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Fターム[5F051DA06]の内容

光起電力装置 (50,037) | 素子構造 (3,383) | 接合形態 (2,084) | ショットキー (49) | ショットキー金属 (11)

Fターム[5F051DA06]に分類される特許

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【課題】エネルギーの変換効率の向上を図り得る太陽電池を提供する。
【解決手段】金属電極2と、この金属電極2の上面に配置されたp型半導体基板3と、この半導体基板3の上面に垂直に複数並置されたカーボンナノチューブ4と、これら各カーボンナノチューブ4の金属電極2とは反対側に配置された透明電極5とを具備し、各カーボンナノチューブ4を金属として形成すると共に、これら各カーボンナノチューブ4にリン(P)をドーピングし、さらにこれらカーボンナノチューブ4の直径を一方側から他方側に向かって段階的に変化させると共に、これらのカーボンナノチューブ4に磁石体22により磁力を付与するように構成した太陽電池21である。 (もっと読む)


【課題】 材料の種類を少なくすることにより、半導体界面の数を少なくするとともに、製造工程の減少を図りながら、光電変換効率の向上を図ることができる太陽電池を提供する。
【解決手段】 表面負電極7と吸収層5との間には、障壁層6が設けられており、障壁層6にはエネルギー選択性コンタクトが設けられている。エネルギー選択性コンタクトは、量子井戸によって形成されている。また、表面負電極7を障壁層6とはショットキー接合されている。 (もっと読む)


【課題】ショットキー型太陽電池の電極に微細な開口を有することにより変換効率を向上させる。
【解決手段】本発明のショットキー型太陽電池は、受光面の金属電極を、サブミクロンの開口を有するナノメッシュ金属電極にすることを特徴とする。ナノメッシュ金属にすることで開口部に発生する強い局在電場により、ナノメッシュ金属電極と半導体界面近傍に通常よりも多くのキャリアが励起され、変換効率を向上することが可能となることを特徴とする太陽電池である。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、従来は理想でしかなかった量子ドット導入層の多層化活性層を実現しすることを目的とする。
【解決手段】
本発明は、量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、前記活性層の格子歪みがないことを特徴とし、前記の光素子において、前記量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が0.5%以下である材料よりなることを特徴とする。
本発明は、前記の光素子において、前記量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とし、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池であって、前記活性層が、本発明のいずれかに記載の活性層であることを特徴とする。
本発明は、前記の太陽電池において、前記活性層を構成する量子ドットがGaAsからなり、その母体がAlGa1−xAs(0<x≦1)からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池を安価で製造可能な構造と、その製造方法とを提供すること。
【解決手段】異なる仕事関数値を有する導電膜を形成した2枚の基板間に絶縁体隔壁を設けることで基板間の導通を防止でき、信頼性の高い太陽電池とすることができる。また、絶縁体隔壁に包囲された領域内に液状シリコン組成物を充填し、これを熱処理してシリコン層とすることで、信頼性の高い太陽電池を安価で提供可能となる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】pn接合を設けなくとも、CoSiからなる光電変換膜3の正極4の近傍付近に光Lを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなpn接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該pn接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。 (もっと読む)


有機光起電力セルは、アノードとカソードと、そのアノード及びカソードの間の複数の有機半導体層を含む。アノードとカソードの少なくとも1つが透明である。その複数の有機半導体層の各々の2つの隣接する層は直接接触している。その複数の有機半導体層は、光伝導性物質のみから本質的になる中間層と、少なくとも3層の2つの組を含む。少なくとも3層の第一の組は中間層とアノードとの間にある。第一の組の各層は異なる有機半導体物質のみから本質的になり、その有機半導体物質はカソードにより近い複数の有機半導体層のうちの隣接層の物質よりも高いLUMO及び高いHOMOを有する。少なくとも3層の第二の組は中間層とカソードとの間にある。第二の組の各層は異なる有機半導体物質のみから本質的になり、その有機半導体物質はアノードにより近い複数の有機半導体層のうちの隣接層の物質よりも低いLUMO及び低いHOMOを有する。
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ドナー性材料およびアクセプター性材料のドナー-アクセプターヘテロ接合を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイス、およびこうしたデバイスの作製方法を提供する。このドナー性材料およびアクセプター性材料の少なくとも1つは、サブフタロシアニン、サブポルフィリン、および/またはサブポルフィラジン化合物を含み;ならびに/あるいは、このデバイスは任意選択でブロッキング層または電荷輸送層の少なくとも1つを有していてもよく、このブロッキング層および/または電荷輸送層は、サブフタロシアニン、サブポルフィリン、および/またはサブポルフィラジン化合物を含む。
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【課題】有機感光性のオプトエレクトロニクスデバイスを形成するための方法を開示し、ここで、有機光伝導性材料はデバイスの電極によってカプセル化される。
【解決手段】有機感光性オプトエレクトロニクスデバイスは、その電極によってカプセル化される(封入される)有機光伝導性材料内に形成される。透明基板上に堆積される第1導電性材料を含む第1透明膜が提供される。第1導電性材料上に第1光導電性有機材料が配置される。金属が第1光導電性有機材料上を1nm/秒以下の初速度で堆積され、第1光導電性有機材料のいかなる露出部分および露出された該第1光導電性有機材料とのいかなる界面部分を厚み10nm以上で完全に被覆する。10nm以上の厚みが得られた後、第1光導電性有機材料の露出されていた部分および露出されていた該第1光導電性有機材料との界面部分を完全に覆う金属の累積厚みが少なくとも250nmになるまで、少なくとも初速度の3倍に増加された速度でスパッタする。 (もっと読む)


アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間の有機阻止層を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイスであって、前記阻止層はフェナントロリン誘導体を含有し、励起子、電子及び正孔のうち少なくとも一つを、少なくとも部分的に阻止する。
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【課題】電極の配置を工夫することで、光電変換層の光吸収効率の向上と光電変換層における導体損失の低減、および、透明導電層の吸収と反射に起因する光エネルギーの損失低減を、製造コストを上げることなく、同時に実現する。
【解決手段】第1基体11と、第1基体11上に形成された第1電極12と、第1基体11に略平行な仮想面上で、間隔を置いて第1電極12と隣接するように配置された第2電極13と、少なくとも第1電極12と第2電極13との間に配置された光電変換層14と、第1電極12と第2電極13と光電変換層14とを間に挟んで、第1基体11と対向するように配置された第2基体15(透明保護膜)とを備えたものである。 (もっと読む)


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