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Fターム[5F051DA04]の内容

光起電力装置 (50,037) | 素子構造 (3,383) | 接合形態 (2,084) | pin (847)

Fターム[5F051DA04]に分類される特許

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【課題】複数の光電変換素子を接続するための新規な構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】第1光電変換素子101は、第1下部電極111、第1光電変換層121、及び第1上部電極131を備えている。第2光電変換素子102は、第2下部電極112、第2光電変換層122、及び第2上部電極132を備えている。第1光電変換素子101及び第2光電変換素子102は、第1の方向に沿って互いに並んで配置されている。第2下部電極112は、第1の方向と平行な側面から第2光電変換層122の外に延伸する第1延伸部112aを備えている。また第1光電変換素子101の側面のうち第1延伸部112aの延伸方向に向いている側面には、第1絶縁層201が形成されている。第1接続部301は、第1絶縁層201上を介して、第1上部電極131と第1延伸部112aとを接続している。 (もっと読む)


【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第2の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第1の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 (もっと読む)


【課題】均一な膜厚、膜質の膜を形成できるプラズマ処理装置、及び均一な膜厚、膜質を有する光起電力素子を提供する。
【解決手段】基板を保持することが可能な第1電極3と、第1電極と対向するように設置され、第1電極と対向する部分に複数のガス供給口4aが形成されるとともに高周波電力が印加される第2電極4とを備え、第2電極は、複数のガス供給口が同心円に沿って設けられると共に、隣接する同心円間の距離が内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置1を用いて、透明導電膜上に非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第1電極と、第1電極と対向するように設置され、第1電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第2電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、1つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 (もっと読む)


【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室100内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極120に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマCVD法を用いて基板200に光電変換層230を形成する工程を備える。光電変換層230における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が30%以上80%以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層230を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内100における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 (もっと読む)


【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換効率および安定性を向上させた、光電変換装置および光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板2と、ガラス基板2の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜3とを備えている。また、透明導電膜3の凹凸形状の少なくとも一部を覆い、第1導電型を有するp層5と、p層5を覆うi層6とを備えている。凹凸形状は、最大高さが50nm以上1200nm以下である凸部を有している。凸部は、表面に、局部山頂の間隔が2nm以上25nm以下である微小凹部を有している。p層5は、微小凹部の底部上に形成された部分の層厚がこの底部上以外に形成された部分の層厚より大きい。 (もっと読む)


【課題】電解液から発生させた気体の反応面における滞留を抑制することができ、気体生成効率の高い気体製造装置を提供する。
【解決手段】受光面および裏面を有する光電変換部2と、前記裏面と電気的に接続しかつ前記光電変換部2が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第1気体を発生させる第1気体発生部8と、前記受光面と電気的に接続しかつ前記光電変換部2が受光することにより生じる起電力を用いて電解液から第2気体を発生させる第2気体発生部7と、気体流路17と、気体排出口とを備え、前記気体流路17は、第1気体発生部8および第2気体発生部7のうち少なくとも一方と前記光電変換部2の裏面との間に設けられ、前記気体流路17は、第1気体または第2気体を前記気体排出口へと導通させることを特徴とする気体製造装置。 (もっと読む)


【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、p型単結晶シリコン層100と、n型半導体層120と、p型単結晶シリコン層100とn型半導体層120との間に形成された、孔111に複数の量子ドット112を含有する多孔質シリコン層110と、を備える構成としている。 (もっと読む)


【課題】発電効率を向上させつつ、発生した光生成キャリアをより多く取り出すことができる太陽電池を提供する。
【解決手段】受光面電極層2と、受光面電極層2上に積層された第1光電変換部31と、第1光電変換部31上に積層されたSiOからなる反射層32と、反射層32上に積層された第2光電変換部33と、第2光電変換部33上に積層された裏面電極層4と、を有し、反射層32の酸素濃度は、第1光電変換部31側よりも前記第2光電変換部33側の方が高くなっている。 (もっと読む)


