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Fターム[5F053PP14]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 前処理・後処理 (287) | 他種の成長を行うもの (23) | 物理的気相成長(PVD) (5) | 分子ビームエピタキシャル成長(MBE) (4)

Fターム[5F053PP14]に分類される特許

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【課題】特性を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ1cは、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)を含むAlyGa(1-y)As基板(0≦y≦1)と、AlxGa(1-x)As層の主表面11a上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層20とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aの不純物濃度は、裏面11bの不純物濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した3族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】3族元素、アルカリ金属および3族元素窒化物の種結晶基板20を結晶成長容器18に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器18内を加圧加熱し、種結晶基板20を核として3族元素窒化物結晶を成長させる3族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第1の炭化水素および第1の炭化水素よりも沸点が高い第2の炭化水素を準備し、結晶成長容器18内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第1の炭化水素および第2の炭化水素の少なくとも第1の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器18に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第1の炭化水素を結晶成長容器18内から除去した後、第2の炭化水素の存在下、結晶成長容器18内を加圧加熱して3族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したIII族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素、アルカリ金属およびIII族元素窒化物の種結晶20を結晶成長容器18に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内18を加圧加熱し、前記III族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液21中で前記III族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶20を核としてIII族元素窒化物結晶を成長させるIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液21を、前記結晶成長面22に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶20の結晶成長面22にIII族元素窒化物結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi2単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩23をSi基体22と接触させることによってβ-FeSi2をSi 基体22上に形成するβ-FeSi2形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si+2 FeCl2=2β-FeSi2+SiCl4 (1) (もっと読む)


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