【課題】長期のダウンタイムの発生を抑え、生産性の低下を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、ステージＳｔを内蔵する描画室１を備え、ステージＳｔ上に支持部材である支持ホルダ４０を介して載置されるマスクＭに、電子ビームを照射して所望のパターンを描画するようにする。ステージＳｔは、支持ホルダ４０を３点で支持する支持ピン４３を有し、支持ホルダ４０は、その一部に導電膜が設けられるとともに、マスクＭを３点で支持する支持部４２を有するように構成される。描画を終えた後は、支持ホルダ４０を描画室１から搬出して、支持ホルダ４０用の収納室に収納するかまたはクリーニングするかを選択するようにする。 （もっと読む）

【課題】変形が生じる部材からの所定方向の応力の静電偏向器の電極支持部などへの伝達を抑制し、複数の荷電粒子ビームの偏向ばらつき等を低減することができる荷電粒子光学系を提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系は、熱による変形が生じる可能性がある第１の部材１１２と、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向する静電偏向器１１３と、を含む。静電偏向器は、第１の部材に固定された固定部７を介して第１の部材と組み立てられ、静電偏向器は、電極支持部５と、電極支持部に支持される第一の電極と２第二の電極３を有する。第一及び第二の電極間には、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向するための電界を発生させるギャップ１１が形成されている。電極支持部５は、第１の部材１１２からの電界方向の変形応力の固定部７を介する電極支持部５への伝達が低減されるように、固定部７に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】電極保護膜を有する静電レンズにおける荷電粒子線の軸ずれの抑制、または構成部材の高精度な位置決め状態の実現、維持を可能とした静電レンズを提供する。
【解決手段】静電レンズは、貫通孔３を有する複数の電極１と、電極間に設けられて電極間の間隔を規定する絶縁スペーサ２を有する。絶縁スペーサ２は、その両面が、夫々、対向する電極１と接合されて両電極１と一体化されている。各電極１の両表面には電極保護膜４が配置され、電極保護膜４は、貫通孔３の内壁とこれから連続的に端部まで繋がった貫通孔３の周りの領域の電極１の表面に存在し、電極１と絶縁スペーサ２との界面には存在しない。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプテスターを使用してブランキングタイミングの調整を行うことで、セトリング時間の短縮を図り全描画処理に掛かる時間を短縮しスループットの向上を図るとともに、誰でも簡易、確実にＤＡＣアンプの調整を行うことができ、ＤＡＣアンプ調整時間の短縮までも図ることが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びブランキングタイミングの調整方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、ＤＡＣアンプ３４と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４から出力されるアナログ電圧信号を加算する加算回路を備えるＤＡＣアンプ診断回路３８と、ＤＡＣアンプ３４の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、ブランキングアンプ３３からのブランキング信号とＤＡＣアンプ診断回路３８からの加算回路出力信号を基にセトリング時間内におけるブランキングタイミングの調整を行う。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームリソグラフィシステム、及びターゲットの荷電粒子ビーム露光のために最適化されたターゲット位置決め装置を使用する動作方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３上に荷電粒子ビーム２を投影するための真空チャンバ５０に配置され、荷電粒子ビーム２を偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラム４と、ターゲット３を保持するためのキャリア及び偏向方向とは異なる第１の方向に沿ってキャリアを保持し移動させるためのステージ５２を有するターゲット位置決め装置５と、を具備し、このターゲット位置決め装置５は、荷電粒子光学カラム４に対する第１の方向にステージ５２を移動させるための第１のアクチュエータ５３を有し、キャリアは、ステージ５２に移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置５は、第１の相対位置にステージ５２に対してキャリアを保持するための保持手段を有する。 （もっと読む）

【課題】周方向にグルーブパターンとサーボパターンが交互に配置されてなる微細パターンを電子ビーム走査により描画する際の、各パターンの周方向描画位置の精度を向上させる。
【解決手段】回転ステージを回転させつつ、電子ビームを走査して原盤にパターン描画を行うに際して、ある所定領域へのサーボパターンの描画を開始する際に、その直前の所定領域にグルーブパターンを描画するための描画データ信号群のデータ信号の一部が描画されることなく残っている場合、そのデータ信号の一部を破棄して、ある所定領域の描画データ信号群に基づくパターン描画を開始する。 （もっと読む）

