【課題】より安価なシリコン微粒子を原料として低コストで製造可能な光センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】光センサー１は、第１の官能基を有する被膜で被覆された透明電極１４の表面のパターン部分にのみ選択的に、第２の官能基を有する被膜で被覆されたｎ型シリコン微粒子２４が１層結合固定され、その上には第３の官能基を有する被膜で被覆されたｐ型シリコン微粒子２５が１層結合固定されており、第１と第２の官能基、および第２と第３の官能基とは、カップリング剤のカップリング反応基との間で生成された結合を介してそれぞれ固定されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層と結晶半導体粒子との間の界面の剥離を抑制し、また、結晶半導体粒子の下側に到達した光を効率よく結晶半導体粒子に取り込むことができる、高変換効率の光電変換装置を得ること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１上に、表層に第２導電型の半導体部３が形成された球状の第１導電型の結晶半導体粒子２が多数個接合され、結晶半導体粒子２間の導電性基板１上に絶縁層４が形成され、半導体部３及び絶縁層４の上に透光性導体層５が形成されている光電変換装置であって、結晶半導体粒子２は、その表面の導電性基板１との接合部２ｂの上側近傍に全周にわたって、結晶半導体粒子２の径が段状に変化する段差２ａが形成されているとともに段差２ａから下側の縦断面における半径が小さくなっており、絶縁層４は、結晶半導体粒子２の表面における接合部２ｂとの境界２ｃから段差２ａの上側までを覆っている。 （もっと読む）

【課題】光化学系複合体が安定的に保持され、且つ、高効率で大面積化が可能な光エネルギー移動素子を提供する。
【解決手段】光エネルギー移動素子１は、内部に複数の微細孔１２を有し、且つ少なくとも基材表面１１ｓにて複数の微細孔１２が開口した誘電体基材１１に、誘電体基材１１の微細孔１２内に充填された充填部２１と、充填部２１上に基材表面１１ｓより突出して形成され、充填部２１の径よりも大きく、且つ、局在プラズモンを誘起しうる大きさの径を有する突出部２２とからなる微細金属体２０が複数固定され、これら複数の微細金属体２０の突出部２２の表面にエネルギー供与体３０Ｄとエネルギー受容体３０Ａとからなる光化学系複合体３０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】基板の中間取扱い過程で発生しうる基板の汚染や破損などの発生を最小化し、基板に残留する汚染を有効に除去すること。
【解決手段】（Ｓ１１)スライシング機にぶら下げて装着された太陽電池基板製造用インゴットを、切削油を供給しながら複数枚の薄片化された基板にスライシングし、垂直下方に平行にぶら下げられた状態の前記複数枚の薄片化された基板を洗浄機内に据え置く段階；（Ｓ１２)上記垂直に据え置かれた薄片化された基板のスライスされた面の上に残存する切削油を除去する段階；（Ｓ１３)上記薄片化された基板表面の洗浄力向上のためにその表面を活性化する段階；及び（Ｓ１４)上記表面活性化された基板に対して化学的エッチングを行う段階；を含むことを特徴とする太陽電池用基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性に優れた電極を形成する。導電性に優れた電極を形成する。可視光の反射率が高い電極を形成する。
【解決手段】電極形成用組成物を基材上に湿式塗工法で塗工して成膜する工程と、上面に成膜された基材を焼成する工程とを含む太陽電池の電極形成方法において、基材にプライマー処理を施すことを特徴とする。電極形成用組成物は金属ナノ粒子が分散媒に分散した組成物であって、金属ナノ粒子が７５重量％以上の銀ナノ粒子を含有し、金属ナノ粒子は炭素骨格が炭素数１〜３である有機分子主鎖の保護剤で化学修飾され、金属ナノ粒子が一次粒径１０〜５０ｎｍの範囲内の金属ナノ粒子を数平均で７０％以上含有することが好ましい。また、焼成する工程の焼成温度は１３０〜４００℃、成膜する工程は焼成後の電極の厚さが０．１〜２．０μｍになるように成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】内部抵抗を増大させずに逆電子移動を抑制して、発電効率を高めた太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池モジュールは、増感色素を担持させた多孔質酸化物半導体層を有して構成され、窓極として機能する第一電極と、少なくとも一部に電解質層を介して前記第一電極と対向して配される第二電極とを備え、前記第一電極を設ける第一基材もしくは前記第二電極を設ける第二基材は、隣接するユニットセル間を分離する隔壁部を有する太陽電池モジュールであって、前記第一基材は、前記隔壁部間をなす領域において、透明導電膜からなる第一導電層と酸化スズ膜からなる第二導電層が順に重ねて配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４接合太陽電池を実現でき、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体からなる基板２上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給し、核生成サイトに半導体３をワイヤー状に成長させる。第３〜４の原料ガスを供給し、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５をワイヤー状に成長させる。基板６上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給して、核生成サイトに半導体２ａをワイヤー状に成長させ、第２〜４の原料ガスを供給して、半導体２ａ上に半導体３を、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５ワイヤー状に成長させる。前記半導体は基板２，６に近いほどバンドギャップが狭く、離れるほどバンドギャップが広い。核生成サイトはＡｕ等の触媒粒子からなる。半導体２，２ａはＧｅであり、半導体３はＩｎＧａＡｓであり、半導体４はＧａＡｓであり、半導体５はＡｌＧａＡｓである。 （もっと読む）

