【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】ドーパントが所定濃度より高い濃度にドープされた第１の半導体粉末と、ノンドープあるいは前記ドーパントが所定濃度より低い濃度にドープされた第２の半導体粉末とを、平均ドーパント濃度が所定濃度と等しくなる比率で含む組成物を調製し、この組成物からなる所定質量の小塊を形成する。この小塊を加熱して球状の溶融体を形成し、これを凝固させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ６．５ｍｉｌ（１６５μｍ）に対応するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ホルダ１とその下方に配置された回収ホルダ２との間にスライダー３をスライド自在に設け、そのスライダー３に原料ホルダ１の原料溶液溜４から原料溶液が供給されると共に回収ホルダ２の溶液収納槽５へ原料溶液を排出する基板ホルダ部６を形成し、その基板ホルダ部６内に基板８を縦に複数枚保持させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内に原料溶液を供給し、基板８上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させた後、スライダー３をスライドさせて基板ホルダ部６内の原料溶液を排出するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法において、基板８を基板ホルダ部６内に保持させる際に、隣り合う基板８，８間のメルト幅１３を３ｍｍ以下とし、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの総厚を１９０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】使用する有機溶媒に限定されることなく、かつ、ドロップキャスト法で製膜した有機半導体薄膜のようにゆっくりと時間をかけて製膜して、結晶性に優れた有機半導体薄膜を、基板の表面自由エネルギーによらず、自由に形成する方法を提供する。
【解決手段】固体基板と、剥離性表面を有する弾性材からなるフィルム又は板との間に、薄膜形成用溶液をはさみ、該溶液中の溶媒を乾固させることにより前記固体基板の表面に有機薄膜を形成させることにより、ドロップキャスト法に見られた収縮を防ぐとともに、ドロップキャスト法ようにゆっくりと時間をかけて製膜することが可能であり、かつ、基板の表面自由エネルギーを問わず有機薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】撥水性の高い基板上に膜厚のバラツキなく成膜される有機半導体膜の製造方法及びそのような有機トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に有機半導体材料を含む溶液を供給し、乾燥させることにより薄膜を形成させる有機半導体膜の形成方法において、基板の水接触角が５０°以上であり、溶液に粒径１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の絶縁性微粒子を０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下含有することを特徴とする有機半導体膜の製造方法及び有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な有機半導体膜形成用溶液を提供する。
【解決手段】有機溶媒、有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び有機溶媒に溶解しており且つ第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している有機半導体膜形成用溶液とする。ここで、第１の付加化合物は、ジナフトチエノチオフェン等の化合物にヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。また、結晶化抑制剤は例えば、ジナフトチエノチオフェン等の化合物に二重結合を有する他の化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニア、アミン化合物から選ばれる１種以上の化合物と銅アミノポリカルボン酸錯体、銅ポリカルボン酸錯体から選ばれる１種以上の銅のキレート錯体が極性溶媒に溶解している酸化銅膜を形成せしめるに適した溶液を基材表面に塗布した後、不活性ガス中にて３００℃〜７００℃で１分から３時間の熱処理することにより、ｐ型半導体の性能を持つ酸化銅（Ｉ）膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層用溶液を提供すること。
【解決手段】半導体層形成用溶液は、Ｉ-Ｂ族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含む。好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮの製造において、Ｇｅを効率的に添加する方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板１９を、その一端が保持用台座１８上となるように配置する。これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、ｐ型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してｉ型半導体を形成し、その上層にｎ型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有する有機光電変換素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた陽極１２、陰極１３、ｐ型半導体材料とｎ型半導体材料を含む光電変換層１４を備える有機光電変換素子の製造方法において、ｐ型半導体材料もしくはｎ型半導体材料のいずれか一方の貧溶媒を含む層を塗布により形成した後、光電変換層１４を塗布法により形成することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】原料メルト内の温度を均一にして対流の発生を防止でき、これにより、ウェハ面内の膜厚を均一に成長できるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料メルト２を収容する溶液溜め３を有する原料ホルダー４と、基板５を収容する基板ホルダー部６を有すると共に、基板５を溶液溜め３の底部に位置させるように、原料ホルダー４に対して相対的にスライド自在なスライダー７と、を備えたグラファイト製のグラファイト治具１を用いて、基板５上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、溶液溜め３内の中央部に、溶液溜め３内の原料メルト２に浸るように対流防止部材８を設け、溶液溜め３内の原料メルト２の対流を防止し、原料メルト２内の温度を均一にして、ウェハ面内の膜厚を均一に成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、ｐ型またはｎ型のドーパントがドープされた、質量と寸法形状のばらつきが小さい球状半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末とドーピング剤とを含む小固形体を造粒により形成する。これを、加熱して各小固形体内の半導体粉末を溶融させ、融合させて球状溶融体を形成し、冷却して凝固させる。小固形体にはバインダーを含むことが好ましい。ドーピング剤は、半導体粉末にドーピング剤を添加した混合物を造粒する方法、造粒操作中に添加する方法、および、造粒物をドーピング剤溶液に接触させる方法などにより、小固形体中に含ませることができる。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）