【課題】レジストの厚膜化を必要とせず、スループットの低下を最小限にして、ラフネスを向上させることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】パターンの面積密度と、電子ビームの照射量と、パターンのエッジラフネスとの関係を求め、所定の領域におけるパターンの面積密度と電子ビームの照射量とから、上記関係を用いて、このパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する。エッジラフネスが許容値を超える場合には、パターンの面積密度を小さくするリサイズ量を計算し、このリサイズ量に基づきリサイズされたパターンについて、上記領域におけるこのパターンの面積密度と電子ビームの照射量とを求め、上記関係を用いてこのパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する工程をエッジラフネスが許容値以下となるまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ゲインよるショットサイズの追加補正を行なっても、ショット位置にずれが生じず、パターンサイズと位置を精度良く補正できる方法および装置を提供することを目的とし、上記方法および装置を用いることにより、高精度のフォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン描画補正方法は、ショットサイズの追加補正を加えると共に、この追加補正量に基づいて、ショット位置を補正することで、パターンサイズと位置を精度良く補正することが可能となる （もっと読む）

【課題】パターン疎密差に伴う現像ローディングに起因するフォトマスクの寸法差を容易に低減する。
【解決手段】開口部パターン５の反転パターンにおいて開口部を広げる方向にリサイズした非開口部パターン７を形成し、開口部パターン５については、開口部４部分のレジスト膜３を除去するに十分な露光量でレジスト膜３への描画を行う。非開口部パターン７については、開口部パターン５の密なパターン領域である密部Ｐａと開口部パターン５の疎なパターン領域である疎部Ｐｂとのレジスト溶解量が同等程度となるように密部Ｐａ及び疎部Ｐｂの描画面積密度に基づき設定した非開口部パターン７の露光量でレジスト膜３への描画を行なう。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】描画処理が一時的に停止した場合に、ステージを移動して電子ビーム漏れによる試料への影響を低減することのできる電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、描画制御部１１２からのショット開始指示にしたがって、ショットデータ生成部１１１から供給されるショットデータの描画を行う偏向制御部１１３と、ショットデータ生成部１１１から偏向制御部１１３へのショットデータの送信が途切れた場合に、偏向制御部１１３からショット中断信号を受け取る試料面外退避制御部１１５と、描画制御部１１２からの指示を試料面外退避制御部１１５へ転送し、試料面外退避制御部１１５の指示にしたがってステージ１０２を移動させるステージ制御部１１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の被露光面を輻射冷却するのに有利な露光装置の提供。
【解決手段】 鏡面を有する基板ステージと、Ｘ−Ｙ平面に沿って進行するレーザー光をＺ軸方向に折り曲げるミラーと、ミラーを介して鏡面を照射したレーザー光によりＺ軸方向のステージの位置を計測する計測器と、レーザー光が鏡面を照射するように計測器を移動させる第１駆動部と、エネルギーを基板に照射する光学系と、を有し、基板を真空中で露光する露光装置を、Ｚ軸方向において光学系とステージとの間に配置され、エネルギーを通過させる第１開口と計測器の移動範囲にわたってレーザー光を通過させる第２開口とを有する第１輻射板と、第１輻射板を冷却する第１冷却器とを含む第１冷却部と、Ｘ−Ｙ平面に沿って進行するレーザー光を通過させる第３開口を有する第２輻射板と、第２輻射板を冷却する第２冷却器とを含む第２冷却部と、を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】これまでよりも効率的な誤差原因の探求に寄与することができる荷電粒子ビーム描画用データの生成方法を提供する。
【解決手段】平面座標系に従って回路パターン７３のレイアウトを特定する第１レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５のレイアウトを特定する第２レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５を囲む枠図形７４のレイアウトを特定する第３レイアウトデータを取得する。枠図形７４で囲まれる領域から回路パターン７３を削除する。回路パターン７３のレイアウトに対して枠図形７４で囲まれる領域に測定用マーク７５を合成する。 （もっと読む）