【課題】絶縁分離領域において必要な絶縁耐電圧を安定して確保できる薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明電極層、光電変換層および裏面電極層が順次積層された透明絶縁基板にレーザ光を2回以上照射することにより、透明絶縁基板の周縁に位置する、透明電極層の一部、光電変換層の一部および裏面電極層の一部をそれぞれ除去して絶縁分離領域を形成する工程を含む、光電変換装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを低下させることなく、開放電圧を向上させる。
【解決手段】p型ドーパントを含むp型層40、発電層となる微結晶シリコン層を含むi型層42及びn型ドーパントを含むn型層44の積層構造を備え、i型層42は、p型層40とn型層44との間に設けられ、50nm以上300nm以下の膜厚を有する微結晶炭化シリコン層42aを備える構造とする。 (もっと読む)


【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、第1導電型基板(p型単結晶シリコン基板100)、第1の中間層(i型半導体層110または絶縁層160)、及び第2導電型半導体層(n型半導体層120)を備える。そして、第1の中間層(i型半導体層110または絶縁層160)は少なくともコアを備えた量子ドット(ナノ粒子)を含んでいる。第1導電型基板は単結晶シリコンなどの結晶半導体によって形成される。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池等のデバイスの製造に用いる帯状基板の変形を防止する。
【解決手段】 帯状の可撓性基板をその基板の材質のガラス転移点以上の温度に到達させながら、可撓性基板の長手方向の第1の縦張力と幅方向の第1の横張力とを同時に印加する変形処理工程S102を含む薄膜太陽電池の製造方法。その後に、第1の温度を超えない第2の温度に到達させながら張力を印加する、加熱および張力印加を伴う処理工程S114等が行われる。可撓性基板の製造方法や、可撓性基板の処理装置としても実現される。第1の横張力の少なくとも一部は、可撓性基板を両面から挾むようになっているローラー対の幅方向端部の両方に少なくとも一対ずつの組になるように有している張力印加手段によって印加されると好ましい。 (もっと読む)


【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、p型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とp型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をZn:O=1+N:1(ただし、N>0)としたことを特徴とする、光電変換装置。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸構造を有するスタンパー1の表面上に、導電体層2を剥離可能に形成し、スタンパー1上の導電体層2と、硬化性材料4とを接触させ、その状態で硬化性材料4を硬化させて、微細な凹凸構造を有する凹凸基層5を形成するとともに、凹凸基層5と導電体層2とを接着し、スタンパー1と、凹凸基層5に接着された導電体層2とを分離し、もって凹凸基層5上に導電体層2を転写して形成し、このようにして、微細な凹凸構造を有する電極構造体10を製造する。 (もっと読む)


【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をPCVD装置を用いて形成する条件として、(1)プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離dが5mm〜7mm(2)形成基板の温度が200℃(3)製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が1体積%(4)製膜室内の圧力pが1000Pa〜1500Pa(5)プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が60MHzであり、且つ電力密度が0.28W/cm(6)製膜室内の圧力pと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離dと、の積pdが7000Pa・mm≦pd<8000Pa・mmの条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】溶解度が良好なポルフィリン化合物を提供する。
【解決手段】式(I)で表されるビシクロポルフィリン化合物の複数の異性体混合物で、異性体混合物の25℃におけるトルエンに対する溶解度が5重量%以上。
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【課題】低エネルギー消費で硫黄ドープシリコン膜を製造する。
【解決手段】光重合性のケイ素化合物と環状硫黄を混合した混合物を用意する工程と、混合物に光照射処理を行ってケイ素化合物をラジカル化するとともに第1の加熱処理を行って環状硫黄をラジカル化し、ラジカル化したケイ素化合物を、ラジカル化した硫黄と結合させる工程と、を行って硫黄変成ケイ素化合物を製造する。混合物の環状硫黄とケイ素化合物の混合比は、混合物に含まれる硫黄原子の数がケイ素原子の数に対して1/100000以上1/3以下となる混合比にする。硫黄変性ケイ素化合物を含んだ溶液を不活性雰囲気で基板上に塗布した後に第2の加熱処理を行って、硫黄変性ケイ素化合物を分解するとともに硫黄変性ケイ素化合物に含まれるケイ素原子を他のケイ素原子または硫黄原子と結合させて硫黄ドープシリコン膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第1導電型の半導体ウェハの第1の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第2導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第1の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第1の主面および第1の主面に対向する第2の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及び電子供与性を有するp型共役高分子半導体材料と電子受容性を有するn型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であってナフタロシアニン構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 (もっと読む)


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