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Fターム[5F051DA01]の内容

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Fターム[5F051DA01]に分類される特許

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【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】シリコン基板4の受光面に、シリコン基板4の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層6と反射防止膜7とを形成する工程と、シリコン基板4の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜8を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率を向上させた球状の光電変換素子、およびこの素子を用いた光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、球状の第1半導体11およびその表面を被覆する第2半導体層12を具備し、第2半導体層12が第1半導体11を露出させる窓部14を有し、第1半導体11が前記窓部に露出する部分に開口する穴16を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第1半導体または第2半導体層と電気的に接続された支持体21、前記素子の第2半導体層または第1半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数個の単位セルが平面的に配列され直列に接続された有機薄膜太陽電池モジュールであって、単純な構成であり、簡素な工程で製造することが可能な有機薄膜太陽電池モジュールを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、複数個の単位セルが平面的に配列され直列に接続されており、上記単位セルは、透明基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された第2電極層とを有し、上記一の単位セルの上記光電変換層と上記他の単位セルの上記光電変換層とが連続膜として形成されており、上記一の単位セルの上記第1電極層と上記他の単位セルの上記第1電極層との間隔、および、上記一の単位セルの上記第2電極層と上記他の単位セルの上記第2電極層との間隔がいずれも、上記光電変換層の厚みよりも大きいことを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュールを提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数個の単位セルが平面的に配列され直列に接続された有機薄膜太陽電池モジュールであって、単純な構成であり、簡素な工程で製造することが可能な有機薄膜太陽電池モジュールを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、複数個の単位セルが平面的に配列され直列に接続されており、上記単位セルは、透明基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された第2電極層とを有し、上記一の単位セルの上記光電変換層と上記他の単位セルの上記光電変換層とが連続膜として形成されており、上記透明基板上に、上記一の単位セルの上記第1電極層と上記他の単位セルの上記第1電極層との間に位置するように、上記光電変換層への光照射を遮る遮光部が形成されていることを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュールを提供する。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体太陽電池において、化合物半導体層とバッファー層界面において接合の不整合性に起因してキャリアの再結合が起こるために、太陽電池特性の低下が起こる可能性がある。
【解決手段】基板上に電極層、I−III−VI2型化合物半導体からなる化合物半導体層A、I−III−VI2型化合物半導体からなる化合物半導体層B、格子定数が0.490〜0.550nmを有するバッファー層、透明電極層がこの順に形成されている化合物半導体太陽電池であって、当該化合物半導体層Bが当該バッファー層に隣接しており、かつ当該化合物半導体層Bの格子定数が0.500〜0.560nmを有し、さらに当該化合物半導体層Aと異なる組成からなることを特徴とする化合物半導体太陽電池とすることで、化合物半導体とバッファー層界面でのキャリアの再結合を抑制することができ、特に開放電圧を向上することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】低コストの太陽電池の製造を可能とする化合物半導体薄膜作製用インク、その製造方法、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】Se原子を含む化合物粒子、及びSe粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インク。このインクを塗布又は印刷し、熱処理することにより化合物半導体薄膜を形成することが出来、この化合物半導体薄膜を光吸収層として具備する太陽電池が構成される。 (もっと読む)


【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上(1)に背面電極層(2)を形成するステップと、背面電極層(2)上に光電変換層(3)を形成するステップと、光電変換層(3)の上面に複数の開口(5)を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口(5)下の光電変換層(3)に縦長の第1の孔部(5a)を形成するステップと、第1の孔部(5a)の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第1の孔部(5a)下方に、最大幅が第1の孔部(5a)の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第2の孔部(5b)を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層(3)上に透明導電被膜(4)を形成するとともに第1、第2の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 (もっと読む)


【課題】 この発明は、受光面にフローティング電位を無くし、特性の安定した太陽電池を提供する。
【解決手段】 この発明の裏面接合型太陽電池は、n型の単結晶シリコン基板1の非受光面側に形成された線状のn型領域3とp型領域4、n型領域3と接続されるn電極6と、p型領域4と接続されるp電極7と、基板1の受光面側に形成されたパッシベーション膜8と、パッシベーション膜8上に形成された透明導電膜9とを備え、透明導電膜9は基板1側面にまで延びて形成され、n電極6と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】光電変換層での変換効率の向上を図れる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1の一表面側に形成された第1の電極2と、第1の電極2における基板1側とは反対側で第1の電極2に対向する第2の電極4と、第1の電極2と第2の電極4との間に設けられた光電変換層3と、基板1の上記一表面側で第1の電極2、光電変換層3、第2の電極4の露出表面を覆う形で形成された表面保護層7とを備える。光電変換層3は、第1の電極2における当該光電変換層3側に設けられた多数の有機ナノ構造体5と、有機ナノ構造体5とは異なる有機半導体材料により形成され各有機ナノ構造体5が埋設された機能層6とで構成されている。 (もっと読む)


