Fターム[5F053AA00]の内容
半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長方法 (895)
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Fターム[5F053AA00]に分類される特許
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単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法
【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される。
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ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
【課題】ナノ粒子分散液を用いた良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】下記式IまたはI'で表される化合物から選択される平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液を用いて酸化物半導体薄膜22を形成する。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z)[I](式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'](式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)
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薄膜の形成方法
【課題】 アセン系化合物を溶解させた溶液の取り扱い性に優れ、均一かつ、粒径の大きな結晶粒で構成された結晶性の薄膜を提供する。
【解決手段】 式(1)で表されるアセン系化合物を含む有機電子材料を、シクロヘキサンと、アセン系化合物を溶解しうる溶媒との混合溶媒に溶解させ、その溶液を基板に塗布して該有機電子材料の結晶性薄膜を形成する。
(式中、nは1〜3の整数である。)
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