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Fターム[5F053DD19]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長物質 (682) | 有機物 (185)

Fターム[5F053DD19]に分類される特許

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【課題】良好な有機半導体単結晶薄膜/絶縁膜界面を有する有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】親液性の表面S1 を有する成長制御領域およびこの成長制御領域の一辺にこの成長制御領域と連結されて設けられた少なくとも一つの核形成制御領域を一主面に有する基体を形成する。この基体の成長制御領域および核形成制御領域に、有機半導体および有機絶縁体を溶媒に溶解させた不飽和の有機溶液を供給する。この有機溶液中の有機絶縁体を基体の一主面に沈ませることにより有機絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する。続いて、有機溶液の溶媒を蒸発させることにより、ゲート絶縁膜上に有機半導体からなる有機半導体単結晶薄膜を成長させる。この有機半導体単結晶薄膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】塗布開始場所以外の場所からの結晶成長を防止し、配向度の高い有機半導体薄膜を形成できるようにする。
【解決手段】有機半導体材料を含むインク11の塗布開始場所からインク11を乾燥させ、インク11中の有機半導体材料を結晶化させて有機半導体薄膜15を形成する。このとき、ノズル部2として、基板12の表面と対向する先端面2fを構成するオーバハング部を有したノズル胴体部2aと、ノズル胴体部2aの先端面2fから基板12側に突出すると共に一方向を長手方向として延設された吐出口2gを有する溶液吐出部2cとを備えたものを用いる。そして、溶液吐出部2cの下端を基板12から離間させた状態でインク11を吐出し、吐出されたインク11にて溶液吐出部2cと基板12の間に液溜まりを形成しつつ、ノズル部2を吐出口2gの長手方向に対する垂直方向に移動させることによりインク11をライン状に塗布する。 (もっと読む)


【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極41、ゲート絶縁膜、ソース電極43、ドレイン電極44、半導体層45及び封止層46を有する薄膜トランジスタ1を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板40に転写して、半導体層45及び封止層46のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 (もっと読む)


【課題】CNTとゲート絶縁膜との相互作用を高め、良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子を提供する。
【解決手段】本発明のスイッチング素子は、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された活性層とを具備する。前記活性層は、カーボンナノチューブを含み、前記ゲート絶縁膜は、側鎖に芳香族環を有する非共役高分子を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】前駆体膜を変換して得られた半導体膜の導電率の向上。その有機膜を電極と有機半導体の間に配置することで、電極と半導体層の接触抵抗を低減すること。その結果として、接触抵抗が改善された高性能の電気特性を得ることが可能な電子デバイス用インク組成物ならびにそれを用いた電子デバイス、電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス用インク組成物であって、少なくともπ電子共役系化合物前駆体と、前記π電子共役系化合物のドーパントと、前記π電子共役系化合物前駆体とドーパントを溶解させる溶媒を含有することを特徴とするインク組成物。 (もっと読む)


【課題】溶液プロセスにより製造可能な、縮合多環芳香族化合物分子の配向が所望の方向に制御された膜厚数百nm程度の縮合多環芳香族化合物薄膜と、その製造方法を提供する。
【解決手段】縮合多環芳香族化合物と、該縮合多環芳香族化合物を溶解可能な有機化合物との混合溶液を用い、それを基板に塗布し、塗布溶液から前記有機化合物を除去する縮合多環芳香族化合物薄膜の製造方法であって、前記縮合多環芳香族化合物を溶解可能な有機化合物が、カルボン酸化合物の1種または2種以上である方法と、その方法を使用して製造された縮合多環芳香族化合物薄膜。 (もっと読む)


【課題】置換基を有するフタロシアニン誘導体が酸により分解すること無く、代表的な有機半導体たる無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンからなるワイヤー状結晶、特にワイヤーの幅(短径)が100nm以下のナノサイズの細線状の構造を有し、そのワイヤーの短径に対する長さの比率(長さ/短径)が10以上であるフタロシアニンナノワイヤーの製造法を提供すること。
【解決手段】無置換フタロシアニンのみを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて得られた微細化無置換フタロシアニンを、置換基を有するフタロシアニン誘導体と混合し、溶媒中、もしくは溶媒蒸気雰囲気下に置くことで上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】特定構造のπ電子共役化合物前駆体を含む薄膜中の該前駆体のπ電子共役化合物への変換が、基板の耐熱温度に制限されることなく、且つ大気下で進行する、有機膜の製造方法。
【解決手段】π電子共役化合物前駆体A−(B)mを含む薄膜中の該前駆体A−(B)mが、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物A−(C)mと脱離性化合物X−Yに変換される。A−(B)m→A−(C)m+X−Y




(Aはπ電子共役系置換基、Bは溶媒可溶性置換基、mは自然数である。) (もっと読む)


【課題】電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びOn/Off比が高い有機電子デバイスを得る。また、この有機電子デバイスを低コストに製造する。
【解決手段】特定構造の有機半導体化合物と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、有機半導体化合物として、アヌレン構造を有する有機化合物を用い、特定の有機化合物として、下記一般式(1)若しくは(2)で表わされる部分構造を有する有機化合物、又は、ウレア結合、チオウレア結合、ホスフィンオキシド結合、ホスフィンスルフィド結合、スルフォキシド結合若しくはスルホン結合を有する有機化合物を用いる。


