【課題】良好な太陽電池特性を有する光起電力装置を得ること。
【解決手段】不純物拡散層３を有する第１導電型の半導体基板１と、不純物拡散層３上に形成された反射防止膜４と、不純物拡散層３に電気的に接続する第１電極５と、半導体基板１の他面側に達する複数の開口部８ａを有して半導体基板１の他面側に形成された裏面絶縁膜８と、半導体基板１の他面側に電気的に接続する複数の第２電極９と、少なくとも裏面絶縁膜８上を覆って形成された裏面反射膜１０とを備え、開口部８ａは、半導体基板１の裏面の面内方向において略長方形状を呈するとともに該開口部８ａの短手方向において複数本が略平行な列に配列され、第２電極９は、開口部８ａと略等しい形状を呈して該第２電極９の短手方向において複数本が略平行な列に配列され、短手方向における電極間ピッチが１．５〜３．０ｍｍの範囲であり、第２電極９の短手方向における幅が２０〜２００μｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換素子を接続するための新規な構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１光電変換素子１０１は、第１下部電極１１１、第１光電変換層１２１、及び第１上部電極１３１を備えている。第２光電変換素子１０２は、第２下部電極１１２、第２光電変換層１２２、及び第２上部電極１３２を備えている。第１光電変換素子１０１及び第２光電変換素子１０２は、第１の方向に沿って互いに並んで配置されている。第２下部電極１１２は、第１の方向と平行な側面から第２光電変換層１２２の外に延伸する第１延伸部１１２ａを備えている。また第１光電変換素子１０１の側面のうち第１延伸部１１２ａの延伸方向に向いている側面には、第１絶縁層２０１が形成されている。第１接続部３０１は、第１絶縁層２０１上を介して、第１上部電極１３１と第１延伸部１１２ａとを接続している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板側と発電電力を取り出すための電極との接合およびキャリアの取り出しの改善を図ることにより、信頼性が高く光電変換効率の優れた太陽電池素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層と逆導電型の半導体層とを有する半導体基板２を備え、半導体基板２の少なくとも一方主面が逆導電型の半導体層であり、前記半導体基板の一方主面に対向する他方主面および前記逆導電型の半導体層のそれぞれの上に、発電電力を取り出すための電極３〜６が形成された太陽電池素子１であって、前記逆導電型の半導体層の上に形成された電極３および電極４が少なくとも銀と銅を含有している。 （もっと読む）

【課題】意匠性および光電変換効率に優れるとともに量産に適した安価な太陽電池を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体基板の表面にリンが拡散されたｎ型のリン拡散層とリン拡散層上に設けられた窒化膜とを備えた太陽電池の製造方法であって、半導体基板の表面にリンを拡散させてリン拡散層を形成する第１工程と、第１工程においてリン拡散層上を含む半導体基板の表面に形成されたリンガラス層を除去する第２工程と、リンガラス層が除去されたリン拡散層上に窒化膜を形成する第３工程と、を含み、第１工程後であって第２工程前の状態のリンガラス層の表面に対する、質量分析法によるマススペクトルが質量電荷比（質量数／電荷）８８において一番大きいピークを有する有機物質の吸着を判定し、有機物質の吸着があったと判定された場合にのみ、第２工程後であって第３工程の前にリン拡散層の表面に対してアンモニアガスを用いたプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】バックシートによる封止の際に集電配線の折り返しを生じさせることなく、集電配線の断線等を抑制する。
【解決手段】基板上に光電変換ユニットが形成された光電変換モジュールと、光電変換ユニットで発電された電流を外部に取り出すために光電変換ユニット上に互いに平行に延設された集電配線３０ａ，３０ｂと、集電配線３０ａ，３０ｂが設けられた光電変換ユニットの裏面を覆って光電変換ユニットに圧着されたバックシート１８と、を備え、集電配線３０ａ，３０ｂは各々の端部３０ｃ，３０ｄが絶縁フィルム３０ｅ，３０ｆによって覆われ、端部３０ｃ，３０ｄが絶縁フィルム３０ｅ，３０ｆと共にバックシート１８に設けられた配線引き出し口１８ａ，１８ｂから引き出されており、配線引き出し口１８ａ，１８ｂから引き出された絶縁フィルム３０ｅ，３０ｆの長さの和が集電配線３０ａ，３０ｂに対する配線引き出し口１８ａ，１８ｂの間隔以下とする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、ワイヤ痕が表面に形成されている基板においても、集電極に断線等が発生することなく形成できる太陽電池装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 この発明の太陽電池１０は、シリコン基板２０ｄを含み、基板１０ｄの表面にフィンガー電極３０とバスバー電極４０を有する集電極が設けられた太陽電池であって、フィンガー電極３０は、基板２０ｄに有するワイヤ痕１０ｂに平行に位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 バス配線と交差するフィンガー配線を形成する際に、そのパターンを厚膜（高アスペクト比）に形成することができるとともに、その交差部における表面が凸凹になることを抑制することができる。