【課題】安価で容易に製造可能でありながら、広い波長領域の光から光電変換可能であり、発電効率を高めることが可能とした光発電素子を提供する。
【解決手段】 光発電素子は、p型シリコンからなる基板2と、基板2の受光面2aの表面にスリット状に配置された実質的に垂直な複数の溝3と、該溝3が形成されていない非溝形成部4と、受光面の反対面に形成された金属膜5を有する。
前記溝の内側面3aに形成されたpn接合層が、受光面2aに対して垂直、すなわち、光入射方向に対し平行となるため、内側面3aに形成されたpn接合層近傍に浸透した光が効率的に吸収される。また、基板内部への浸透性が小さい短波長の光は、前記受光面の表面4aおよび溝の底面3bにおいても吸収される。このように、波長の短い光は受光面の表面近傍で吸収され、長波長は溝の垂直面で吸収されるため、広い波長域の光を吸収することができる。 (もっと読む)


【課題】伝播光と非伝播光を利用することで、高い光電変換効率を有する太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、光電変換層と、光入射面側電極層と、対向電極層と、を具備し、前記光入射面側電極層が前記層を貫通する複数の開口部を有し、かつ、その層厚が10nm以上200nm以下の範囲にあり、前記開口部の1つあたりの面積が80nm以上0.8μm以下の範囲にあり、前記光入射面側電極の開口率が10%以上66%以下の範囲にあり、前記光電変換層の、前記開口部の直下部分に凹部が形成されていることを特徴とする。この太陽電池は、特定の構造を有する光入射面側電極を作製した後に、さらにエッチングなどにより光電変換層を加工することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】エネルギー変換素子用の電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体材料および電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる電極構造体および太陽電池を提供する。
【解決手段】 基材2と、基材2上に設けられた、微細な凹凸構造を有する凹凸基層3と、凹凸基層3上に設けられた頂部電極層4と、頂部電極層4上に設けられた光電変換活性層5と、光電変換活性層5上に設けられた負極電極層6とを備えたエネルギー変換素子用の電極構造体1Aであって、凹凸基層3は、硬化前の貯蔵弾性率が1×10〜1×10Paである硬化型樹脂組成物からなる電極構造体材料を硬化してなるものである。 (もっと読む)


【課題】構成を複雑化することなく、発電効率を向上することができる車両上部構造を提供すること。
【解決手段】車両上部構造10は、車両のフロントウインド2の上部6に設置される太陽電池セル12を備える。該太陽電池セル12は、車室外側及び車室内側の両側からの光を受光して電気エネルギーに変換する。 (もっと読む)


【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉41の予備加熱部43で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部44において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部45にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】成膜された発電層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】共通の基板10上に形成された複数のセルを有する集積型光発電素子Iであって、セルは、基板10と基板10上に分割形成された裏面電極層11と化合物半導体を用い隣接する他のセルと分割溝16によって分割された発電層12と透明電極層14と、を少なくとも備え、発電層12に含まれる元素の少なくとも一部を含み且つ裏面電極層11と透明電極層14とを電気的に短絡する短絡層15を有する集積型光発電素子I(もっと読む)


【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却固化する半導体粒子の製造方法を改良し、質量と寸法形状のバラツキが小さい球状の半導体粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体粉末を含む所定質量の小固形体を造粒操作により作製し、これを加熱して、小固形体内の半導体粉末群を溶融させて一体化することにより、球状溶融体を形成し、これを冷却固化する。上記小固形体は半導体粉末相互間をバインダーで結合させたものが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 半導体粒子の表面に存在するレジストの残渣を低減することにより、信頼性の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第1の半導体部2aおよび該第1の半導体部2aの外周面に形成された第2の半導体部2bを有する球状の半導体粒子2と、上面が半導体粒子2の下部と接合された導電性基板1と、を備えた光電変換装置の製造方法であって、半導体粒子2の下部と導電性基板1の上面とを接合する接合工程と、半導体粒子2の上部の一部に、第2の半導体部2bを覆うレジスト6’を形成するレジスト工程と、レジストレジスト6’の非形成部における第2の半導体部2bを除去する除去工程と、を有し、レジスト6’の厚みは、半導体粒子2の上部側に比べ、半導体粒子2の下部側が小さい。 (もっと読む)


【課題】ハイブリッドヘテロ接合構造を有する太陽電池、並びに関連するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】複数の有機材料102、104(少なくとも1つのドナー材料と少なくとも1つのアクセプタ材料とを含む)と、複数の非有機材料とを含む。有機材料及び非有機材料は、全体として複数のハイブリッドヘテロ接合構造を形成する。非有機材料のうちの第1の非有機材料がナノワイヤ及び/又はナノチューブ114a、116aを含むことができ、非有機材料のうちの第2の非有機材料がナノ粒子及び/又は量子ドット114b、116bを含むことができる。ナノ粒子又は量子ドットの少なくとも一部が異なるサイズを有することができ、異なる吸収帯ギャップに関連付けられる。有機材料の少なくとも1つにおいて光生成された励起子は、正孔と電子とに解離することができ、非有機材料の少なくとも1つにおいて光生成された電子及び正孔は分離することができる。 (もっと読む)


【課題】陽極腐食により光を吸収する面積を極大化して、集光領域を広げることができ、マイクロサイズの半球状の透明電極を用いて、光の乱反射を防止し、光の吸収度を高めることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、一面に複数のホールが形成された基板と、ホール内壁及び基板の一面に形成された金属層と、金属層にコーティングされたp型半導体と、ホールの内部及び基板の一面に形成されたn型半導体と、n型半導体上に形成された透明電極と、p型半導体及び透明電極に形成された電極端子と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたp型とn型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 (もっと読む)


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