【課題】薄膜太陽電池及びそれを製造する製造装置の低コスト化、薄膜太陽電池の品質向上、薄膜太陽電池の発電効率の向上を図る。
【解決手段】基板上に、第１の電極膜を減圧雰囲気下で形成し、その後、大気に曝すことなく、前記第１の電極膜上に、光電変換層を減圧雰囲気下で形成し、その後大気に曝すことなく、前記光電変換層上に、第２の電極膜を減圧雰囲気下で形成して、積層膜を形成する工程と、前記積層膜を分断して、前記基板上に併設された複数の太陽電池セルを形成する工程と、前記複数の太陽電池セルのうちの第１の太陽電池セルの前記第２の電極膜及び前記光電変換層を選択的に除去して、前記第１の電極膜を表出させ、前記第１の太陽電池セルに隣接する第２の太陽電池セルの前記第２の金属膜と、表出させた前記第１の電極膜と、を電気的に接続する製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノスケール粒子がマトリクス中に３次元的に均一に分散した構造を有し、低コスト化が可能である、光電子素子として好適な半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式(Ｐｂ_５０−ｘＺｎ_ｘ)Ｍ_５０（ただし、２６≦ｘ＜５０、Ｍ：Ｓ、ＳｅおよびＴｅの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＰｂＭ相がマトリクス（３）としてのＺｎＭ相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。 （もっと読む）

【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換効率および安定性を向上させた、光電変換装置および光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。また、透明導電膜３の凹凸形状の少なくとも一部を覆い、第１導電型を有するｐ層５と、ｐ層５を覆うｉ層６とを備えている。凹凸形状は、最大高さが５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である凸部を有している。凸部は、表面に、局部山頂の間隔が２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である微小凹部を有している。ｐ層５は、微小凹部の底部上に形成された部分の層厚がこの底部上以外に形成された部分の層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌの陽極酸化による絶縁層の形成に先立ち、陽極酸化するＡｌの表面を酸性洗浄液で洗浄することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩ（Ｇ）Ｓ系光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施する。
【解決手段】基板上に、下部電極層と、光電変換半導体層と、バッファ層と、透光性導電層が順次積層された光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施するものであり、バッファ層を化学浴析出法により成膜し、透光性導電層の成膜工程が、バッファ層上に、導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１種の複数の微粒子を含む下地層を塗布法により形成する工程と、下地層上に、導電性酸化亜鉛薄膜層を化学浴析出法により形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層の析出が不要な部分のバッファ層の析出を抑制し、組成の均一なバッファ層を析出速度を速く製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層を形成する反応液２が７０℃〜９５℃の範囲に２分以内に昇温させたものであって、反応液２を基板４０に接触させることなく、光電変換半導体層１０の表面に接触させ、反応液２を循環させながらバッファ層の析出を行う。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体系光電変換素子の製造方法において、ＣＢＤ法によるバッファ層成膜時のタイムロスを抑制して、低コストに光電変換素子を製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１の製造方法において、光電変換半導体層３０上に、所定の温度Ｔ_Ｌ（℃）の反応液Ｌを用いて化学浴析出法によりバッファ層４０を形成する工程と、化学浴析出法において、反応液Ｌに浸漬させる基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂ（℃）と反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌ（℃）との差が、所定値ｔ（℃）以下となるように基板（１０，Ｂ）の温度Ｔ_Ｂを調整する工程とを有する。化学浴析出法の反応液Ｌの温度Ｔ_Ｌは７０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の主面にムラなくテクスチャを形成することにより、半導体基板の歩留まりを向上できる太陽電池の製造方法、及びその太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチングによって、主面１２と側面１７とを有する板状の半導体基板１０にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程Ｓ１２と、テクスチャが形成された半導体基板１０に半導体層及び電極を形成する工程Ｓ２とを備え、工程Ｓ１２は、エッチングの際に、バブリングを行う太陽電池の製造方法であって、工程Ｓ１２では、主面１２に対して垂直な軸を回転軸として半導体基板１０を回転させながらエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 大きい電力を得ることができる太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型を示す半導体基板２と、半導体基板２の一主面Ａ側に形成された第１の電極４と、半導体基板２の一主面Ａから他主面Ｂにかけて形成された貫通孔７と、貫通孔７内に形成された第２の電極８と、第２の電極８の他端が接続されて第１の電極４と接続されている第３の電極11と、半導体基板２の他主面Ｂ上に第３の電極11とは絶縁されて形成された、第３の電極11とは極性が異なる第４の電極12とを有しており、貫通孔７は、複数個が半導体基板２の外周の一部に沿って配置されており、第４の電極12は、第３の電極11の近傍から貫通孔７が形成されている半導体基板２の一部と反対側の外周の近傍まで延在している太陽電池素子１である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、印刷プロセスによって容易に製膜されるナノインクの積層膜から形成されるｐ型半導体層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ナノインク前駆体と樹脂とＣ３〜Ｃ１８の液体状有機化合物とからなるナノインクにより製膜される膜と、Ｃｕ又はＺｎの水酸化物と液体状有機化合物からなるナノインクにより製膜される膜との積層により製膜されるナノインク積層膜の還元により、緻密であって、結晶性の高いｐ型化合物半導体層が容易に製造される。 （もっと読む）

