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【課題】クラックによる欠陥を少なくして半導体層を良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、カルコゲン化合物半導体を含む微粒子と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基と、金属元素と、を含み、前記微粒子および前記カルコゲン元素含有有機化合物以外にカルコゲン元素を含まないか、または、カルコゲン元素を、前記金属元素をカルコゲン化して前記カルコゲン化合物半導体にするのに必要な理論量よりも少ない量で含む半導体層形成用溶液を作製する工程と、前記半導体層形成用溶液を用いて皮膜を作製する工程と、前記皮膜を熱処理する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池におけるn型半導体層との密着性を低下させることなく、n型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、PbOを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が70〜95質量%であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末100質量部に対して1〜10質量部含まれ、ガラス粉末はPbO−B23を主成分とし、TiO2を微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるSiO2の含有量がガラス粉末100モル%に対して5.0モル%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡単な方法で太陽電池の変換効率を向上させることができる、太陽電池の電極形成用の導電性ペーストに配合される銀粉及びその製造方法を提供する。
【解決手段】脂肪酸マグネシウム塩および脂肪酸カルシウム塩の中から選択される1種以上の金属石鹸で被覆された銀粉であって、上記金属石鹸の重量が銀粉重量に対して0.1重量%以上5重量%以下である。銀粉と、脂肪酸マグネシウム塩および脂肪酸カルシウム塩の中から選択される1種以上の金属石鹸とを混合および解砕することにより、金属石鹸で被覆された銀粉を製造する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池におけるn型半導体層との密着性を低下させることなく、n型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、PbOを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が70〜95質量%であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末100質量部に対して1〜10質量部含まれ、ガラス粉末はPbO−B23を主成分とし、ZnO及びTiO2の双方を微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるSiO2の含有量がガラス粉末100モル%に対して5.0モル%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池におけるn型半導体層との密着性を低下させることなく、n型半導体層との良好な電気的導通が得られる電極を形成するための組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供する。
【解決手段】銀粉末と、PbOを含むガラス粉末と、樹脂及び溶剤からなるビヒクルと、銀粉末及びガラス粉末を分散し安定化させる分散剤とを含有し、銀粉末の組成物中の比率が70〜95質量%であり、ガラス粉末が組成物中の銀粉末100質量部に対して1〜10質量部含まれ、ガラス粉末はPbO−B23を主成分とし、ZnOを微量成分として更に含み、ガラス粉末に含まれるSiO2の含有量がガラス粉末100モル%に対して5.0モル%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が向上し耐久性がある光電変換素子が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】基板、前記基板上に形成された、少なくとも一対の電極、電極間に形成された有機活性層及び下記一般式(I)で表される化合物を含有する電子取り出し層を備えた光電変換素子の製造方法において、該基板、一対の電極、有機活性層及び電子取り出し層を積層した後に加熱する工程を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。


式中、R〜Rは各々独立して置換基を有しても良い縮合多環芳香族基もしくは芳香族基を表わし、nは1以上の整数を表す。Rは芳香族基である。Xは酸素原子もしくは硫黄原子である。 (もっと読む)


【課題】細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面上に絶縁膜からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に、ガラス粒子を含むガラスペーストを受光面側電極と略同等の形状に配置して受光面側ガラス層を形成する工程と、ガラス粒子のガラス移転点以上の温度で受光面側ガラス層を焼成して受光面側ガラス層を半導体基板まで貫通させる工程と、受光面側ガラス層を除去して、反射防止膜における受光面側ガラス層が配置されていた領域に半導体基板に達する開口を形成する工程と、開口内に、導電性ナノ粒子を含み低温焼成により導電性を発揮する低温焼成導電ペーストを配置する工程と、低温焼成導電ペーストを低温で焼成して半導体基板に直接接合する受光面側電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板1を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層2を形成した後、この不純物拡散層2に電気的に接続する電極4,6,7を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をn型拡散層2、PSG(リン珪酸塩)層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング(捕獲)して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の製造において、n型ドーパントを光電変換層に深く拡散させる。
【解決手段】基板10上に、下部電極20と、化合物半導体層からなる光電変換層30と、化合物半導体層からなるバッファ層40と、透光性導電層60との積層構造を有する光電変換素子1の製造方法において、光電変換層30上にバッファ層40を形成するバッファ層形成工程前に、光電変換層30を表面に有する基板10を、40℃以上100℃未満の所定温度に調整された、少なくとも1種のCd源と少なくとも1種のアルカリ剤とを含み、かつSイオン源を含まない、Cdイオン濃度が0.1M以上、pH9〜13の水溶液92中に浸漬して、光電変換層30中にCdイオンを拡散させる。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、CBD法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板10上に、下部電極層20と、光電変換半導体層30と、バッファ層40と、透光性導電層50が順次積層された光電変換素子1の製造方法において、光電変換半導体層30上に、所定の温度T(℃)の反応液Lを用いて化学浴析出法によりバッファ層40を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Lに浸漬させる基板(10,B)の温度T(℃)と反応液Lの温度T(℃)との差が、所定値t(℃)以下となるように基板(10,B)の温度Tを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Lの温度Tは70℃以上である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、有機樹脂成分を含有する基材又は膜上に塗布型バリア層を形成する際の塗布性及び密着性を改良し、安定にバラツキなく、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを製造する方法及びガスバリアフィルムを提供し、かつ、該ガスバリアフィルムを有する有機光電変換素子を提供することである。
【解決手段】有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面にケイ素化合物を含有する液を塗布することで、少なくとも1層のガスバリア層を形成するガスバリアフィルムの製造方法において、該ケイ素化合物含有液を塗布する前に、該有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面に対して塗れ性向上処理を行う工程を有し、該塗れ性向上処理を行う前、該塗れ性向上処理と同時、あるいは該塗れ性向上処理を行った後に加熱することを特徴とする、ガスバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】CZTS系半導体やCIGS系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つCdSバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むCBD溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にCdS膜を形成するCBD工程と、前記CdS膜を、酸化雰囲気下において200℃超350℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 (もっと読む)


