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Fターム[5F053FF02]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長形態 (501) | 薄膜 (372) | 多層膜 (46)

Fターム[5F053FF02]に分類される特許

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【課題】CBD法による光電変換素子のバッファ層の製造方法において、反応液中における粒子の発生を抑制して低コスト化を図ると共に、バッファ層成膜工程の短時間化を実現する。
【解決手段】基板保持部20に、成膜用基板10を装着し、基板10をヒーター30により温度T[℃]となるように加熱して、加熱状態を保ったまま、温度Tよりも低い温度T[℃]に温調された反応液2に、少なくとも光電変換半導体層13の表面を接触させることによりバッファ層の成膜を開始し、バッファ層の成膜中は基板10を温度T、反応液2を温度Tに維持する。 (もっと読む)


【課題】バルクヘテロ接合層のドメインサイズを精度よく制御可能な有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第1電極層、光電変換層及び第2電極層の順に形成してなる有機薄膜太陽電池の製造方法であって、p型有機半導体と、n型有機半導体と、有機溶媒とを含む塗工液を、第1電極層上に塗布し、形成された塗膜を真空乾燥して有機溶媒を除去してバルクヘテロ接合層を形成し、第2電極層を形成する前、形成中及び形成後のいずれかにバルクヘテロ接合層を加熱してバルクヘテロ接合層のドメインサイズを制御する。 (もっと読む)


【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】光電変換層にZnイオンの高濃度拡散を行い、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】少なくとも1種のZn源と、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも1種のアルカリ剤とを含み、Zn源の濃度が0.1M以上、アルカリ剤の濃度が2M以下であるpH9〜13の反応液を用意し、20℃から45℃の所定温度に調整した反応液中に、下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して所定時間維持することにより、光電変換層中にZnイオンを拡散させ、その後、55℃から90℃の所定温度に調整した反応液中に、拡散工程を経た下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して、光電変換層上に高抵抗酸化物層としてZnO層を析出させる。 (もっと読む)


【課題】良好なトランジスタ特性を得ることができる印刷用版およびそれを用いたパターン形成方法、および薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決方法】少なくとも、絶縁性の基材と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極と接続するよう形成された半導体層と、前記半導体層を封止する封止層と、を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
表面に凹部と凸部が形成された印刷用版の凹部にインキ供給手段により機能性インキを供給する工程と、前記凹部に供給された機能性インキをブランケット上に転写する工程と、前記ブランケット上の機能性インキを前記基材上又は前記ゲート絶縁層上に転写して前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体層のいずれかを形成する工程と、をこの順に行うとしたもの。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体(110)を製造する本発明の方法は、(a)基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、(b)シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び(c)未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体(110)は、基材(112)及び半導体シリコン膜(118)を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、1.0cm/V・s以上である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 (もっと読む)


【課題】チップサイズ6.5mil(165μm)に対応するLED用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ1とその下方に配置された回収ホルダ2との間にスライダー3をスライド自在に設け、そのスライダー3に原料ホルダ1の原料溶液溜4から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ2の溶液収納槽5へ原料溶液を排出する基板ホルダ部6を形成し、その基板ホルダ部6内に基板8を縦に複数枚保持させた後、スライダー3をスライドさせて基板ホルダ部6内に原料溶液を供給し、基板8上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー3をスライドさせて基板ホルダ部6内の原料溶液を排出するLED用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板8を基板ホルダ部6内に保持させる際に、隣り合う基板8,8間のメルト幅13を3mm以下とし、LED用エピタキシャルウェハの総厚を190μm以下とする。 (もっと読む)


【課題】高い結晶性を有することで移動度の高い有機半導体薄膜を提供する。
【解決手段】高分子と有機半導体の混合溶液を基板上にスピンコートなどで塗布することにより、下層に高分子、上層に有機半導体が層分離した薄膜が形成される(図のa))。これに、有機半導体と高分子の両方を溶解できる溶媒を使用して溶媒蒸気アニールを行うことにより、有機半導体分子が高分子層の上を移動して有機半導体膜を再構成し、b)のように、粒界が少なく、また単結晶が大きく成長した有機半導体薄膜を得る。 (もっと読む)


【課題】特性を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ1cは、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)を含むAlyGa(1-y)As基板(0≦y≦1)と、AlxGa(1-x)As層の主表面11a上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層20とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aの不純物濃度は、裏面11bの不純物濃度よりも高い。 (もっと読む)



【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層用溶液を提供すること。
【解決手段】半導体層形成用溶液は、I-B族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含む。好ましくは、前記I-B族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。 (もっと読む)


【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第1のルイス塩基性有機化合物と、前記第1のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第2のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層3を作製する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】鎖状の高次シラン化合物Bと、金属Mを含有する化合物と、高次シラン化合物Bよりも沸点が低く金属Mと相互作用する化合物からなる溶媒Cとを混合した塗布液を調整する。塗布液を用いて基板1上に塗布膜3を形成する。塗布膜3中から溶媒Cを除去して乾燥させる。この際塗布膜3を加熱する。これにより、表面側において金属Mの含有量が多いシリコン薄膜5を形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、p型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してi型半導体を形成し、その上層にn型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有する有機光電変換素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に設けられた陽極12、陰極13、p型半導体材料とn型半導体材料を含む光電変換層14を備える有機光電変換素子の製造方法において、p型半導体材料もしくはn型半導体材料のいずれか一方の貧溶媒を含む層を塗布により形成した後、光電変換層14を塗布法により形成することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


電気活性材料の層を形成する方法が提供されている。この方法は:電気活性材料および少なくとも1種の溶剤を含有する液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ;ワークピース上の湿潤層を固体吸収性材料を含有する減圧チャンバ中に入れるステップ;および湿潤層を、−25℃〜80℃の範囲内の制御温度、および、10-6Torr〜1,000Torrの範囲内の適用された減圧下で1〜100分間の間処理するステップを含む。
(もっと読む)


共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。 (もっと読む)


【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜110の製造方法は、液体材料108を塗布して塗布膜109を形成する工程と、塗布膜109を熱処理する工程と、を含み、液体材料108がシラン化合物11とドーパント化合物12とを含む溶液に、第1の光源111から射出される第1の光と、第2の光源112から射出される第1の光と波長の異なる第2の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】原料メルト内の温度を均一にして対流の発生を防止でき、これにより、ウェハ面内の膜厚を均一に成長できるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料メルト2を収容する溶液溜め3を有する原料ホルダー4と、基板5を収容する基板ホルダー部6を有すると共に、基板5を溶液溜め3の底部に位置させるように、原料ホルダー4に対して相対的にスライド自在なスライダー7と、を備えたグラファイト製のグラファイト治具1を用いて、基板5上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、溶液溜め3内の中央部に、溶液溜め3内の原料メルト2に浸るように対流防止部材8を設け、溶液溜め3内の原料メルト2の対流を防止し、原料メルト2内の温度を均一にして、ウェハ面内の膜厚を均一に成長させる方法である。 (もっと読む)


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