【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】 描画に使用する荷電粒子線の強度を計測する精度の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線のパルスで基板に描画を行う描画装置は、入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、入射した前記パルスに応じた前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタを含み、前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した前記パルスの強度を求める処理部と、を有する。前記処理部は、抵抗を含み、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の特性の計測精度の点で有利な照射装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線を物体に照射する照射装置は、複数の開口を有する遮蔽板と、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数の荷電粒子線をそれぞれ検出する複数の検出器とを含み、前記複数の荷電粒子線の強度を計測する計測器と、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ前記複数の開口のエッジを横切るように前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間の相対的な走査を行う走査手段と、前記走査手段と前記計測器とを制御して前記複数の荷電粒子線それぞれの特性を求める制御部と、を備える。前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線の前記遮蔽板によって遮断されるエネルギーが時間とともに変動しないように構成されている。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材２２と、該遮蔽部材２２で遮蔽されなかったビーム２４を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム２４が横切るように遮蔽部材２２とビーム２４との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム２４に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム２４の強度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】放電発生の判定を正確に行い、電子銃の電極等の有する放電要因を効果的かつ効率的に除去できる電子銃のコンディショニング法および電子線描画装置が提供する。
【解決手段】電子線描画装置１には、電子銃１００と、電子銃１００の電極に電圧を供給する電圧供給部３と、電子銃１００の電極間のリーク電流を検出する電流検出部４と、リーク電流の検出データに基づき電圧供給部３を制御する制御部５が備えられる。制御部５内には、リーク電流の検出データを保存する電流保存部６が設けられる。そして、電子銃１００の電極に電圧供給部３から電圧を供給し、電流検出部４がリーク電流を検出し、制御部５が電流保存部６に保存された検出データをオフセットとして用いてリーク電流を評価し、電極間に印加する電圧を制御し、電子銃１００のコンディショニング処理を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】描画中の荷電粒子ビームの異常を監視して早期に発見するとともに、定量的な判断に基づいて描画を停止させることができる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置の一つである電子ビーム描画装置１は、荷電粒子ビームである電子ビーム６を照射する電子銃３と、成形アパーチャとを有し、電子銃３と成形アパーチャとの間には、電子ビーム６の照射を受けて流入する電流を検出するとともに、開口部分から電子ビーム６の一部を通過させるよう構成された検出器７を有する。電子ビーム描画装置１では、成形アパーチャで成形された電子ビーム６を照射して試料上に電子ビーム描画をするとともに、検出器で検出される電流量の変化に基づいて、電子ビーム６の異常を感知し、異常発生を判断して試料への電子ビーム描画を停止するようにする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイの欠陥検査時間の短さの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体５を移動させながら、切り替え部により電流検出部１７ａに対して最初に入射する第１電子ビームＢ_１の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出し、次に、第１電子ビームＢ_１の照射をＯＦＦとし、第１電子ビームＢ_１の隣に位置し、第１電子ビームＢ_１の次に入射する第２電子ビームＢ_２の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、より高精度に近接効果補正が実施できる電子ビーム描画方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】近接効果補正を実施する荷電粒子ビーム描画装置において、描画領域を分割した領域に含まれる描画パターンをショート単位に分割し、該ショット単位の描画パターンについて、ショット単位の描画パターン（ビーム図形）のサイズに応じて予め決められているリサイズ値でリサイズ処理し、該リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づき近接効果補正量を算出する近接効果補正量算出工程と、該近接効果補正量に基づいて荷電粒子ビームのショット時間を制御すると共に、前記リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づいて荷電粒子ビームのサイズ及び位置を制御して、所望のパターンを描画する描画工程とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】カソードの長寿命化を図ることが可能な電子銃の駆動方法と、この機能を備えた電子ビーム描画装置、さらには、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に、電子ビームの電流密度を測定し、この値から得られる輝度が目標輝度のスペック内でない場合に、エミッション電流を調整して輝度がスペック内となるようにする。