【課題】 製品のロットごとのバラツキが少なく、太陽電池の面積が大きくなっても高い変換効率を達成する有機薄膜太陽電池を製造する。
【解決手段】 インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーまたはアクセプターの層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝にもう片方のドナーまたはアクセプターの層を充填して有機薄膜太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜太陽電池のドナーとアクセプターの混合物の膜の厚みを厚くすることによって変換効率を向上させ、また、より多く光発生電荷を発生させるようにする。
【解決手段】 インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝に電極を形成して有機薄膜太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の光学特性と電気的特性を向上させる為の下地構造付透明電極基板の透明下地構造形成のための金型を提供することにある。
【解決手段】光電変換素子に用いる下地構造付透明絶縁基板の下地構造の製造に用いる、金型基板の表面に印刷用テクスチャ構造を有する金型の製造方法であって、前記金型基板の表面に初期テクスチャ構造を形成する工程の後に、初期テクスチャ構造上にＣＶＤ製膜を行う工程を含むことを特徴とする金型の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＢＤ溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を、酸化雰囲気下において２００℃超３５０℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、有機樹脂成分を含有する基材又は膜上に塗布型バリア層を形成する際の塗布性及び密着性を改良し、安定にバラツキなく、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを製造する方法及びガスバリアフィルムを提供し、かつ、該ガスバリアフィルムを有する有機光電変換素子を提供することである。
【解決手段】有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面にケイ素化合物を含有する液を塗布することで、少なくとも１層のガスバリア層を形成するガスバリアフィルムの製造方法において、該ケイ素化合物含有液を塗布する前に、該有機樹脂成分を含有する基材又は膜の表面に対して塗れ性向上処理を行う工程を有し、該塗れ性向上処理を行う前、該塗れ性向上処理と同時、あるいは該塗れ性向上処理を行った後に加熱することを特徴とする、ガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させた球状の光電変換素子、およびこの素子を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、球状の第１半導体１１およびその表面を被覆する第２半導体層１２を具備し、第２半導体層１２が第１半導体１１を露出させる窓部１４を有し、第１半導体１１が前記窓部に露出する部分に開口する穴１６を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第１半導体または第２半導体層と電気的に接続された支持体２１、前記素子の第２半導体層または第１半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 （もっと読む）

【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程Ｓ１と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下とされ、その高さが１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされたブロック素体を切り出す切断工程Ｓ２と、このブロック素体に、温度；５００℃以上６００℃以下、保持時間；１５分以上６０分以下、冷却速度；１０℃／ｍｉｎ以上６０℃／ｍｉｎ以下、の熱処理を行う熱処理工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）