【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程S1と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが150mm以上400mm以下とされ、その高さが100mm以上500mm以下とされたブロック素体を切り出す切断工程S2と、このブロック素体に、温度;500℃以上600℃以下、保持時間;15分以上60分以下、冷却速度;10℃/min以上60℃/min以下、の熱処理を行う熱処理工程S3と、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶粒径の大きい半導体層を容易に形成することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素を含む第1の前駆体層を作製する第1の前駆体層作製工程と、第1の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第2の前駆体層を形成する第2の前駆体層作製工程と、第2の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】エネルギーの変換効率の向上を図り得る太陽電池を提供する。
【解決手段】金属電極2と、この金属電極2の上面に配置されたp型半導体基板3と、この半導体基板3の上面に垂直に複数並置されたカーボンナノチューブ4と、これら各カーボンナノチューブ4の金属電極2とは反対側に配置された透明電極5とを具備し、各カーボンナノチューブ4を金属として形成すると共に、これら各カーボンナノチューブ4にリン(P)をドーピングし、さらにこれらカーボンナノチューブ4の直径を一方側から他方側に向かって段階的に変化させると共に、これらのカーボンナノチューブ4に磁石体22により磁力を付与するように構成した太陽電池21である。 (もっと読む)


【課題】高温焼成を行わなくてもガラス基板上に耐久性の高い機能性膜を形成可能であり、また可視光域だけでなく長波長域の透過率も高く、このため光電変換効率の高い光電変換素子、並びに光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】主成分がSiO2である透明ガラス基板111、透明導電膜12、光電変換ユニット2,3および裏面電極4を含んで構成される光電変換素子5であって、前記透明ガラス基板の光入射面および/または光入射面の裏面に機能性膜が形成されており、透明ガラス基板におけるMgO組成比が0.2〜2.0重量%であり、全酸化鉄量換算のFe23組成比が0.005〜0.015重量%であることを特徴とする光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのCu(Cu-Ga)ターゲットへのDC印加と導電性基板への高周波印加とによりCu(Cu-Ga)膜を成膜し、該Cu(Cu-Ga)膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのInターゲットへのDC印加と導電性基板への高周波印加とによりIn膜をCu(Cu-Ga)膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 (もっと読む)


【課題】ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して、加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜をパターニングして固定化できる方法を提供する。
【解決手段】下記の式で表されるオリゴチオフェンの薄膜を固体基板上に真空蒸着により形成し、当該基板に紫外光を照射後、加熱処理することにより、固体基板上に近赤外光を吸収する薄膜のパターニングを形成する。


式中、R1,R2の一方はアンスリル基であり、他方はアンスリル基又はメチル基であり、nは1〜5の整数である。これにより、ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜を簡便にパターニング形成できる。 (もっと読む)


【課題】フェナントロリン誘導体を用いた光電変換素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板1上に、少なくとも一方が透明である2つの電極2、6間に、電子供与体と電子受容体を含む活性層4を有する光電変換素子において、活性層4と陰極6との間に、フェナントロリン誘導体を含む陰極バッファ層5を有する光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】 太陽電池用セルを省エネルギーで連続的に焼結すること可能な太陽電池用連続焼成炉を実現する。
【解決手段】 電極が印刷されたウェーハを予熱する予熱ゾーン41内、ウェーハを本加熱する第1・第2の本加熱ゾーン42,43内およびウェーハを冷却する冷却ゾーン44内をウェーハを載置して搬送する耐熱搬送ベルト30を配設する。予熱ゾーン41内における耐熱搬送ベルト30の上方の部位に、近赤外線ヒータ60を配設する。第1・第2の本加熱ゾーンにおける耐熱搬送ベルトの上方および下方の部位に、近赤外線ヒータ60を配設する。耐熱搬送ベルト30上にウェーハを移載して供給する供給ベルト20aを配設する。耐熱搬送ベルト30上から移載されたウェーハを冷却ゾーン44から搬出する搬出ベルト20bを配設する。 (もっと読む)


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