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Fターム[5F053RR04]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 目的、効果、機能 (507) | 品質の安定化(歩留り向上) (93)

Fターム[5F053RR04]に分類される特許

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【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】CNTとゲート絶縁膜との相互作用を高め、良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子を提供する。
【解決手段】本発明のスイッチング素子は、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された活性層とを具備する。前記活性層は、カーボンナノチューブを含み、前記ゲート絶縁膜は、側鎖に芳香族環を有する非共役高分子を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】生産性の良い製造が可能であり、安定したpn接合を有するバッファ層を備えた化合物半導体系光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子1は、基板10上に、下部電極層20と、化合物半導体を主成分とする光電変換半導体層30と、バッファ層40と、透光性導電層50が順次積層されてなり、バッファ層40が、カドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む複数の連結微粒子410を備えた微粒子層41と、微粒子層41の直上に備えられた、カドミウム不含金属元素の酸化物を少なくとも含む薄膜層42及び/又はカドミウム不含金属の硫化物、カドミウム不含金属の酸化物、及び、該硫化物と該酸化物との固溶体を少なくとも含む薄膜層42とを備える。 (もっと読む)


【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板1上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜3を形成し、この際基板に非育成面1bを形成する。複数の種結晶膜3上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜3が互いに非育成面1bによって分けられており、複数の種結晶膜3が、それぞれ、一方の端部3a、他方の端部3bおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部3cを備えている。種結晶膜3の一方の端部3aの幅Waが他方の端部3bの幅Wbよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 (もっと読む)


【課題】結晶品質の良いIII族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板1と、基板1上に形成されたIII族窒化物からなるバッファ層2およびこのバッファ層2上に形成されたIII族窒化物単結晶からなる種結晶膜3を備える複数の育成部9とを備えており、隣り合う複数の育成部9の間に基板1の表面1bが露出している育成用部材7を使用する。育成用部材7をウエットエッチングに供することによってバッファ層2を育成部9の端面からエッチングし、次いでIII族窒化物単結晶を種結晶膜3上にフラックス法によって育成する。 (もっと読む)


【課題】溶液内のC溶解度を高めてSiC単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うSiC成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ10内の底部にSiC種結晶20を設置すると共に、るつぼ10内にSiとCとX(XはSc及びYを除く遷移金属、Al、Ge及びSnから選ばれる1種以上)を含む溶液30を存在させ、溶液30を過冷却させて種結晶20上にSiC単結晶を成長させると共に、SiC単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ10の上部から溶液30に粉末状もしくは粒状のSi及び/又はSiC原料41を添加する。 (もっと読む)


【課題】 製造工程が容易であるとともに光電変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置10の製造方法は、多価アルコールを含む第1の有機溶媒に第1の金属元素を含む金属化合物を溶解して原料溶液を作製し、原料溶液を加熱して第1の金属元素を含む金属微粒子を作製する工程と、金属微粒子を第1の有機溶媒から取り出し、第1の有機溶媒の沸点以上の温度で熱処理する工程と、熱処理した金属微粒子を第2の有機溶媒に分散して半導体層形成用溶液を作製し、半導体層形成用溶液を電極上に被着し、乾燥して金属微粒子を含む皮膜を作製する工程と、カルコゲン元素を含む雰囲気下で皮膜を加熱して、金属微粒子とカルコゲン元素とを反応させて成る、光電変換層としての半導体層3を作製する工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】厚さおよび大きさを制御しながら単結晶の有機薄膜を迅速かつ容易に形成することが可能な有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】温度制御可能な支持体1により支持された製膜用基体10の一面(幅広の溶液蓄積領域11およびそれに連結された幅狭の溶液絞込領域12)に有機溶液20を供給したのち、支持体1とは独立して温度制御可能な移動体4を有機溶液20に接触させながら支持体1の表面に沿って移動させる。支持体1の温度TSは、有機溶液20に関する溶解度曲線と過溶解度曲線との間に位置する温度に設定されると共に、移動体4の温度TMは、溶解度曲線よりも高温側に位置する温度に設定される。 (もっと読む)


【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面110と、主面110を取り囲む側面とを有する下地板100が準備される。側面は、先端部121と、先端部121につながる側方部131と、先端部121に対向する後端部141とを有する。後端部141は側方部131に後端角部151を介してつながっている。後端角部151は、側方部131と後端部141との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面110を浸漬することによって、主面110上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部121を引き上げた後に後端部141を引き上げることによって、融液から主面110が取り出される。融液から取り出された主面110から薄板が取り外される。 (もっと読む)


