Fターム[5F051GA20]の内容
Fターム[5F051GA20]に分類される特許
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太陽電池およびその製造方法
【課題】裏面反射を有効に使える太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の光入射側48から見て、p-型Si層25とn+型Si層24の順に配列して半導体層を積層する。半導体層24、25の裏面に、n+型Si層24を超えp-型Si層25をもえぐる凹部(スクライブライン)45があり、前記凹部45のなかにp+型Si層26を介して正電極32が埋め込まれている。また、SUS基板などで構成される負電極27が絶縁領域43を介して正電極32を覆い、負電極27がn+型Si層24と接している。正電極26が光反射性材料で構成される。また、負電極27も光反射性材料で構成され、半導体層24、25の全体を覆っている。
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