【課題】ＣＢＤ法による光電変換素子のバッファ層の製造方法において、反応液中における粒子の発生を抑制して低コスト化を図ると共に、バッファ層成膜工程の短時間化を実現する。
【解決手段】基板保持部２０に、成膜用基板１０を装着し、基板１０をヒーター３０により温度Ｔ_１[℃]となるように加熱して、加熱状態を保ったまま、温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２[℃]に温調された反応液２に、少なくとも光電変換半導体層１３の表面を接触させることによりバッファ層の成膜を開始し、バッファ層の成膜中は基板１０を温度Ｔ_１、反応液２を温度Ｔ_２に維持する。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有するコアシェル構造の半導体ナノ粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体ナノ粒子の製造方法は、１３族元素含有脂肪酸塩と、１３族元素含有ハロゲン化物と、アルカリ金属アミドとを含む第１溶液を加熱して１３族元素含有窒化物からなるナノ粒子コアを得るコア形成工程と、ナノ粒子コアと、１３族元素含有脂肪酸塩と、アルカリ金属アミドとを含む第２溶液を加熱してナノ粒子コアが１３族元素含有窒化物からなるシェル層により被覆された半導体ナノ粒子を得るシェル形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の量子ドットを互いに連結させて一体化させて一つの独立した量子ドット連結体を作製する。
【解決手段】互いに異なる量子ドット２１と量子ドット２２とが混合された波長λ₂以下の光照射で硬化する光硬化性溶液に対して、波長λ₂より長い波長λ₁の光を照射し、照射した波長λ₁の光に応じて量子ドット２１において励起子を励起させることにより当該量子ドット２１の近傍に近接場光を発生させ、量子ドット２２が量子ドット２１に近接した場合に発生させた近接場光により誘起された非断熱過程に基づいて当該量子ドット２２内に励起子を励起させ、量子ドット２２において励起された励起子が放出されるエネルギーに応じて波長λ₂以下の波長λ₃の出力光を生成し、波長λ₃の出力光を介して光硬化性溶液を硬化させることにより、互いに近接されている量子ドット２１と量子ドット２２を互いに連結させる。 （もっと読む）

【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第１の部分領域と、光学的特性が該第１の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第２の部分領域と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１３族金属窒化物結晶の生成速度を大幅に向上させることができ、かつ高品質な結晶を製造することができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１００を溶媒１０１に溶解して溶液を作成する工程と、溶液中で第１３族金属窒化物の結晶を成長させる工程、とを備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液中に第１７族元素を含み、かつ結晶成長工程において反応容器１０２内の圧力が１．０ａｔｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高価なクリンルームと高価な真空プロセス装置を使うことなく低コストで製造でき、廃棄部分も少なく環境性に優れ、かつ結晶品質が高いことによる例えば半導体性能の高い有機単結晶薄膜作成法を提供すること。
【解決手段】溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端を薄くくし他端を厚くして、該一端側の溶媒を蒸発させることにより結晶を析出させるとともに、薄い部分を他端に移動させることにより結晶を順次析出させることを特徴とする有機単結晶薄膜の作成法である。前記液滴は反磁性とし、一端から強磁場を付加する。
溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端から反対端に向かい所定の速度で磁場を移動させて該液滴の一端の厚みを減少させて結晶を該一端から順次析出させることを有機単結晶薄膜の作成法。 （もっと読む）

【課題】塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。
【解決手段】
式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。
【化１】


（式中Ｒ^１、Ｒ^２がそれぞれＣ、Ｈ、Ｎ、Ｏの少なくとも１種以上からなる置換基であり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌのいずれかであり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかである場合はｎ＝３であり、ＭがＺｎである場合はｎ＝２である） （もっと読む）

【課題】窒化インジウム（InN）を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN（x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35）単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO₅（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面を、表面粗さＲａが５ｎｍ以下かつ反りの曲率半径が２ｍ以上になるように加工する工程と、加工がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。 （もっと読む）

【課題】導電性又は半導電性塗布液の塗膜に交流電界を付与しない場合に比べ、コーヒーステイン現象の発生を抑制した導電性又は半導電性膜が形成される導電性又は半導電性膜の形成装置を提供すること。
【解決手段】基板１０の表面に、導電性又は半導電性塗布液の液滴を吐出する液滴吐出ヘッド２０と、導電性又は半導電性塗布液の液滴が基板１０の表面に着弾して形成された導電性又は半導電性塗布液の塗膜１１Ａに対して、交流電界を付与するための一対の交流電界付与電極４０と、一対の交流電界付与電極４０に交流電圧を印加するための交流電圧印加装置４１と、を備える導電性又は半導電性膜の形成装置。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に割れおよび／またはクラックを発生させること無くＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、第１の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、結晶成長容器１内において、第１の主面１０ｍおよび第１の主面１０ｍと反対側の第２の主面１０ｎにかかる圧力が均等な状態で、第１の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素原料ガス５を溶解させた溶液７を接触させることにより、第１の主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。ここで、下地基板１０上に、第１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２１としてＡｌＮ結晶、第２層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２２としてＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０＜ｘ２＜１）結晶、第３層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２３としてＧａＮ結晶を順次成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】無機化合物の表面を溶液プロセスによって効率的に特定の有機化合物で修飾し、有機薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】無機化合物の最表層に、下記一般式（１）で表される官能基を２つ以上有する化合物の単分子膜を形成し、次いで前記化合物において前記無機化合物に結合していない下記一般式（１）で表される官能基の一部もしくは全部を水素原子に変換する、無機化合物の表面修飾方法および有機薄膜の製造方法。


（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上第一の有機分子層１２と、該第一の有機分子層１２に積層された第二の有機分子層１４とを備え、該第一の有機分子層１２と第二の有機分子層１４が、第一の結合部１３によって接続され、前記第一の結合部１３の構成が、前記第一の有機分子層１２と前記第二の有機分子層１４との間を接続する第一の共有結合部１３１と、前記第一の有機分子層１２および／または前記第二の有機分子層１４と、前記第一の共有結合部１３１の構成原子との間を接続する第一の化学結合１３２からなる有機デバイス。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）