【課題】第１３族金属窒化物結晶の生成速度を大幅に向上させることができ、かつ高品質な結晶を製造することができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１００を溶媒１０１に溶解して溶液を作成する工程と、溶液中で第１３族金属窒化物の結晶を成長させる工程、とを備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液中に第１７族元素を含み、かつ結晶成長工程において反応容器１０２内の圧力が１．０ａｔｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】有機半導体の結晶をより効率的に製造することが可能である、有機半導体の結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体の結晶の製造方法は、少なくとも有機半導体、液晶、及び粒子を混合して、混合物を得るステップ（１１）、並びに該混合物を冷却して、該有機半導体の結晶を得るステップ（１５）を含む。 （もっと読む）

半導体本体を形成するための方法であって、この方法は、有機半導体材料と結合剤材料との混合物を形成する工程、前記半導体材料を少なくとも部分的に固化させる工程、および前記半導体材料を前記結合剤材料から少なくとも部分的に分離させるように前記結合剤材料を結晶化させる工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】塗布法によってキャリア移動度の高い有機半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法、及び該有機半導体膜の形成方法によって形成される有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する有機半導体膜の形成方法において、該有機半導体材料を含む塗布液の供給から乾燥の間に、塗布液供給領域内に５℃以上１００℃以下の温度差を有することを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉとＴｉとＭ（Ｍ：Ｃｏ、ＭｎまたはＡｌのいずれか一種）とＣとを含み、ＳｉとＴｉとＭの原子比が、ＳｉｘＴｉｙＭｚなる式で表して、ＭがＣｏまたはＭｎの場合は、０.１７≦ｙ／ｘ≦０.３３、かつ０.９０≦（ｙ＋ｚ）／ｘ≦１.８０、ＭがＡｌの場合は０.１７≦ｙ／ｘ≦０.３３、かつ０.３３≦（ｙ＋ｚ）／ｘ≦０.６０、を満たす融液に、ＳｉＣ成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているＳｉＣを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）