【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることがないものとする。
【解決手段】基板２を裏面から支持して加熱する支持加熱部３と、支持加熱部３により支持された基板２の表面に膜形成用のＣＢＤ反応液を供給するための、開口部４ａを有する反応槽４と、反応槽４を支持加熱部３により支持された基板２の表面に向けて前進させて基板２の表面に対して開口部４ａを押し付けるとともに、反応槽４を基板２の表面から後退させて基板２の表面から開口部４ａを引き離すことが可能な反応槽進退駆動部とを備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶湯中の冷却体の溶湯中への浸漬軌道と干渉する物による生産性に対する悪影響を防止することができる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】放射温度計５０が、溶湯２３の表面温度を検出すると、制御装置４５は、溶湯２３の表面温度の変化に基づいて、溶湯２３中の冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物の有無を判断する。具体的には、溶湯２３の表面温度の変化が、予め定める変化幅以上であり、かつその状態が予め定める期間継続したときに、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有るものと判断する。制御装置４５は、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有ると判断されたときは、冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬を停止する。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の融液の湯面における湧出し位置が、基板の浸漬方向に対して直交する方向で対称の位置になるように、また湯面の盛上がり高さが０になるように調整して薄板の板厚分布を均一にする。
【解決手段】 坩堝２２内に収容される半導体材料の融液２１に基板２５を浸漬し引上げて薄板を生成する薄板生成装置２０は、坩堝２２に対するコイル２３の相対位置を修正するコイル設定位置修正手段２８と、融液２１の湧出し位置２９を検出する湧出位置検出手段３０と、融液２１の湯面２１ａの盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段３１とを備え、制御手段３２によって、湧出し位置２９の検出結果に応じて、基板２５の浸漬位置と湧出し位置２９との配置が好適になるようにコイル２３の設定位置を修正するとともに、湯面２１の盛り上がり高さを調整する。 （もっと読む）