【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】基板10上に下部電極20と化合物半導体層からなる光電変換層30と化合物半導体層からなるｎ型のバッファ層40と透光性導電層60との積層構造を有する光電変換素子１の製造方法において、ｎ型ドーパント元素とアンモニアまたはアンモニウム塩の少なくとも１つとチオ尿素とを含む水溶液からなる反応液90を用意し、20℃から45℃の所定温度に調整した反応液90中に、光電変換層30を表面に備えた基板10を浸漬して、光電変換層30中にｎ型ドーパントを拡散させ、70℃から95℃の所定温度に調整した反応液90中に、拡散処理した光電変換層30を表面に備えた基板10を浸漬して、光電変換層30上にバッファ層40を析出させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１の製造方法において、光電変換半導体層３０上に、所定の温度Ｔ_Ｌ（℃）の反応液Ｌを用いて化学浴析出法によりバッファ層４０を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Ｌに浸漬させる基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂ（℃）と反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌ（℃）との差が、所定値ｔ（℃）以下となるように基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】裏面電極部と裏面パッシベーション膜とを、互いに異なる最適な温度でアニールすることにより、光電変換素子の特性を向上させることができる電極の製造方法と、光電変換素子の製造装置とを提供する。
【解決手段】本発明に係る電極の製造方法は、太陽電池１を構成するｐ型シリコン基板２における、光受光側とは反対側にパッシベーション膜３を備えた裏面において、少なくとも裏面電極形成部４に、ｐ型シリコンとアルミニウムとの合金層としてアルミニウム合金部６を形成するとき、裏面電極形成部４のみ開口されたマスク１２にて、上記裏面を覆った状態で、アニールを行う。これにより、パッシベーション膜３とアルミニウム合金部６のアニール温度が最適化され、太陽電池の特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】摩擦抵抗による不規則な剥がれが発生しにくくすると共に、低負荷でスムーズに薄膜を削りとることのできる溝加工ツール、並びにこれを用いた溝加工方法を提供する。
【解決手段】 溝加工ツール８が、刃体ボディ８１の下端に、複数の凹部８２、凸部８３が交互に一列に並ぶように形成されており、この凸部の高さは、中央に位置する凸部から前後の凸部が漸次上位に位置するように配置され、凸部の左右側面８６，８７が平行に形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】組成の均一なバッファ層を製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層がＣＢＤ法により形成され、このＣＢＤ法によるバッファ層の析出が進行している間のバッファ層を形成する反応液のｐＨ変動が０．５以内に調整され、反応液がＣｄまたはＺｎの金属と硫黄源を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】安定的に、出力特性の高い太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１と、該半導体基板１上に形成された電極とを備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板１の表面および裏面のうちの少なくとも一方の面上に導電性ペーストを塗布する工程と、半導体基板１上の導電性ペーストを加熱室内で焼成して電極を形成する工程と、を有し、電極を形成する工程での焼成炉２００内に供給されるガスの供給量（Ｖ１）と加熱室内から排出されるガスの排出量（Ｖ２）の比率（Ｖ１／Ｖ２）が１以上２．５以下である太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率および製品寿命の長い有機薄膜太陽電池を低廉に、且つ高い生産効率で製造できる方法および装置を提供する。
【解決手段】一対の電極の間に設けられたドナー／アクセプター混合層を備える有機薄膜太陽電池の製造方法であって、大気よりも水分濃度が低く、且つ大気よりもオゾン濃度が低い空気雰囲気を有するハウジング内で上記ドナー／アクセプター混合層を形成する、有機薄膜太陽電池の製造方法、ならびに、一対の電極の間に設けられたドナー／アクセプター混合層を備えた有機薄膜太陽電池の製造装置であって、上記ドナー／アクセプター混合層の形成を行うためのハウジングと、上記ドナー／アクセプター混合層の形成時において、上記ハウジング内を大気よりも水分濃度が低く、且つ大気よりもオゾン濃度が低い空気雰囲気にするための雰囲気調整手段とを備える有機薄膜太陽電池の製造装置。 （もっと読む）

