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Fターム[5F056AA07]の内容

電子ビーム露光 (6,230) | 露光方式 (1,366) | 直接描画方式 (1,001) | ブランキングアパーチャアレイ (113)

Fターム[5F056AA07]に分類される特許

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【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置100は、荷電粒子ビームを放出する電子銃201と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材203と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート204と、マルチビーム形成アパーチャ部材203とブランキングプレート204との間に配置された、電磁レンズ212,214と、電磁レンズ212,214の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材216と、複数のブランカーによってビームoffの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材206と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 (もっと読む)


【課題】 描画に使用する荷電粒子線の強度を計測する精度の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線のパルスで基板に描画を行う描画装置は、入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、入射した前記パルスに応じた前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタを含み、前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した前記パルスの強度を求める処理部と、を有する。前記処理部は、抵抗を含み、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める。 (もっと読む)


【課題】 荷電粒子線の特性の計測精度の点で有利な照射装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線を物体に照射する照射装置は、複数の開口を有する遮蔽板と、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数の荷電粒子線をそれぞれ検出する複数の検出器とを含み、前記複数の荷電粒子線の強度を計測する計測器と、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ前記複数の開口のエッジを横切るように前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間の相対的な走査を行う走査手段と、前記走査手段と前記計測器とを制御して前記複数の荷電粒子線それぞれの特性を求める制御部と、を備える。前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線の前記遮蔽板によって遮断されるエネルギーが時間とともに変動しないように構成されている。 (もっと読む)


【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第1方向に沿って第1ピッチで配置されたn以上のN本の荷電粒子線を含む行が、第1方向に直交する第2方向に沿って第2ピッチでm以上のM行存在し、M行のうち1番目からm番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置が第1ピッチの(1/m)ずつずれ、かつ、(m+i)番目の行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置がi番目の行の先頭の荷電粒子線の第1方向における位置と同じに配列された(M×N)本の荷電粒子線を生成する。制御部は、(M×N)本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するn本の荷電粒子線を含む行が、mの約数分の行だけ第2方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第1記憶部121及び前記第2記憶部122のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第1記憶部及び前記第2記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第3記憶部123に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第1記憶部、前記第2記憶部及び前記第3記憶部の動作を制御する第2制御部と、を含む。 (もっと読む)


【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置100は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート204と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部18と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部19と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置100は、XYステージ105と、電子銃201と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材203と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート204と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器208と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部18と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部16と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線を照射する対象物からの飛散物や蒸発物等がレンズの重要な部分に付着するのを抑制でき、レンズと対象物との間隔を狭くすることが可能な静電型レンズ用の電極等を提供する。
【解決手段】静電型の荷電粒子線レンズに用いる電極1は、少なくとも1つの貫通孔4を有する。貫通孔4は、第一の開口輪郭を有する第一の領域αと、第一の領域αに対して荷電粒子線の上流側に位置させられるべき第二の開口輪郭を有する第二の領域βを有する。光軸3の方向から見て第一の開口輪郭は第二の開口輪郭内に含まれる。 (もっと読む)


【課題】露光装置の大型化を抑制し、荷電粒子線を用いてマスクレス露光方式で効率的にターゲットを露光する。
【解決手段】電子ビーム露光装置EXは、電子ビームEBが照射される複数のアパーチャ15が形成されたBAA部材14と、電子ビームEBのオン/オフを制御する変調部13と、アパーチャ15に対応する配置の複数のアパーチャ25がそれぞれ形成された複数のサブ・フィールド23A,24A等を有する固定アパーチャ部材22と、変調部13でオンにされた電子ビームを、一つのサブ・フィールドに偏向する主偏向系20と、選択されたサブ・フィールドの像に対してウエハWをY方向に移動するウエハステージWSTと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 リソグラフィシステムを提供することである。
【解決手段】 パターンをターゲットの表面に転写するマスクレスリソグラフィシステムであって、複数の小ビームを発生するための少なくとも1つのビーム発生装置と、小ビームの大きさを変調するための複数のモジュレータを備えた変調手段と、モジュレータの各々を制御する制御ユニットとを備え、制御ユニットは、それぞれの小ビームの大きさを制御するために、パターンデータを発生し、前記モジュレータにパターンデータを伝送し、この制御ユニットがパターンデータを記憶するための少なくとも1つのデータ記憶装置と、データ記憶装置からパターンデータを読み取るための少なくとも1つの読み取りユニットと、データ記憶装置から読み取られたパターンデータを少なくとも1つの被変調光ビームに変換するための少なくとも1つのデータ変換装置と、少なくとも1つの被変調光ビームを前記変調手段に伝送するための少なくとも1つの光伝送装置とを備えている。 (もっと読む)


