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Fターム[5F053BB60]の内容

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Fターム[5F053BB60]に分類される特許

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【課題】塗布開始場所以外の場所からの結晶成長を防止し、配向度の高い有機半導体薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】有機半導体材料を含むインク11の塗布開始場所からインク11を乾燥させ、インク11中の有機半導体材料を結晶化させて有機半導体薄膜15を形成する。このとき、ノズル部2として、基板12の表面と対向する先端面2fを構成するオーバハング部を有したノズル胴体部2aと、ノズル胴体部2aの先端面2fから基板12側に突出すると共に一方向を長手方向として延設された吐出口2gを有する溶液吐出部2cとを備えたものを用いる。そして、溶液吐出部2cの下端を基板12から離間させた状態でインク11を吐出し、吐出されたインク11にて溶液吐出部2cと基板12の間に液溜まりを形成しつつ、ノズル部2を吐出口2gの長手方向に対する垂直方向に移動させることによりインク11をライン状に塗布する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga薄膜の生成方法とする。 (もっと読む)


【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム25bに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴26を放出させ、ソースフィルム25bに対向配置した基板30に量子ドット材料の微小液滴26を固着させて、基板30上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 (もっと読む)


【課題】 塗布で高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェン誘導体の原材料であるジチエノベンゾジチオフェンを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも下記(A)〜(B)工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
(A)工程;パラジウム触媒の存在下、3−ハロゲン化チオフェン−2−亜鉛誘導体と1,2,4,5−テトラハロゲン化ベンゼンにより1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンを製造する工程。
(B)工程;硫化アルカリ金属塩の存在下、(A)工程により得られた1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。 (もっと読む)


【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも1つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも1つの堆積層を硬化させる少なくとも1つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも1つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、1)レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにX−Yビームの偏向モジュールの位置を制御すること、2)レーザの位置をX−Yテーブルを介して制御すること、又は3)基板の位置をX−Yテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材11は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のX線回折により、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、(111)結晶面に対応した回折ピークと、(111)結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 (もっと読む)


【課題】 大型化された成膜槽に投入された実際の混合液の重量を測ることは、重量計の測定限界などにより測定することが困難になる場合があった。
【解決手段】 第1開口部に第1ピストンが挿通されているとともに前記第1開口部よりも開口面積が小さい第2開口部に第2ピストンが挿通されている、前記第1ピストンと前記第2ピストンとの間に液体が封入されたシリンダーと、前記第1ピストンに搭載された成膜用槽と、該成膜用槽と切り離し可能に設けられている、成膜用溶液を前記成膜用槽内に供給する供給系機構と、前記成膜用槽と連動するように設けられている、前記成膜用溶液を前記成膜用槽内で循環させる循環系機構と、前記成膜用槽と切り離し可能に設けられている、前記成膜用溶液を前記成膜用槽内から排出する排出系機構とを具備すること。 (もっと読む)


【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる2以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が2桁以上異なる2種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット1を、坩堝2内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が2桁以上低いナゲット3又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高品質の焼結金属製品の製造や、結晶成長を行う事前作業として、原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスの除去を確実に行い、製品品質、結晶品質の改善を行う準備作業に関する。
【解決手段】 原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスを高真空下で除去し、さらに、高温不活性ガスで原材料を昇温し、原材料表面に吸着しているガス成分や、水分の再吸着を防止し、焼結製品品質、結晶品質の改善を行うことを目的とした焼結金属材料や結晶材料準備作業方法に関する。 (もっと読む)


【課題】使用する有機溶媒に限定されることなく、かつ、ドロップキャスト法で製膜した有機半導体薄膜のようにゆっくりと時間をかけて製膜して、結晶性に優れた有機半導体薄膜を、基板の表面自由エネルギーによらず、自由に形成する方法を提供する。
【解決手段】固体基板と、剥離性表面を有する弾性材からなるフィルム又は板との間に、薄膜形成用溶液をはさみ、該溶液中の溶媒を乾固させることにより前記固体基板の表面に有機薄膜を形成させることにより、ドロップキャスト法に見られた収縮を防ぐとともに、ドロップキャスト法ようにゆっくりと時間をかけて製膜することが可能であり、かつ、基板の表面自由エネルギーを問わず有機薄膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】有機半導体として実用上十分に高移動度で、且つ安定した半導体特性を発現することができる有機半導体用混合物、並びに、有機電子デバイスの作製方法及び有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機半導体材料と下記一般式(I)で表されるカルボン酸又はそのエステルを含む有機半導体用混合物、並びに、基板上に有機半導体用塗布液を塗布し乾燥させて有機半導体層を形成する有機電子デバイスの作製方法において、有機半導体用塗布液が、有機半導体材料と前記カルボン酸又はそのエステルと溶媒とを含む有機半導体用混合物である有機電子デバイスの作製方法、及び、基板上に有機半導体と前記カルボン酸又はそのエステルを含有する有機半導体層を有する有機電子デバイス。