【課題】照射される光を有効に利用することができる太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明の太陽電池は、第一基材を少なくとも備えた第一電極基板と、透明な第二基材を少なくとも備えた第二電極基板と、前記第一基材と前記第二基材との間の少なくとも一部に配された発電層と、から構成され、前記第二基材は、その側面部の一部が受光部として機能するとともに、受光した光を前記発電層へと導く光路誘導機構を少なくとも一部に備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光入射面側に設けられた集電電極に蓄積されるダメージの影響を低減した太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０では、太陽電池１ａの光入射面と接する封止材２の第１領域２ａの太陽電池１ａに対する接着力は、太陽電池１ａの裏面と接する第２領域２ｂの接着力よりも小さい。 （もっと読む）

一実施形態において、光電池装置の製造の方法は、少なくとも一つの導電性アルミ箔担体、少なくとも一つの導電性拡散障壁層、および拡散障壁層上の少なくとも一つの導電性電極層からなる担体の提供を備える。拡散障壁層は、アルミ箔担体と電極層との間の化学的な相互作用を防止することもできる。吸収層は、担体上に形成されてもよい。一実施形態において、吸収層は非シリコン吸収層であってもよい。別の実施形態において、吸収層は（ドープした、またはドープしていない）非晶質シリコン吸収層であってもよい。任意で、吸収層は有機材料および無機材料、もしくは有機材料または無機材料にもとづいてもよい。
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【課題】支持体の各凹部内に球状光電変換素子を収容する方式の光電変換装置において、所定位置に素子を正確、かつ確実に固定するとともに、素子の半導体と導電体層間を低抵抗で電気的接続ができる製造法を提供する。
【解決手段】球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した素子を用いる。この素子を、導電性支持体の凹部の底にある孔の縁部に導電性接着剤を塗布し、電極が支持体の裏側に臨むように装着する。次に、支持体の裏面側に、電気絶縁層および導電性金属シートを接合し、電気絶縁層および金属シートに孔をあけて電極を露出させ、そこに導電性ペーストを充填する。こうして各素子の電極を並列に接続した光電変換装置を作成する。 （もっと読む）

【課題】簡便に形成でき、また取り付け強度が導電性被膜に頼ることなく確実に集電線が取り付けられた色素増感型太陽電池の電極基板及び色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】集電線２が基材１と導電性被膜３との間に設けられていることで、集電線２の取り付け強度が導電性被膜３のみに頼るものではなく基材１への取り付け強度も加わることで集電線２は電極基板１０に確実に取り付けられる。また集電線２を基材１に取り付けてから導電性被膜３を形成することができ、基材１及び集電線２に対してペーストや蒸着等で形成された導電性被膜３は集電線に確実に密着されるようになって集電線２の形成が簡便なものとなり得る。 （もっと読む）

【課題】孔を有する支持体の前記孔の周縁部から孔の内壁面、好ましくは支持体の裏面側にまでわたって接着剤を塗着する印刷方法を提供する。また、前記の印刷方法を利用して、支持体の孔の周縁部から裏面側にわたって導電性接着剤を塗着し、支持体の裏面側から前記孔の周縁部に電子部品を装着する方法を提供する。
【解決手段】孔１０１を有する支持体１００の一方の面側に、印刷マスクを使用して、接着剤１０２を印刷することにより、前記孔の周縁部から少なくとも孔の内壁面にわたる部分に接着剤を塗着する方法で、前記印刷マスクが、支持体の孔に対応して、当該孔の開口端に沿うように配列した複数の開口部１１２からなる開口部群を有し、前記開口部が当該孔の開口端の外側から孔内にまたがるように形成されているメタルマスク１１０からなる。 （もっと読む）