電子ビームの開き角の測定値が設定範囲内となるように調整してから、エミッション電流の調整を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】迅速に偏向アンプの故障の有無を判断できる偏向アンプの評価方法と、この機能を備えた荷電粒子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】描画装置１００は、第ｎ番目にショットする電子ビーム２００のオン状態を生成する信号が発せられてから、第（ｎ−１）番目にショットする電子ビーム２００のオン状態の電圧からオフ状態の電圧に切り替わるまでの遅延時間を設定する設定部１１４と、ブランキング偏向器２１２によりショット回数が所定値になるまで電子ビーム２００のオン状態とオフ状態とを交互に繰り返す間、成形偏向器２０５または副偏向器２０９により２種類の動作パターンが交互に繰り返されて偏向された電子ビーム２００のビーム電流を測定するファラデーカップ２１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減を図る荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、パターン形成されるチップ領域を複数の小領域に仮想分割する分割部５０と、チップ領域が仮想分割された複数の小領域の少なくとも一部に他とは異なる多重度が設定されるように、小領域毎に当該小領域内のパターンを描画するための多重度を設定する多重度算出／設定部６４と、小領域毎に、荷電粒子ビームを用いて、設定された多重度で当該小領域内のパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減を図る電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、少なくとも２種以上の多重度の１つが設定された複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成するレイヤ作成部５０と、多重回数目毎に層が分かれるように、各層の複数の小領域に当該小領域内の図形パターンをそれぞれ配置する図形配置部５２と、電子ビームを用いて、多重度に応じて複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子銃を最適な条件で動作させて描画する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。また、荷電粒子銃を最適な条件で動作させる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、カソードに電圧を印加する高圧電源部４３と、フィラメント電力を一定としてバイアス電圧の経時変化を測定する測定部４１と、測定部で測定したバイアス電圧の変化量を求める演算部４２とを有する。変化量が所定値以下となったところで、測定部４１においてエミッション電流を一定としたときのフィラメント電力に対するバイアス電圧の変化を測定して、演算部４２でバイアス電圧がフィラメント電力に対して飽和するバイアス飽和点を求め、このバイアス飽和点に基づいて高圧電源部４３を制御する。 （もっと読む）

【目的】偏向器間のタイミング調整を短時間に行なう装置を提供する。
【構成】第ｎ番目のビームＯＮのタイミング信号から第１の遅延時間後に第ｎ−１番目のビームＯＮからＯＦＦに切り替わるＤＡＣアンプユニット１３２と、ＤＡＣアンプユニット１３２からの偏向電圧によって、ビームＯＮ／ＯＦＦを交互に生成するブランキング偏向器２１２と、ＤＡＣアンプユニット１３２がタイミング信号を発した時から第２の遅延時間後に第ｎ番目のビームＯＮに向けて電圧変化を開始するＤＡＣアンプユニット１３４と、ＤＡＣアンプユニット１３４からの偏向電圧によって、ビームの向きを制御する偏向器２０５と、第１の遅延時間の代わりとなる評価用時間と評価用時間で得られるビームで電流の積分電流との相関結果から得られる、積分電流が一定の状態からの変化開始時間よりも短くなるように第１の遅延時間を設定する設定部１１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、可変ビームの断面のエッジにおけるビーム電流密度と、露光量裕度とを露光量決定に反映させ、被描画材料に形成されたレジストパターンの線幅線形性を向上させることを目的としている。
【解決手段】成形偏向器１２によりビーム断面寸法を変化させながら、電流検出部１７でビーム電流を測定し、ビーム電流とビーム断面積とからビーム電流密度分布を求め、ビーム電流密度分布に基づいて、ビーム断面寸法ごとにビーム断面のエッジにおけるビーム電流密度を決めるように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来より短時間でビームドリフトを検出することのできるドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】検出器３２は、下地とは反射率の異なる材質からなる基準マークに電子ビーム５４が照射されて発生した反射電子を電流値として検出する。検出器３２からの信号は検出部３３で増幅され、Ａ／Ｄ変換部３４でデジタル変換される。次いで、制御計算機１９で平均化処理された後、描画データ補正部３１で行われるドリフト補正に用いられる。 （もっと読む）

【課題】隣接するレジストパターン間の寸法を簡便に且つ精度良く測定することが可能なパターン寸法測定方法及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】測長ＳＥＭを用いて測定された隣接するレジストパターン１０２間の高さｈ１での寸法ＣＤｓと、レジストパターン１０２の断面画像から求められたレジストパターン１０２間の高さｈ２での寸法ＣＤｄとの相関関係を予め取得する。測定対象であるレジストパターン間の高さｈ１での寸法を測長ＳＥＭにより測定し、この測定した寸法を相関関係に基づいて校正する。高さｈ１は、クロム膜１００と接するレジストパターン１０２下面の高さであり、高さｈ２は、レジストパターン１０２のテーパー部１０２ａが存在しない高さである。 （もっと読む）