【課題】MSE法を用いて、不純物濃度の面内分布のバラツキが充分に抑制されたSiCエピタキシャル膜を作製することができるSiC半導体薄膜の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】準安定溶媒エピタキシャル法により、SiC半導体薄膜を作製するSiC半導体薄膜の作製方法であって、基板設置治具上に、複数の底面スペーサを所定の間隔を設けて配置し、底面スペーサ上に、炭素原子供給基板、複数の上部スペーサ、Si板および単結晶SiC種基板を、順に積み重ね、その後、Siの融点よりも高い所定の温度まで昇温して、単結晶SiC種基板上に、単結晶SiC膜をエピタキシャル成長させて、SiC半導体薄膜を作製するSiC半導体薄膜の作製方法および作製装置。 (もっと読む)


【課題】高性能でばらつきの少ない有機薄膜トランジスタとその簡便な製造方法の提供。
【解決手段】(1)基板上にソース電極、ドレイン電極、及びソース電極とドレイン電極の間のチャネル部を構成するインクジェット法で形成された有機半導体層を有し、前記チャネル部は、平面視において前記有機半導体層の輪郭の最大幅Rを与える線分の中点を含まず、チャネル長Lが、前記最大幅Rに対し「L<R/2」を満たす有機薄膜トランジスタ。
(2)前記有機半導体層では、前記輪郭から中点に向かって結晶粒が配向しており、前記ソース電極領域から成長した結晶粒と、ドレイン電極領域から成長した結晶粒とが衝突して形成される結晶粒界αが前記チャネル部に無い(1)記載の有機薄膜トランジスタ。
(3)有機半導体材料を含むインクを用い、インクジェット法により有機半導体層を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】性能が高くばらつきの少ない有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを有する有機トランジスタアレイおよび表示装置を提供する。
【解決手段】ドレイン電極4の電極表面の一部に、周囲の電極表面よりも表面エネルギーが高い高表面エネルギー部17を形成し、高表面エネルギー部17を含むソース電極3及びドレイン電極4のチャネル部に、インクジェット法により有機半導体材料と溶媒を含むインク18を塗布して有機半導体層1を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第1の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属の混合液を形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第2の工程を備え、前記種基板上の前記混合液の平均流速をα、前記種基板上の最大流速平均値をA、前記種基板上の前記混合液の最大流速バラツキをBとしたときに、前記第2の工程中に式(1)及び式(2)を満たす条件で前記混合液が流動するように、前記混合液を撹拌する。
α≧0.008(m/s) (1)
B/A≦0.6 (2) (もっと読む)


【課題】反応容器の気密を保ちつつ融液を攪拌し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとNa/Ga混合融液3とを反応させて該混合融液3に浸漬された種基板2上にGaN結晶を成長させる反応容器10と、反応容器10を挿通して設けられた駆動軸41を駆動させ混合融液3を攪拌する攪拌装置40と、を有する窒化ガリウム製造装置1であって、攪拌装置40は、駆動軸41を軸方向に直動駆動させる駆動装置45と、上記軸方向において伸縮自在とされ、一端部が駆動軸41に気密に固定されて他端部が反応容器10に形成された駆動軸41が挿通する孔部12aを気密に囲って反応容器10に固定されているベローズ管44と、を有するという構成を採用する。 (もっと読む)


【課題】撥水性の高い基板上に膜厚のバラツキなく成膜される有機半導体膜の製造方法及びそのような有機トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に有機半導体材料を含む溶液を供給し、乾燥させることにより薄膜を形成させる有機半導体膜の形成方法において、基板の水接触角が50°以上であり、溶液に粒径10nm以上30nm以下の絶縁性微粒子を0.1wt%以上1.0wt%以下含有することを特徴とする有機半導体膜の製造方法及び有機トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】 高品質の焼結金属製品の製造や、結晶成長を行う事前作業として、原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスの除去を確実に行い、製品品質、結晶品質の改善を行う準備作業に関する。
【解決手段】 原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスを高真空下で除去し、さらに、高温不活性ガスで原材料を昇温し、原材料表面に吸着しているガス成分や、水分の再吸着を防止し、焼結製品品質、結晶品質の改善を行うことを目的とした焼結金属材料や結晶材料準備作業方法に関する。 (もっと読む)


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