(式(1)〜(2)中、Xは、酸素原子又は硫黄原子を示し、Zは硫黄原子又はリン原子を示す。nは、1又は2を示し、nが2である場合の2つのXは酸素原子を示す。X及びZがどちらも硫黄原子であることはない。) (もっと読む)


【課題】電極間にステップによる電気的接合の欠陥がなく、分子配列の規則性が高く、電気的特性が向上した高分子結晶デバイスを提供する。
【解決手段】螺旋型ポリアセチレンからなる高分子結晶401と一対の電極403,404を備えたデバイスにおいて、前記一対の電極403,404の各々の電極の少なくとも一部を、前記螺旋型ポリアセチレンからなる高分子結晶の同一テラス402内に配置する。また、前記一対の電極403,404間を結ぶ任意の直線のうち、少なくとも一部を、螺旋型ポリアセチレンの螺旋軸に平行になるように配置する。 (もっと読む)


【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、有機半導体素子を製造するに際して、1つの有機半導体素子が有する複数の有機半導体層を均質なものとすることが可能な有機半導体素子用製造装置および有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上にパターン状に形成され、かつ有機半導体材料を含む複数の有機半導体層とを有する有機半導体素子を製造する際に用いられる有機半導体素子用製造装置であって、上記基材を配置するステージ、および上記ステージ上に配置された上記基材上に有機半導体材料を含む有機半導体層用塗工液を塗工して有機半導体層を形成する塗工手段を有し、上記ステージおよび上記塗工手段の位置を相対的に変化させることにより、上記基材上に複数の有機半導体層をパターン状に形成する有機半導体層形成機構と、上記基材上に形成された上記有機半導体層を遮光する遮光機構とを有することを特徴とする有機半導体素子用製造装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 螺旋状ポリアセチレンを用いた、導電チャンネルとなる導電路を安定して形成できる有機導電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 螺旋状ポリアセチレン分子と溶媒を含有する溶液を複数の電極間に配置する工程と、前記溶液に電界を印加して前記螺旋状ポリアセチレン分子からなる導電路を形成する工程を有する有機導電デバイスの製造方法。前記溶液に電界を印加する方法は、前記溶液を複数の電極間に配置した後、前記複数の電極間に電界を印加する方法、または前記複数の電極間に電界を印加した後、前記複数の電極間に前記溶液を配置する方法のいずれかである。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する有機トランジスタを、インクジェット法により製造する。
【解決手段】有機半導体層7は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された有機半導体溶液の縁部71が、ソース電極5とドレイン電極6間に配置されるように、ソース電極5とドレイン電極6間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。また、ソース電極5が配置されている位置、又はドレイン電極6が配置されている真上に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布する。 (もっと読む)


【課題】低いエネルギー付与でπ電子共役化合物を得る製造方法、及びこの技術を利用し、難溶性π電子共役系化合物の連続した薄膜の効率的な製造方法を提供する。更に該薄膜の有機電子デバイスへ応用する。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体(I)を含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、式(II)で示される脱離性置換基を脱離させ(Ia)で示されるπ電子共役系化合物を含有する膜状体を生成することを特徴とする膜状体の製造方法。


[式(I)、(Ia)、(II)中、XおよびYは水素原子もしくは脱離性置換基を表す。Q乃至Qはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、1価の有機基であり、QとQは水素原子、ハロゲン原子または、前記脱離性置換基以外の一価の有機基である。Q乃至Qは隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。] (もっと読む)


【課題】 μCP法やコンタクトキャスト法等のエラストマースタンプを使用した印刷プロセスにおいて、インクに使用される溶剤の多様化と加熱機構を付加することによる生産性の高い薄膜形成プロセス及びその仕様に耐えうるエラストマースタンプを提供する。
【解決手段】 耐溶剤性に優れたフッ素系エラストマーからなる中間層と、該中間層とは異なるエラストマーからなる上層及び下層とから構成された3層構造を有し、前記上層及び下層の少なくとも一方は、インクと接触する層であって、剥離性表面を有するシリコーン系エラストマーからなることを特徴とする3層積層型のエラストマースタンプ。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)から(3)よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が1から50μmであり、印刷位置精度が100ppm以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程(1) 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程(2) 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程(3) 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 (もっと読む)


【課題】 溶媒への溶解性に優れることから容易に有機半導体材料等への展開が可能となると共に、高キャリア移動度が期待できる新規なジチエノベンゾジチオフェン誘導体及びこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体。
【化1】


(ここで、置換基R及びRは同一又は異なって、n−ヘプチル基、n−オクチル基、炭素数10のアルキル基、炭素数12のアルキル基及び炭素数14のアルキル基からなる群より選択される置換基を示す。) (もっと読む)


【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】 塗布で高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるジチエノベンゾジチオフェン誘導体の原材料であるジチエノベンゾジチオフェンを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも下記(A)〜(B)工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
(A)工程;パラジウム触媒の存在下、3−ハロゲン化チオフェン−2−亜鉛誘導体と1,2,4,5−テトラハロゲン化ベンゼンにより1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンを製造する工程。
(B)工程;硫化アルカリ金属塩の存在下、(A)工程により得られた1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。 (もっと読む)


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