【課題】拡散ムラの発生を抑制しつつ、製造コストを低減することができる、拡散防止マスクの形成方法およびそれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェット法を用いて、基板１上にシリコン化合物を含むマスクインクを塗布することにより、拡散防止マスクとなるマスク層２を形成する工程と、マスク層２を含む基板１を焼成する工程とを備えている。第１領域５ｂにおけるマスク層２の厚さは、マスク層２がドーパント拡散防止用マスクとして機能するために必要な最低膜厚であるマスク性確保最低膜厚より大きく、第２領域５ａにおけるマスク層２の厚さは、ドーパントの拡散温度の状態におけるマスク層２にクラックが発生しない最大膜厚である耐クラック膜厚より小さく、かつ、マスク層２は第２領域５ａにおいて第１領域５ｂより厚くなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素を含む前駆体層を、水素の濃度が徐々にあるいは段階的に低くなる水素含有気体雰囲気下で加熱し、半導体層３を形成する工程を含む。これにより、半導体層３を所望の組成で良好に結晶化させることができ、光電変換効率の高い半導体層３および光電変換装置１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体溶液を自転攪拌を行うと同時に公転攪拌を行うことにより、従来方法と比較して半導体が溶液中により均質に混ざり合うことにより、結果として該半導体溶液を塗布した半導体層を含有する光電変換素子は、光電変換効率及び耐久性が向上することを見出した。
【解決手段】ｐ型半導体とｎ型半導体を含む半導体溶液であって、そのいずれか一方が少なくとも高分子化合物である半導体溶液を、自転攪拌及び公転攪拌を同時にすることを特徴とする半導体溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストの太陽電池の製造を可能とする化合物半導体薄膜作製用インク、その製造方法、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｅ原子を含む化合物粒子、及びＳｅ粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インク。このインクを塗布又は印刷し、熱処理することにより化合物半導体薄膜を形成することが出来、この化合物半導体薄膜を光吸収層として具備する太陽電池が構成される。 （もっと読む）

【課題】２以上の物質の組成比率を高精度に調整して、ＣＩＧＳ膜などの薄膜を形成する。
【解決手段】多源蒸着薄膜の組成制御方法では、チャンバ１１内に第１物質（Ｓｅ）を供給して加熱した状態において、同じ成膜工程においてチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，Ｉｎ）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された振動子２５の付着物による発振周波数の変化に基づいて検出することにより制御し、異なる成膜工程において多段的にチャンバ１１内へ供給される２以上の物質（Ｇａ，ＩｎとＣｕと）の組成比率を、チャンバ１１内に配設された計測板３３の付着物の膜厚を光の薄膜干渉により検出することにより制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ膜などの多元素膜を真空蒸着する際に、蒸着源のノズル近傍での原料の固化を抑制し、多元素膜の組成を一定に制御する。
【解決手段】内部に真空蒸着材料が収容されるタンク部３０上に、第１の方向に延伸して所定の幅で開口するスリット状の第１開口部Ａを有するノズル部（３１，３２）が配置されており、少なくとも第１開口部を露出させる第２開口部Ｂを有してタンク部及びノズル部の外壁を覆うように断熱部３４が設けられている。ここで、タンク部が第１の温度へ、ノズル部が第１の温度より高い第２の温度へ加熱されたときに真空蒸着材料が気化して第１開口部から噴き出す構成である。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型半導体とｎ型半導体の両方に使用することができ、有機薄膜太陽電池の有機半導体薄膜として使用した場合に光電流値を向上させることができる、単層カーボンナノチューブフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アーク放電により生成した単層カーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱して燃焼酸化した後に酸で処理することによって精製した単層カーボンナノチューブを真空中において１０００℃以上で加熱して高結晶性の単層カーボンナノチューブを得た後、この高結晶性の単層カーボンナノチューブを含む単層カーボンナノチューブフィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳなどの多元素膜を真空蒸着する際に多元素膜の組成を一定に制御する。
【解決手段】光透過性の第１の窓１０ａと第２の窓１０ｂを有する成膜チャンバー１０内における多元素膜の成膜対象の基板１４と多元素膜形成用の複数個の蒸着源（１３ａ〜１３ｄ）の間の空間に、第１の窓から所定の波長域の連続光を入射する光源１６と、第２の窓から開口部と基板の間の空間を通過した連続光を受光して２次元的に分光して、２次元画像信号を得る分光部１７と、２次元画像信号を画像処理して原子吸光スペクトルを得て多元素膜を構成する各元素の原子のレートをモニターする信号処理部１８を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】セレン化水素の濃度が安定したセレン化水素混合ガスを連続的に供給することが可能な太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】ベースガス供給流路Ｌ１から供給される不活性ガスと、原料ガス供給流路Ｌ２から供給される１００％セレン化水素ガスと、を混合して、所定の濃度に調製したセレン化水素混合ガスを供給する太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法であって、ベースガス供給流路Ｌ１に設けられたベースガス貯留槽２から所定の重量の不活性ガスを供給するとともに、原料ガス供給流路Ｌ２に設けられた原料ガス貯留槽４から所定の重量の１００％セレン化水素ガスを供給することにより、所定の濃度のセレン化水素混合ガスを調整することを特徴とする太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法である。 （もっと読む）