【解決手段】 ステップＳ３０により形成されたフィンガー配線パターン７３の高さ寸法を測定（ステップＳ５０）し、この測定結果に基づいてステージ２１の高さ位置の調整を行って基板９に対する第２ノズル５７の高さ位置を調整する（ステップＳ６０）。その後、第２ノズル５７によってバス配線パターン７１を形成する（ステップＳ７０）。 （もっと読む）

【課題】 大きい電力を得ることができる太陽電池素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型を示す半導体基板２と、半導体基板２の一主面Ａ側に形成された第１の電極４と、半導体基板２の一主面Ａから他主面Ｂにかけて形成された貫通孔７と、貫通孔７内に形成された第２の電極８と、第２の電極８の他端が接続されて第１の電極４と接続されている第３の電極11と、半導体基板２の他主面Ｂ上に第３の電極11とは絶縁されて形成された、第３の電極11とは極性が異なる第４の電極12とを有しており、貫通孔７は、複数個が半導体基板２の外周の一部に沿って配置されており、第４の電極12は、第３の電極11の近傍から貫通孔７が形成されている半導体基板２の一部と反対側の外周の近傍まで延在している太陽電池素子１である。 （もっと読む）

【課題】組成の均一なバッファ層を製造する。
【解決手段】基板上に下部電極と光吸収により電流を発生する光電変換半導体層とバッファ層と透光性導電層との積層構造を有する光電変換素子におけるバッファ層の製造方法において、バッファ層がＣＢＤ法により形成され、このＣＢＤ法によるバッファ層の析出が進行している間のバッファ層を形成する反応液のｐＨ変動が０．５以内に調整され、反応液がＣｄまたはＺｎの金属と硫黄源を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの特性および生産性を向上することができる太陽電池セル、インターコネクタ付き太陽電池セルおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐｎ接合部を形成するようにｐ型半導体層とｎ型半導体層とが積層されてなる半導体基板と、この半導体基板の受光面に形成された表面電極部と、半導体基板の受光面とは反対側の裏面に形成された裏面電極部と、半導体基板の受光面または裏面の外周縁に沿って形成された前記ｐｎ接合部の一部を分離するための接合分離溝と、前記接合分離溝の開口部の一部を塞ぐ絶縁材料からなる閉塞部とを備えることを特徴とする太陽電池セル。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ストリングを構成する太陽電池素子間の間隔を一定にすることができ、高い精度で位置合わせが可能な、美観に優れ所望の特性を維持した信頼性の高い太陽電池モジュールを安定して供給することが可能な太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、樹脂からなる第１充填材と、複数の太陽電池素子を配線材により接続してなる１以上の太陽電池ストリングと、をこの順で積層した太陽電池モジュールの製造方法であって、前記第１充填材に前記太陽電池素子ストリングを配置する工程と、前記第１充填材を前記第１充填材の融点以上でかつ架橋点未満または熱硬化点未満の温度に加熱する工程と、前記第１充填材に前記太陽電池ストリングを配置した積層体を前記第１充填材の融点未満の温度に冷却する工程と、前記積層体を前記基板の表面に沿って変形させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定的に、出力特性の高い太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体基板１と、該半導体基板１上に形成された電極とを備える太陽電池の製造方法であって、半導体基板１の表面および裏面のうちの少なくとも一方の面上に導電性ペーストを塗布する工程と、半導体基板１上の導電性ペーストを加熱室内で焼成して電極を形成する工程と、を有し、電極を形成する工程での焼成炉２００内に供給されるガスの供給量（Ｖ１）と加熱室内から排出されるガスの排出量（Ｖ２）の比率（Ｖ１／Ｖ２）が１以上２．５以下である太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の抑制によって出力電力を向上させた光電変換装置ならびに該光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換装置が、下部電極層と、該下部電極層上に設けられた第１半導体層と、該第１半導体層上に設けられた、第１半導体層とは異なる導電型の第２半導体層と、該第２半導体層上に設けられた、酸化インジウム系の素材を含む上部電極層と、第２半導体層と上部電極層との間に設けられた、酸化インジウム系の素材を含み且つ上部電極層よりも電気抵抗率が高い中間導電層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の光学特性と電気的特性を向上させる為の下地構造付透明電極基板の透明下地構造形成のための金型を提供することにある。