【課題】電子線露光によりフォトマスク上のパターンに発生するムラを解消するデータ処理技術の提示を目的とする。
【解決手段】描画データを任意のサイズのメッシュ状に区切る。次に乱数を発生させ、メッシュ状に区切られたデータのリサイズ量とする。乱数の並びに問題ないことを確認した後、区切られた各データに対し割り当てられたリサイズ量にてリサイズ処理を行い、再度データスマッシュをかける。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ描画装置に対し親和性の高い設計データであるか否かを判断することが可能なフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに対し微小図形処理を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このフラクチャ時にＥＢ描画用データに生じたスリット状の矩形数をカウントする。さらに、設計データに対しスリット状の矩形へ変換を行うパラメータを用いてフラクチャすることでＥＢ描画用データを作成し、このＥＢ描画用データ中のスリット状の矩形数をカウントする。これらスリット状の矩形数の差分が一定の割合未満であると判断された時はＥＢ描画装置でフォトマスクの製造を開始する構成にした。 （もっと読む）

【課題】スループットを改善することのできる基板処理装置、及び基板処理装置の温調方法、及びこれら基板処理装置や温調方法を用いるデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気圧下にあるウエハＷの雰囲気を減圧して減圧雰囲気に変更する第１チャンバ１６と、減圧雰囲気に維持され、第１チャンバ１６から搬送されたウエハＷに所定の処理を施す第２チャンバ１２とを備える。そして、第２チャンバ１２内の温度を、第１チャンバ１６内で大気圧から減圧雰囲気への変更に伴って変化するウエハＷの温度に対応する設定温度に調整する温調機構を備える。 （もっと読む）

【課題】寿命を短縮することなく輝度の向上が可能な電子銃用のエミッタ使用方法を提供する。
【解決手段】電子銃用のエミッタ使用方法において、エミッタ１４は、結晶質の金属六硼化物を用いて構成され、形状が円柱体の先端側を円錐台に形成して端面２が平面であるとともに、円錐台端面２が（３１０）結晶面であるように構成されており、そのエミッタを１×１０^−５Ｐａ以下の真空圧力で動作させるようにする。エミッタは、１６５０Ｋ〜１９００Ｋの動作温度で動作させることが好ましい。 （もっと読む）

２つ以上の静電容量センサ(３０ａ、３０ｂ)と、静電容量センサにエネルギを与える１つ以上のＡＣ電力源（３０６ａ、３０６ｂ）と、静電容量センサからの信号を処理する信号処理回路とを具備する、静電容量感知システム。センサは、ペアで配置されている。１つ以上のＡＣ電力源は、センサのペアのうちの第１のセンサに、センサのペアのうちの第２のセンサの電流又は電圧に対して位相が１８０度ずれている交流電流（３０７）又は電圧で、エネルギを与えるように構成されている。センサのペアは、１つの測定距離値に対する測定ユニットを備えている。信号処理回路は、ペアのうちの各センサから出力信号を受信し、ペアのセンサとターゲット（９）との間の平均の距離に関係する測定値を生成する。 （もっと読む）

【課題】ブランクスにおけるレジスト膜のアミン性化合物の吸着によるパターン寸法精度の低下を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成し、第１のプリベーク処理を行った後、大気露出させることなく、或いは化学増幅型レジスト膜に吸着されたアミン系化合物を実質的に全て脱着した状態で、荷電粒子ビームにより描画を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度な帯電効果補正処理を実行しつつ、処理の所要時間を短縮する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することによりパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度分布算出部10b1b1と、ドーズ量分布算出部10b1b2と、照射量分布算出部10b1b3と、照射量分布とかぶり荷電粒子分布とのコンボリューション計算を実行するかぶり荷電粒子量分布算出部10b1b4と、荷電粒子ビーム10a2bの照射時刻を算出する照射時刻算出部10b1b5と、経過時間を算出する経過時間算出部10b1b6と、帯電量分布算出部10b1b7と、帯電量分布と位置ずれ応答関数とのコンボリューション計算を実行する位置ずれ量マップ算出部10b1b8と、中央演算処理部10b1b9と、算出部10b1b4,10b1b8における演算に用いられ、中央演算処理部10b1b9より高速の高速演算処理部10b1b10とを設けた。 （もっと読む）