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Fターム[5F053RR20]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 目的、効果、機能 (507) | その他の目的、効果、機能 (88)

Fターム[5F053RR20]に分類される特許

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【課題】周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に用いられる反応容器等の部材は、繰り返し及び/又は長時間の使用によって、変質及び/又は劣化が進行することがあり、交換することが必要となるが、頻繁に新しい部材に交換することとなると製造コストの増大を招くことになる。
【解決手段】変質及び/又は劣化した部材を、色彩値(L*値)及び/又は膨張率が特定
の範囲の数値になるように処理することによって、第13族窒化物半導体結晶の製造に再利用できるように部材に再生することができる。 (もっと読む)


【課題】Znに対するMg添加量を30mol%以上にすることが可能なZnMgO膜の製造方法を提供する。
【解決手段】亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を縦軸とし且つpHを横軸とする水溶液状態図で、Zn(OH)が析出する領域とZnO2−が存在し得る領域とを画定する線αが、マグネシウムイオンが存在し得る領域とMg(OH)が析出する領域とを画定する線βよりも低pH側に位置する温度のアンモニア水溶液に、Zn原料及びMg原料を溶解し、線αと線βとで挟まれた領域にアンモニア水溶液のpH並びにアンモニア水溶液中の亜鉛イオン濃度及びマグネシウムイオン濃度を調整する調整工程と、該調整工程後に、アンモニア水溶液の温度を、Zn(OH)及びMg(OH)が析出する温度に高める加温工程と、該加温工程後に、析出物を焼成する焼成工程と、を有する、ZnMgO膜の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】 I−II−IV−VI族化合物を含む半導体層を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、構造式(1)で表される第1錯体化合物およびIV−B族元素を含む半導体層形成用液を用いて皮膜を形成する工程と、皮膜を加熱してI−II−IV−VI族化合物を含む半導体層にする工程とを具備する。
【化17】
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【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機マグネシウム化合物及び無機亜鉛化合物の少なくともいずれかと、グリコールエーテル類とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 (もっと読む)


【課題】高い配向性及び高い硬膜度の有機薄膜、及びその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物の配向を、プラズマ照射による重合により固定してなる有機薄膜である。また、少なくとも1種の重合性液晶化合物を含有する組成物を配向させること、前記組成物を配向させるとともに、又は配向させた後に、前記組成物にプラズマを照射して重合を進行させて、配向を固定すること、
を含む有機薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜(160)は、複数の細長シリコン粒子(22)が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子(22)は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜(160)を製造する本発明の方法は、第1のシリコン粒子分散体を、基材(100)上に塗布し、乾燥し、光(200)を照射して、第1の半導体シリコン膜(130)を形成する工程、第2のシリコン粒子分散体を、第1の半導体シリコン膜(130)に塗布し、乾燥し、光(200)を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第1のシリコン粒子分散体の第1のシリコン粒子の分散が5nm以上である。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 (もっと読む)


【課題】塗布環境の変化を抑制すること。
【解決手段】易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気中における前記溶媒の濃度が閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバー内の雰囲気から隔離させる隔離部とを備える。 (もっと読む)


【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも1つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも1つの堆積層を硬化させる少なくとも1つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも1つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、1)レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにX−Yビームの偏向モジュールの位置を制御すること、2)レーザの位置をX−Yテーブルを介して制御すること、又は3)基板の位置をX−Yテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体(110)を製造する本発明の方法は、(a)基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、(b)シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び(c)未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体(110)は、基材(112)及び半導体シリコン膜(118)を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、1.0cm/V・s以上である。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板1上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜3を形成し、この際基板に非育成面1bを形成する。複数の種結晶膜3上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜3が互いに非育成面1bによって分けられており、複数の種結晶膜3が、それぞれ、一方の端部3a、他方の端部3bおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部3cを備えている。種結晶膜3の一方の端部3aの幅Waが他方の端部3bの幅Wbよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】A)ポリシロキサン系樹脂、B)有機金属化合物、C)有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して10〜80重量%である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 (もっと読む)


【課題】電気的特性に優れる金属酸化物半導体薄膜を低温でも形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。更に、本発明は、該金属酸化物半導体粒子分散組成物を用いた金属酸化物半導体薄膜、透明導電膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体粒子と分散媒を含有する金属酸化物半導体粒子分散組成物であって、前記金属酸化物半導体粒子は、平均粒子径が1〜50nmであり、かつ、平均粒子径/平均結晶子径が1〜3である金属酸化物半導体粒子分散組成物。 (もっと読む)


本発明の一態様は、アモルファス金属酸化物半導体を製造する方法に関する。実施形態では、薄膜は、混合溶液から出発要素として基板上に塗布される。例えば、混合溶液は、少なくとも溶剤中にInアルコキシドとZnアルコキシドを含む。特に、基板上に塗布された、混合溶液から生成された薄膜は、例えば210℃以上275℃以下の温度範囲において、水蒸気雰囲気中で熱アニールされることで硬化されている。
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【課題】従来困難とされていた、シランカップリング試薬を用いて、水素終端化処理されたシリコン基板の表面修飾を極めて効率的に行う手段を開発し、センシング電極や有機エレクトロニクス素子の材料として有用な、新たな表面修飾半導体シリコン基板を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
ドーパント処理されたN−またはP−型シリコン基板を、酸化処理せず、水素終端化処理されている状態でシランカップリング試薬による表面処理を行い、表面修飾半導体シリコン基板を得る。また、この方法によれば、自己集合膜(SAM)に匹敵するようなシランカップリング試薬の高密度単分子膜による修飾も可能である。 (もっと読む)


【課題】高い結晶性を有することで移動度の高い有機半導体薄膜を提供する。
【解決手段】高分子と有機半導体の混合溶液を基板上にスピンコートなどで塗布することにより、下層に高分子、上層に有機半導体が層分離した薄膜が形成される(図のa))。これに、有機半導体と高分子の両方を溶解できる溶媒を使用して溶媒蒸気アニールを行うことにより、有機半導体分子が高分子層の上を移動して有機半導体膜を再構成し、b)のように、粒界が少なく、また単結晶が大きく成長した有機半導体薄膜を得る。 (もっと読む)


【課題】加工処理を行わずとも結晶の所在および結晶方位を容易に視認できる窒化物結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶の外周に成長した窒化物結晶において、第1の部分領域と、光学的特性が該第1の部分領域と異なっており、かつ結晶方位を示す光学的特性を有する第2の部分領域と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】特性を向上できる赤外LED用のエピタキシャルウエハおよび赤外LEDを提供する。
【解決手段】赤外LED用のエピタキシャルウエハ1cは、主表面11aと、主表面11aと反対側の裏面11bとを有するAlxGa(1-x)As層(0≦x≦1)を含むAlyGa(1-y)As基板(0≦y≦1)と、AlxGa(1-x)As層の主表面11a上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層20とを備える。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。AlxGa(1-x)As層において、主表面11aの不純物濃度は、裏面11bの不純物濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】結晶の結晶片又はその集合体における被形成体に対する付着力が高い、有機結晶構造物を提供すること。
【解決手段】基板12に直接接触して設けられた有機化合物の単結晶の結晶14と、結晶14が設けられた基板12の面18と同一面20に直接接触し、かつ、前記結晶14における周囲の少なくとも一部に直接接触して設けられた、有機化合物の非晶質の薄膜16と、を有する、有機結晶構造物10である。 (もっと読む)


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