【解決手段】光電変換素子に用いる下地構造付透明絶縁基板の下地構造の製造に用いる、金型基板の表面に印刷用テクスチャ構造を有する金型の製造方法であって、前記金型基板の表面に初期テクスチャ構造を形成する工程の後に、初期テクスチャ構造上にＣＶＤ製膜を行う工程を含むことを特徴とする金型の製造方法。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け時の太陽電池素子の面内の温度分布のばらつきを低減させることができる太陽電池モジュールの製造装置及び太陽電池モジュールの製造方法を得ること。
【解決手段】太陽電池モジュールの製造装置は、支え機構と、押さえ機構と、ホットプレートと、加熱部と、制御部とを備える。制御部は、前記押さえ機構及び前記支え機構が第２のタブ線と処理対象の太陽電池素子と第１のタブ線とを挟み込んで固定した状態を維持しながら、前記ホットプレートが前記処理対象の太陽電池素子及び前記第１のタブ線に接触した状態から非接触の状態になるまで前記ホットプレートを下方向に移動させた後に、前記固定した状態を維持しながら、前記加熱部が前記第２のタブ線と前記処理対象の太陽電池素子と前記第１のタブ線とを加熱するように、制御を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な印刷性を保持しつつ、体積抵抗率を低く、かつ、アスペクト比を高くすることができ、また、シリコン基板との密着性にも優れる電極を形成することができる太陽電池電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セルの提供。
【解決手段】銀粉（Ａ）と、所定の式で表される２種の脂肪酸銀塩（Ｂ）と、ビヒクル（Ｃ）とを含有し、
前記銀粉（Ａ）が、平均粒子径が０．７〜５μｍの球状の銀粉末である太陽電池電極用ペースト。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界によるキャリアの消滅を抑制することで高電流・高電圧を発現できる多結晶シリコン系太陽電池を提供する。
【解決手段】一導電性多結晶シリコン基板を用い、多結晶シリコン基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｐ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、多結晶シリコン基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｎ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極層、集電極、さらにその上に保護層が順に形成された多結晶シリコン系太陽電池において、多結晶シリコン基板のキャリア濃度が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3の範囲であり、上記パッシベーション層が実質真正な非晶質シリコン系化合物及び／又は非晶質酸化アルミニウムから構成される層である多結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 第一に、集電電極、インターコネクタ又は補助電極となる導体層の接触性、接続信頼性に優れる太陽電池構造体、第２に密着信頼性が優れ、その導体層を含む太陽電池構造体を提供するものである。
【解決手段】 パターン状の導体層及び樹脂層を含む基材であって、その樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設されている基材が、その導体層を集電電極、インターコネクタ又は補助電極とするように、組み込まれてなる太陽電池構造体。上記の基材はその導体層の存在する面が電気取出面に向かうように積層され、電気取出面には、透明導電膜や金属からなり、光電変換層に接続する電気取出電極又はこれに接続する集電電極を構成する導電層が存在する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径の大きい半導体層を容易に形成することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】実用的な電力を得ることができると共に、励起子を有効に回収することができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５と、半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６と、半導体４，５の端部を被覆する電極７と、半導体５と透明絶縁性材料６及び電極７との間に設けられたパッシベーション層１０とを備える。ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２の表面の一部を非晶質膜３で被覆し、非晶質膜３から露出している半導体基板２の表面に複数のナノワイヤ状の半導体４，５を形成し、半導体５の表面にパッシベーション層１０を形成し、半導体４，５の間隙に透明絶縁性材料６を充填し、半導体４，５の端部を被覆する電極７を形成することにより製造することができる。 （もっと読む）