【課題】転位密度の小さな結晶を生産性よく成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】反応容器５内に基板７を設置した後、加熱装置４を用いて、反応容器５の温度が原料金属の融点以上になるように加熱し、原料金属が融解させ原料液８を得る。原料液は１ｍｍ以下の薄膜として基板７上に形成されることが好ましい。つづいて原料ガスを、供給部２０である供給装置２１から接続パイプ２３を介して、耐熱耐圧容器３内に供給することにより原料液８と原料ガスとを反応させ、原料液８と原料ガスとの化合物の結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】治具からのオートドープによる固定されたカーボンの濃度プロファイルではなく、調整された任意のカーボン濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±５０％の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】 高品質な粒状シリコン結晶を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置に適した結晶シリコン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】上面に複数個の半導体粒子１０１を載置した台板１０２を加熱炉２０１内に導入し、半導体粒子１０１を加熱して溶融させた後、この溶融した半導体粒子１０１を台板１０２側から上方に向けて固化させることによって結晶半導体粒子１０１とする結晶半導体粒子１０１の製造方法である。また、台板１０２は、上面の表面の表面粗さの平均間隔ＲＳｍが半導体粒子１０１の直径よりも小さい粗面とされていることで、小面積の凝固起点を有することにより、得られる結晶が電気特性に優れた高品質の単結晶となる。また、第１導電型のドーパントに一方の極１０３から対向する極１０４に向かって濃度勾配が形成されている結晶半導体粒子１０１を用いて、高い変換効率の光電変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。 （もっと読む）