【課題】活性種の生成量を多くしてアパーチャの側面のクリーニングを可能にしつつチャンバ内の圧力の上昇を抑える。
【解決手段】クリーニングユニット200は、第1個数よりも少ない第2個数の放出孔を有する放出孔プレート202を含む容器203と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構220とを含み、前記チャンバ115の中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第2個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第1個数よりも少ない前記第2個数の放出孔から放出される活性種によって前記第1個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。 (もっと読む)


【課題】マルチビームを用いた荷電粒子線装置においてビーム間の結像誤差を補正する簡便な方法を実現する。
【解決手段】複数の一次電子ビームレットの焦点を形成する粒子光学部品605に於いて、第1の多孔プレート613と第2の多孔プレート614の複数の対応する開孔が互いに整列配置されており、第1の開孔615の位置における第1の幅W1を第2の開孔615’の位置における第2の幅W2よりも少なくとも5%大きく形成する。 (もっと読む)


【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系(140)と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ(117)と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ(119)と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子(122)と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系(160)と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 (もっと読む)


【課題】 静電型の荷電粒子線レンズは、開口形状の対称性に対する非点収差が敏感であり低収差とするための課題であった。
【解決手段】 荷電粒子線レンズは光軸方向を法線とする第1の面と、該第1の面とは反対側の第2の面とを有する平板を含み、前記第1の面から前記第2の面に貫通する貫通孔を有する電極を有し、前記貫通孔の前記法線に垂直な面での開口面を開口断面とし、前記開口断面の回帰分析により得られた円の直径を代表直径とするとき、前記第1の面側である第1の領域における前記開口断面の代表直径と、前記第2の面側である第2の領域における前記開口断面の代表直径と、が前記第1の面と前記第2の面とで挟まれた前記電極の内部の領域である第3の領域における前記開口断面の代表直径よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】 静電型の荷電粒子線レンズは、開口形状の対称性に対する非点収差が敏感であり、製造工程で破損しやすい。
【解決手段】 静電型の荷電粒子線レンズであって、前記荷電粒子線レンズは光軸方向を法線とする第1の面と、該第1の面とは反対側の第2の面とを有する平板を含み、かつ、前記第1の面から前記第2の面に貫通する貫通孔を有する電極を有し、前記貫通孔の前記法線に垂直な面での開口面を開口断面とし、前記開口断面の回帰分析により得られた円の直径を代表直径とするとき、前記第1の面側である第1の領域における前記開口断面の代表直径と、
前記第2の面側である第2の領域における前記開口断面の代表直径と、が各々、前記第1の面と前記第2の面とで挟まれた前記電極の内部の領域である第3の領域における前記開口断面の代表直径よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ13は、荷電粒子線30を偏向する偏向器31を複数備える。ここで、偏向器31を構成する、荷電粒子線30が通過する開口部32に対して設置される電極対33、および該電極対33に電圧を印加する制御回路34は、第1層40および第2層41の少なくとも2つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも1つ(第1層40)は、電極対33と制御回路34との間に、断熱部42を有する。 (もっと読む)


【課題】 特定のデザインルールのパターンを描画する信頼性およびスループットの点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 第1方向に延びた直線の上に配置されるべきパターンを複数の荷電粒子線で基板上に描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板上に投影する投影系(1−7,9)と、前記第1方向および該方向と直交する第2方向において前記複数の荷電粒子線と前記基板との間の相対走査を行う走査手段(8、11)と、前記走査手段による前記相対走査を制御し、かつ、前記第1方向における第1間隔および前記第2方向における第2間隔で前記投影系による前記複数の荷電粒子線の前記基板への照射を制御する制御手段(13−16)と、を有し、前記投影系により前記基板上に投影された各荷電粒子線の前記第1方向の大きさと前記第2方向の大きさとを異ならせた描画装置とする。 (もっと読む)


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