【課題】Ｚｎに対するＭｇ添加量を３０ｍｏｌ％以上にすることが可能なＺｎＭｇＯ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つｐＨを横軸とする水溶液状態図で、Ｚｎ（ＯＨ）_２が析出する領域とＺｎＯ_２^２−が存在し得る領域とを画定する線αが、マグネシウムイオンが存在し得る領域とＭｇ（ＯＨ）_２が析出する領域とを画定する線βよりも低ｐＨ側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Ｚｎ原料及びＭｇ原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域にアンモニア水溶液のｐＨ並びにアンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する調整工程と、該調整工程後に、アンモニア水溶液の温度を、Ｚｎ（ＯＨ）_２及びＭｇ（ＯＨ）_２が析出する温度に高める加温工程と、該加温工程後に、析出物を焼成する焼成工程と、を有する、ＺｎＭｇＯ膜の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｉ−II−IV−VI族化合物を含む半導体層を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、構造式（１）で表される第１錯体化合物およびIV−Ｂ族元素を含む半導体層形成用液を用いて皮膜を形成する工程と、皮膜を加熱してＩ−II−IV−VI族化合物を含む半導体層にする工程とを具備する。
【化１７】
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【課題】量子ドットの配列パターンを制御可能であり、多大な工数を要することなく量子ドット層を形成可能な新たな手段を提供する。
【解決手段】量子ドットの配列パターンに対応するパターンのレーザ光を、量子ドット材料の薄膜により形成されたソースフィルム２５ｂに照射し、該レーザ光が照射された部位から前記量子ドット材料の微小液滴２６を放出させ、ソースフィルム２５ｂに対向配置した基板３０に量子ドット材料の微小液滴２６を固着させて、基板３０上に前記配列パターンで複数の量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性の良い製造が可能であり、安定したｐｎ接合を有するバッファ層を備えた化合物半導体系光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、基板１０上に、下部電極層２０と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層されてなり、バッファ層４０が、カドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む複数の連結微粒子４１０を備えた微粒子層４１と、微粒子層４１の直上に備えられた、カドミウム不含金属元素の酸化物を少なくとも含む薄膜層４２及び／又はカドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む薄膜層４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】バルクヘテロ接合層のドメインサイズを精度よく制御可能な有機薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１電極層、光電変換層及び第２電極層の順に形成してなる有機薄膜太陽電池の製造方法であって、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体と、有機溶媒とを含む塗工液を、第１電極層上に塗布し、形成された塗膜を真空乾燥して有機溶媒を除去してバルクヘテロ接合層を形成し、第２電極層を形成する前、形成中及び形成後のいずれかにバルクヘテロ接合層を加熱してバルクヘテロ接合層のドメインサイズを制御する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ法によるバッファ層の成膜において、密着性の良好なバッファ層を、粒子状固形物の生成を抑制し、生産性良く製造する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層３０と、バッファ層４０と、透光性導電層５０が順次積層された光電変換素子１（１’）におけるバッファ層４０の製造方法において、光電変換半導体層３０上に金属塩水和物を含む前駆体層４０Ｒを塗布成膜する工程（Ａ）と、前駆体層４０Ｒを不溶化処理する工程（Ｂ）と、不溶化処理された基板１０の少なくとも前駆体層４０Ｐ側の表面を、硫黄源を含むアルカリ性の反応液Ｌ１（Ｌ２）に浸漬させて、バッファ層４０を化学浴析出法により形成する工程（Ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 膜質のばらつきの少ない化合物半導体膜を作製すること。
【解決手段】 ＣＢＤ法によって化合物半導体膜を成膜するための成膜用溶液中の凝集物を、成膜前および成膜中の少なくとも一方において遠心分離によって分級することによって、前記成膜用溶液中の前記凝集物の平均粒度を所定値以下に制御すること。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる化合物半導体膜においてはおり大面積・均一・低コストの生産性の高い製造プロセスが求められている。本実施例では、これらの化合物半導体膜の低温での大面積薄膜製造を可能ならしめる新しいプロセスを見出した。
【解決手段】我々は超臨界流体を反応溶媒として用いることで、低毒性な有機化合物を添加元素ソースとして、金属膜の変換による化合物半導体膜の製造プロセスを低温で行うことに成功した。一例として、セレン化プロセスをあげると、３００℃という低温環境下において、添加元素ソースとして、毒性の低いジエチルセレンを用い、ＣｕＩｎ前駆体合金膜をセレン化することによりＣｕＩｎＳｅ_２化合物半導体膜を１時間程度の短時間で作製することに成功した。 （もっと読む）

