板２を備え、半導体基板２の少なくとも一方主面が逆導電型の半導体層であり、前記半導体基板の一方主面に対向する他方主面および前記逆導電型の半導体層のそれぞれの上に、発電電力を取り出すための電極３〜６が形成された太陽電池素子１であって、前記逆導電型の半導体層の上に形成された電極３および電極４が少なくとも銀と銅を含有している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に適用することにより、高い光電変換効率を得られる多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図ることのできる太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板２、表面電極層３、光吸収層６、及び裏面電極層９を備える太陽電池の製造方法であって、透明基板の一方の主面側に表面電極層３を形成する表面電極形成工程において、主面側にインジウムの酸化物にドープ元素ＸをドープしてなるＩＸＯ層を形成するＩＸＯ層形成工程と、ＩＸＯ層上にＺｎＯ層を形成するＺｎＯ層形成工程と、ＺｎＯ層の光吸収層側にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面上に絶縁膜からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に、ガラス粒子を含むガラスペーストを受光面側電極と略同等の形状に配置して受光面側ガラス層を形成する工程と、ガラス粒子のガラス移転点以上の温度で受光面側ガラス層を焼成して受光面側ガラス層を半導体基板まで貫通させる工程と、受光面側ガラス層を除去して、反射防止膜における受光面側ガラス層が配置されていた領域に半導体基板に達する開口を形成する工程と、開口内に、導電性ナノ粒子を含み低温焼成により導電性を発揮する低温焼成導電ペーストを配置する工程と、低温焼成導電ペーストを低温で焼成して半導体基板に直接接合する受光面側電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】シリコン基板４の受光面に、シリコン基板４の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層６と反射防止膜７とを形成する工程と、シリコン基板４の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜８を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い耐久性を提供しうるフラーレン誘導体を含有し、高い開放電圧を有し、光電変換効率が高い有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物を含有する有機層を有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ。
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【課題】半導体基板の主面にムラなくテクスチャを形成することにより、半導体基板の歩留まりを向上できる太陽電池の製造方法、及びその太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチングによって、主面１２と側面１７とを有する板状の半導体基板１０にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程Ｓ１２と、テクスチャが形成された半導体基板１０に半導体層及び電極を形成する工程Ｓ２とを備え、工程Ｓ１２は、エッチングの際に、バブリングを行う太陽電池の製造方法であって、工程Ｓ１２では、主面１２に対して垂直な軸を回転軸として半導体基板１０を回転させながらエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】低バンドギャップポリマーとフラーレン誘導体を含む、高光電変換効率の有機光電変換素子、太陽電池、光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、一般式（１）で表される化合物を含む有機層を有する。
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【課題】安定的に、出力特性の高い太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１と、該半導体基板１上に形成された電極とを備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板１の表面および裏面のうちの少なくとも一方の面上に導電性ペーストを塗布する工程と、半導体基板１上の導電性ペーストを加熱室内で焼成して電極を形成する工程と、を有し、電極を形成する工程での焼成炉２００内に供給されるガスの供給量（Ｖ１）と加熱室内から排出されるガスの排出量（Ｖ２）の比率（Ｖ１／Ｖ２）が１以上２．５以下である太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させた球状の光電変換素子、およびこの素子を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第１半導体または第２半導体層と電気的に接続された支持体２１、前記素子の第２半導体層または第１半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高効率な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】第１の面１Ｆ及び該第１の面１Ｆの裏面に相当する第２の面１Ｓを有する半導体基板１と、第２の面１Ｓに設けられた第１電極４と、第２の面１Ｓに設けられ、第１電極４と異なる極性を有する第２電極５と、を有する複数の太陽電池素子１０を備え、一方の太陽電池素子１０の第１電極４と他方の太陽電池素子１０の第２電極５を電気的に接続してなる太陽電池モジュールであって、第２電極５は、集電部５ｂを具備し、該集電部５ｂは、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】光の有効利用が可能な、光電変換効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記第１光電変換層３の光入射側に複数の凹凸からなる第１のテクスチャ構造２ａが形成され、前記第２光電変換層５の光入射側であって前記第１光電変換層３と前記第２光電変換層５との間に複数の凹凸からなる第２のテクスチャ構造４ａが形成され、前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１が前記第２光電変換層５で光電変換に用いる光の波長よりも短く、前記第２のテクスチャ構造４ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ２が前記第１のテクスチャ構造２ａにおける前記凹凸の形成間隔Ｐ１よりも長い。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安定的に所望の形状のエミッタ層を有する太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】エミッタ層が形成された半導体基板と、エミッタ層に接触する電極とを有する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の少なくとも一方の表面から内部に向けての領域の少なくとも一部に、エミッタ層を形成する工程と、エミッタ層上の少なくとも一部に保護マスクを形成する工程と、保護マスクが形成された状態で、エミッタ層を水および酸溶液のそれぞれに接触させてエッチングする工程と、エッチング後に、エミッタ層から保護マスクを除去する工程と、エミッタ層のうちの保護マスクが除去された部分に電極を形成する工程と、を含む太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）