〔式(I)中、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜50の脂肪族炭化水素基を示す。但し、RとRの各炭素数の和は5以上である。〕 (もっと読む)


【課題】有機半導体フィーチャの堆積性能が改善されたプロセスを提供する。
【解決手段】1つ又はそれ以上の有機半導体を含む液体組成物を準備し、液体組成物を、第1の温度における非ニュートン型から第2の温度におけるニュートン型へ変換し、変換された液体組成物を基板上に堆積させて1つ又はそれ以上の半導体フィーチャを形成するステップを含む、半導体フィーチャを形成するプロセス。 (もっと読む)


【課題】半導体材料が高分子量であっても、テンプレートを用いた塗り分けを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板1にゲート絶縁膜2およびソース電極3c,ドレイン電極3dを製膜した状態で、基板1表面にパーフルオロアルキル基を有する第1の自己組織化単分子膜(第1SAM膜5)を形成した。続いて、第1SAM膜5における高分子有機半導体膜を塗布すべき領域5aをオゾン処理を施すことで削除し、その領域5aに、フェネチル基を有する第2の自己組織化単分子膜(第2SAM膜6)を形成した。続いて、基板1を予め40℃に加熱しておき、40℃に温度制御されたポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)0.5重量パーセントジクロロベンゼン溶液8に基板1を浸漬し、垂直に引き上げることで、薄膜トランジスタを作製した。 (もっと読む)


【課題】金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成されたトンネル絶縁膜に対向するように配置された第2の基板21との間に、金属ナノ粒子が分散された粒子分散液22を充填する充填工程と、トンネル絶縁膜の表面に沿った方向に、第2の基板21をシリコン基板1に対して相対的に移動させることにより、トンネル絶縁膜の表面における第2の基板21から露出した領域に形成される粒子分散液22のメニスカス領域23において、粒子分散液22の溶媒を蒸発させることにより、トンネル絶縁膜上に金属ナノ粒子を離散的に配置する。 (もっと読む)


【課題】金属性薄膜を簡単な製造設備で安価に製造することが出来、光電変換特性に富んだ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属化合物(金属単体を含む;以下同様)の溶液を、ノズル供給口3に高電圧を印加して噴霧し、微細な液滴微粒子(ナノサイズ)によって基板25上に成膜する。このときノズル供給口3から基板25に飛来する液滴粒子(非繊維状粒子)をグリッド6に衝突させて微細化して基板25に付着させ、この基板25上の成膜を熱、光などで結晶化させる。更に上記グリッド6をノズル供給口3に印加する電位と略々同電位にする。これによってノズル供給口3から噴霧された金属化合物の液滴微粒子は非繊維状粒子の状態で基板に堆積され、微粒子状態で結晶化される。 (もっと読む)


【課題】金属性薄膜を簡単な製造設備で安価に製造することが出来、光電変換特性に富んだ導電性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】貯室33内にある金属化合物(金属単体を含む;以下同様)の溶液をノズル3から噴霧する際に、前記ノズル3とステージ2との間に高電圧を印加する事で、アバランシェ増倍現象によって帯電させた液滴微粒子を生成する。これを飛翔させて基板上に膜層を形成し、この膜層に光、熱などのエネルギーを付加して結晶化させる。この場合に、金属及び/又は金属化合物は、その分子量が500以下であり、原溶液の溶融粘度は、25℃の環境下で0.3mPa・s乃至10mPa・sで、モル濃度が0.0001乃至0.1モル/リットルであることを特徴とする。これによってノズルから噴霧された金属化合物の液滴微粒子は非繊維状粒子の状態で基板に堆積され、微粒子状態で結晶化される。 (もっと読む)


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