【課題】 加熱・冷却工程においても、基板上に形成した絶縁層の剥離を抑制できる太陽電池用基板、およびそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】 基材１１と、基材１１上に積層された電気絶縁性の絶縁層（第１の層）１３と、基材１１と絶縁層１３との間に配置された軟化層（第２の層）１２とを含み、軟化層１２が軟化する温度が、基材１１および絶縁層１３が軟化する温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ＯＥＣＯ太陽電池等の溝形成太陽電池の溝深さを容易に均一化でき高効率化を安価に実現できる製造方法。
【解決手段】シリコン単結晶基板を用いたＯＥＣＯ太陽電池１は、溝の長手方向と垂直な任意の断面において深さが最大の溝２の、電極６の基板厚み方向下端と着目している溝の電極非形成内側面の上端とを結ぶ直線と、前記厚み方向と直交する基準線とのなす角度をθ、開口端縁間距離である溝幅をＷ_１としたとき、当該太陽電池の最小溝深さｈが常に、ｈ≧Ｗ_１ｔａｎθを満足する。また、インゴットから切り出されたｐ型シリコン単結晶基板３の第一主表面上に、加工テーブルの平坦な基板送り面から溝入れ刃の刃部を一定高さだけ突出させ、基板の第一主表面を基板送り面に密着させた状態で、基板を基板送り面に沿って回転している溝入れ刃に向かって移動させ、多数の溝を形成する。このように形成された溝の幅方向片側の内側面に出力取出用の電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】支持体の各凹部内に単体の球状光電変換素子を収容する方式の太陽電池において、所定位置に球状素子を正確かつ確実に固定し、さらに球状素子の半導体と導電体層間を低抵抗で電気的接続ができる製造法を提供する。
【解決手段】球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した球状素子を、第１導電体層である支持体の凹部に、電極が支持体の裏側に突出するように位置決めし、支持体の凹部の底部の孔周辺部に塗布した導電性ペーストの熱処理により固定する。支持体の裏面側に電気絶縁体層を形成し、電気絶縁体層から露出する電極を相互に連結するように塗布した導電性ペーストを熱処理して第２導電体層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、第1の導電型でドープされたアモルファス半導体の少なくとも1つの第1の領域(6)を、結晶半導体(1)の少なくとも1つの面(3)に備える半導体デバイス(100)に関する。半導体基板(1)は、同じ領域(3)に、第1の伝導型と反対の第2の導電型にドープされたアモルファス半導体の少なくとも1つの第2の領域(7a、7b)を備える。アモルファス半導体の第1の領域(6)は、半導体基板(1)と接触した少なくとも1つの誘電体領域(8a、8b、8c、8d)によってアモルファス半導体の第2の領域(7a、7b)から絶縁され、さらに、アモルファス半導体の第2の領域(7a、7b)は、インターフィンガ構造を形成している。
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【課題】 薄膜太陽電池モジュールを絶縁性を確保して効率よく製造する。
【解決手段】金属基板１上に下部導電層２と半導体層３と上部透明導電層４とを順次形成した薄膜太陽電池セル５を複数個直列接続した薄膜太陽電池モジュールを、薄膜太陽電池セル５ごとに金属基板１を分離し、互いに隣接する一方の薄膜太陽電池セル５の上部透明導電層４を他方の薄膜太陽電池セル５の下部導電層２と金属基板１の少なくとも一方に接続した構造とする。これによれば、従来のように基板表面に絶縁層を設けることなく絶縁性を確保することができ、当然ながら絶縁層のクラックの問題を回避することができる。基板材料が金属であるため、成膜時の高温でも基板の変形や溶融などの損傷が起こらない。よって、生産性、品質を向上させることができる。下部導電層２は必ずしも形成しなくともよい。 （もっと読む）

本発明は、透明基板（１）上の導電性層（２）を化学エッチングする装置に関し、該装置は、該基板（１）を支持する支持手段（４）と溶液（５）を吹き付ける手段とを備えている。本発明の特徴は、上記吹き付け手段（５）が上記基板上方に配置された複数のノズル（５０）から成り、該ノズルは、エッチング対象である上記層上に少なくとも２種類の溶液（７、８）を、別々に、または相互に、またはノズル部での混合液として、同時に吹き付けことである。
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【課題】絶縁層等による発電に寄与する受光面積の減少を低減し、かつ、外部負荷によるイオンの移動を抑制し、優れた性能を示す色素増感太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】透光性基板と支持基板の間に、第１光電変換素子と第２光電変換素子を配置した太陽電池モジュールであって、前記第１光電変換素子は、前記透光性基板側から透光性導電層と、多孔性半導体層と、電解質層と、触媒層と導電層をこの順で積層して構成され、前記第２光電変換素子は、前記透光性基板側から透光性導電層と、触媒層と、電解質層と、多孔性半導体層と、導電層をこの順で積層して構成される。
前記第１光電変換素子と第２光電変換素子が並列され、前記電解質層から漏出するイオンの流れを防止する絶縁層が、その数をｎ、前記第１光電変換素子数をｌ、前記第２光電変換素子数をｍとするとき、下記式（Ｉ）、式（II）を満たすように配置する。
ｌ＋ｍ＞３ ・・・・・・・（１）
１≦ｎ≦ｌ＋ｍ−２ ・・・（２） （もっと読む）