【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、Ｘ線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が１００ｎｍ以下である、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及び、Ｓを含有する半導体粒子とする。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮化することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部を有する第一チャンバーと、前記塗布膜を加熱する第一加熱部を有する第二チャンバーと、前記第一チャンバーと前記第二チャンバーとを接続する接続部とを備え、前記接続部として、前記基板に塗布された前記塗布膜を加熱する第二加熱部及び前記塗布膜の周囲の圧力を調整する圧力調整部を有し、前記塗布膜に含まれる前記溶媒の少なくとも一部を気化させる第三チャンバーが用いられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層にＺｎイオンの高濃度拡散を行い、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】少なくとも１種のＺｎ源と、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも１種のアルカリ剤とを含み、Ｚｎ源の濃度が０．１Ｍ以上、アルカリ剤の濃度が２Ｍ以下であるｐＨ９〜１３の反応液を用意し、２０℃から４５℃の所定温度に調整した反応液中に、下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して所定時間維持することにより、光電変換層中にＺｎイオンを拡散させ、その後、５５℃から９０℃の所定温度に調整した反応液中に、拡散工程を経た下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して、光電変換層上に高抵抗酸化物層としてＺｎＯ層を析出させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 （もっと読む）

【課題】塗布環境の変化を抑制すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上にガリュウムを堆積する方法を提供する。
【解決手段】ガリウムを含むガリウム成分；１，３−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物から選択される安定化成分、および１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エンからなる群から選択される添加剤、並びに液体キャリアを当初成分として含み、安定な分散物であるガリウムインクを用い基板に堆積し加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】ドーパントが所定濃度より高い濃度にドープされた第１の半導体粉末と、ノンドープあるいは前記ドーパントが所定濃度より低い濃度にドープされた第２の半導体粉末とを、平均ドーパント濃度が所定濃度と等しくなる比率で含む組成物を調製し、この組成物からなる所定質量の小塊を形成する。この小塊を加熱して球状の溶融体を形成し、これを凝固させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】 大型化された成膜槽に投入された実際の混合液の重量を測ることは、重量計の測定限界などにより測定することが困難になる場合があった。
【解決手段】 第１開口部に第１ピストンが挿通されているとともに前記第１開口部よりも開口面積が小さい第２開口部に第２ピストンが挿通されている、前記第１ピストンと前記第２ピストンとの間に液体が封入されたシリンダーと、前記第１ピストンに搭載された成膜用槽と、該成膜用槽と切り離し可能に設けられている、成膜用溶液を前記成膜用槽内に供給する供給系機構と、前記成膜用槽と連動するように設けられている、前記成膜用溶液を前記成膜用槽内で循環させる循環系機構と、前記成膜用槽と切り離し可能に設けられている、前記成膜用溶液を前記成膜用槽内から排出する排出系機構とを具備すること。 （もっと読む）

【課題】 製造工程が容易であるとともに光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置１０の製造方法は、多価アルコールを含む第１の有機溶媒に第１の金属元素を含む金属化合物を溶解して原料溶液を作製し、原料溶液を加熱して第１の金属元素を含む金属微粒子を作製する工程と、金属微粒子を第１の有機溶媒から取り出し、第１の有機溶媒の沸点以上の温度で熱処理する工程と、熱処理した金属微粒子を第２の有機溶媒に分散して半導体層形成用溶液を作製し、半導体層形成用溶液を電極上に被着し、乾燥して金属微粒子を含む皮膜を作製する工程と、カルコゲン元素を含む雰囲気下で皮膜を加熱して、金属微粒子とカルコゲン元素とを反応させて成る、光電変換層としての半導体層３を作製する工程とを具備する。 （もっと読む）