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Fターム[5F053AA50]の内容

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Fターム[5F053AA50]に分類される特許

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【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機カルシウム化合物及び無機ストロンチウム化合物の少なくともいずれかと、有機溶媒とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 (もっと読む)


【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極41、ゲート絶縁膜、ソース電極43、ドレイン電極44、半導体層45及び封止層46を有する薄膜トランジスタ1を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板40に転写して、半導体層45及び封止層46のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 (もっと読む)


【課題】塗布開始場所以外の場所からの結晶成長を防止し、配向度の高い有機半導体薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】有機半導体材料を含むインク11の塗布開始場所からインク11を乾燥させ、インク11中の有機半導体材料を結晶化させて有機半導体薄膜15を形成する。このとき、ノズル部2として、基板12の表面と対向する先端面2fを構成するオーバハング部を有したノズル胴体部2aと、ノズル胴体部2aの先端面2fから基板12側に突出すると共に一方向を長手方向として延設された吐出口2gを有する溶液吐出部2cとを備えたものを用いる。そして、溶液吐出部2cの下端を基板12から離間させた状態でインク11を吐出し、吐出されたインク11にて溶液吐出部2cと基板12の間に液溜まりを形成しつつ、ノズル部2を吐出口2gの長手方向に対する垂直方向に移動させることによりインク11をライン状に塗布する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】IV族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】気相−液相−固相(Vapor-Liquid-Solid : VLS)成長法により、SiとGeの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりSiO膜で被覆されたGeナノ細線を作製する。また、気相-液相-固相成長法により、Si結晶およびSiとGeの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル(nm)スケールでサイズ制御された、SiとGeの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明1つの電界効果トランジスタは、ソース領域144及びドレイン領域146並びにチャネル領域142を含む酸化物導電体層と、チャネル領域142の導通状態を制御するゲート電極120と、ゲート電極120とチャネル領域142との間に形成された強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層130とを備え、チャネル領域142の層厚は、ソース領域144の層厚及びドレイン領域146の層厚よりも薄い。 (もっと読む)


【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】固着、熱歪、転位の発生を抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面にシリコン薄膜を形成する工程、カーボン原料と単結晶炭化珪素基板との間にシリコン薄膜が配置されて所定の式を満たすように、坩堝内に下からシリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋側からカーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する工程、坩堝蓋をかぶせた坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱してシリコン基板およびシリコン薄膜を融解させると共に坩堝蓋を坩堝の内壁高さまで下降させる工程、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱してシリコン融液の表面張力により懸垂保持された単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる工程を備えている単結晶炭化珪素基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜の生成方法とする。 (もっと読む)


【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム25bに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴26を放出させ、ソースフィルム25bに対向配置した基板30に量子ドット材料の微小液滴26を固着させて、基板30上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 (もっと読む)


【課題】 I−II−IV−VI族化合物を含む半導体層を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、構造式(1)で表される第1錯体化合物およびIV−B族元素を含む半導体層形成用液を用いて皮膜を形成する工程と、皮膜を加熱してI−II−IV−VI族化合物を含む半導体層にする工程とを具備する。
【化17】
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【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機マグネシウム化合物及び無機亜鉛化合物の少なくともいずれかと、グリコールエーテル類とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 (もっと読む)


【課題】バルクヘテロ接合層のドメインサイズを精度よく制御可能な有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第1電極層、光電変換層及び第2電極層の順に形成してなる有機薄膜太陽電池の製造方法であって、p型有機半導体と、n型有機半導体と、有機溶媒とを含む塗工液を、第1電極層上に塗布し、形成された塗膜を真空乾燥して有機溶媒を除去してバルクヘテロ接合層を形成し、第2電極層を形成する前、形成中及び形成後のいずれかにバルクヘテロ接合層を加熱してバルクヘテロ接合層のドメインサイズを制御する。 (もっと読む)


【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第1の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第2の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】水熱合成法による酸化亜鉛単結晶の育成に際し、酸化亜鉛単結晶の成長速度を速めることができる酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】育成用溶液と、育成用原料5と、種結晶6とを収容した密閉容器24内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する酸化亜鉛単結晶の製造方法において、育成用溶液として、アルカリ金属の水酸化物及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選択される1種以上の鉱化剤と、酸とを含むアルカリ性の水溶液を用いる。 (もっと読む)


【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒3存在下にて窒化物半導体結晶2の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 (もっと読む)


【課題】電極間にステップによる電気的接合の欠陥がなく、分子配列の規則性が高く、電気的特性が向上した高分子結晶デバイスを提供する。
【解決手段】螺旋型ポリアセチレンからなる高分子結晶401と一対の電極403,404を備えたデバイスにおいて、前記一対の電極403,404の各々の電極の少なくとも一部を、前記螺旋型ポリアセチレンからなる高分子結晶の同一テラス402内に配置する。また、前記一対の電極403,404間を結ぶ任意の直線のうち、少なくとも一部を、螺旋型ポリアセチレンの螺旋軸に平行になるように配置する。 (もっと読む)


【課題】処理時間を短縮化することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部を有する第一チャンバーと、前記塗布膜を加熱する第一加熱部を有する第二チャンバーと、前記第一チャンバーと前記第二チャンバーとを接続する接続部とを備え、前記接続部として、前記基板に塗布された前記塗布膜を加熱する第二加熱部及び前記塗布膜の周囲の圧力を調整する圧力調整部を有し、前記塗布膜に含まれる前記溶媒の少なくとも一部を気化させる第三チャンバーが用いられている。 (もっと読む)


【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、X線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が100nm以下である、Cu、Zn、Sn、及び、Sを含有する半導体粒子とする。 (もっと読む)


【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


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