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Fターム[5F053LL04]の内容

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Fターム[5F053LL04]に分類される特許

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【課題】複数回同一の化学浴析出溶液を用いたバッファ層析出を行う場合に、バッファ層表面への粒子状固形物の付着を効果的に抑制すると共に、複数回目に成膜されるバッファ層の品質低下を抑制する。
【解決手段】同一の化学浴析出溶液を用いて繰り返しn回(nは2以上の整数。)、各回毎に光電変換半導体層を最表面に備えた新たな基板の光電変換半導体層上に、バッファ層の成膜を行う場合に、m回目(mは2≦m≦nを満たす整数。)の成膜中に、あるいはm−1回目の成膜とm回目の成膜との間の成膜を行っていない段階に、ろ過フィルタを用いて化学浴析出溶液をろ過するものとし、各回の成膜時間は、1分以上30分以内で、かつ、m回目成膜時間を、m−1回目の成膜時間よりも長くするものとし、各回の成膜はいずれも化学浴析出溶液のpHが9.3〜13の条件下で行う。 (もっと読む)


【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム25bに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴26を放出させ、ソースフィルム25bに対向配置した基板30に量子ドット材料の微小液滴26を固着させて、基板30上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高価なクリンルームと高価な真空プロセス装置を使うことなく低コストで製造でき、廃棄部分も少なく環境性に優れ、かつ結晶品質が高いことによる例えば半導体性能の高い有機単結晶薄膜作成法を提供すること。
【解決手段】溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端を薄くくし他端を厚くして、該一端側の溶媒を蒸発させることにより結晶を析出させるとともに、薄い部分を他端に移動させることにより結晶を順次析出させることを特徴とする有機単結晶薄膜の作成法である。前記液滴は反磁性とし、一端から強磁場を付加する。
溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端から反対端に向かい所定の速度で磁場を移動させて該液滴の一端の厚みを減少させて結晶を該一端から順次析出させることを有機単結晶薄膜の作成法。 (もっと読む)


【課題】CZTS系半導体からなる光吸収層の上に良好な特性を持つCdSバッファ層を形成することが可能なCZTS系半導体用バッファ層の製造方法、このような方法に用いられるCZTS系半導体用CBD溶液、及び、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】酢酸カドミウム、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むCZTS系半導体用CBD溶液。CZTS系半導体用CBD溶液に、CZTS系半導体層が形成された基板を浸漬し、前記CZTS系半導体層の表面にCdS膜を形成するCBD工程と、前記CdS膜を200℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えたCZTS系半導体用バッファ層の製造方法。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 (もっと読む)


【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、p型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してi型半導体を形成し、その上層にn型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 (もっと読む)


共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜110の製造方法は、液体材料108を塗布して塗布膜109を形成する工程と、塗布膜109を熱処理する工程と、を含み、液体材料108がシラン化合物11とドーパント化合物12とを含む溶液に、第1の光源111から射出される第1の光と、第2の光源112から射出される第1の光と波長の異なる第2の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体溶液L1とポリマー溶液L2とを基板1上に個別に供給することにより、有機半導体溶液L1とポリマー溶液L2との混合液層5aを形成する。混合液層5aを乾燥させて半導体層5を形成する。有機半導体溶液L1およびポリマー溶液L2は、インクジェット法のような印刷法によって基板1上に供給する。 (もっと読む)


【課題】半導体結晶の膜厚を均一にすると共に、その結晶性を高く均一にする方法を提供する。
【解決手段】昇温開始後、混合フラックス中の窒素(N,N2)が過飽和近くに達するまでの20時間、坩堝を40rpmの回転数で、それぞれ1分の正回転期間と、1分の負回転期間とで2分を1周期として、回転方向を切り換える。半導体結晶の成長工程においては、漸増期間、正回転期間、漸減期間、停止期間、漸増期間、負回転期間、漸減期間、停止期間を1周期として、回転速度が制御される。この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分(N2またはN)が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。また、回転を切り換えるときに、フラックスの乱流が発生しないため、結晶粒界が大きくなり、結晶転位密度を低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの作製過程で成膜に使用可能な水性の有機半導体分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも電荷輸送能力のある有機半導体粉体と、水を主成分とする溶媒と、を含有するとともに、有機半導体粉体が前記溶媒中に分散してなる電子デバイス作成用水性分散液が提供される。この電子デバイス作成用水性分散液は、有機トランジスタや感光体などの各種電子デバイスの製造にあたり、被処理体上に適用され、乾燥させることにより有機半導体膜を成膜する用途に用いられる。 (もっと読む)


【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(i)基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、(ii)前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び(iii)前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 (もっと読む)


【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、III族窒化物種結晶を含み、III族窒化物種結晶は主領域1sと主領域1sに対して<0001>方向の極性が反転している極性反転領域1tとを有する下地基板1を準備する工程と、下地基板1の主領域1sおよび極性反転領域1t上に液相法によりIII族窒化物結晶10を成長させる工程を含み、III族窒化物結晶10は、酸化物の反応容器7内で成長され、主領域1s上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の大きい第1の領域10sが、極性反転領域1t上に成長するIII族窒化物結晶10の成長速度の小さい第2の領域10tを覆う。 (もっと読む)


基板に接着させたIII−V族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に0.01Paと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスIII−V族材料層が形成されるまで、0.05Paと2.5Paとの間の動作圧力で基板の表面に活性V族物質を導入し、且つ、III族金属蒸気を導入する手順を備える。 (もっと読む)


【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】GaN単結晶層を有する種結晶10のc軸は水平方向(y軸方向)に配向され、種結晶10の1つのa軸は鉛直方向に配向され、1つのm軸はx軸方向に配向される。このため、挟持具T上の点p1,p2,p3は、何れも種結晶のm面と接する。即ち、この挟持具Tは、挟持部材T1,T2を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材T1は、育成原料溶液の上面αに対して30°傾斜した端部T1aを有している。この様に、種結晶をm面で支持する理由は、m面がa面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のc面成長を阻害させないためである。なお、種結晶10及び挟持具Tは、それぞれy軸方向に複数周期的に配列されている。 (もっと読む)


【課題】陰イオンをOサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液2として、リン酸塩を含む原料溶液2を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および/または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Zn3(PO42を用いる。 (もっと読む)


【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi2単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩23をSi基体22と接触させることによってβ-FeSi2をSi 基体22上に形成するβ-FeSi2形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si+2 FeCl2=2β-FeSi2+SiCl4 (1) (もっと読む)


【課題】塗布法によりゲルマニウム膜を形成するための成膜法、そのためのゲルマニウムポリマーとその製造法を提供する。
【解決手段】テトラハロゲン化ゲルマニウムと、式RQX(ここで、Rは1価の有機基であり、Qはゲルマニウム原子またはマグネシウム原子を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1または3である)で表わされる有機金属ハライドと、リチウムおよび/またはマグネシウムを反応させる第1工程および第1工程で得られた反応生成物をLiAlHで処理する第2工程により、ゲルマニウムポリマーを製造する。また、このゲルマニウムポリマーの溶液を基体表面上に塗布し、加熱し次いで熱および/または光で処理してゲルマニウム膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝3のノズル部2からシリコンの融液1を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液1を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝3を振動させる加振手段7と、坩堝3内を加圧して融液4を排出する加圧手段と、排出された融液1を観察する観察手段9と、観察された融液1の落下状態を調節するために加振手段7を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 (もっと読む)


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