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Fターム[5F056BA02]の内容

電子ビーム露光 (6,230) | 検出・測定対象 (358) | ビーム電流密度(強度)分布 (38)

Fターム[5F056BA02]に分類される特許

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【課題】 描画に使用する荷電粒子線の強度を計測する精度の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線のパルスで基板に描画を行う描画装置は、入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、入射した前記パルスに応じた前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタを含み、前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した前記パルスの強度を求める処理部と、を有する。前記処理部は、抵抗を含み、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める。 (もっと読む)


【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材22と、該遮蔽部材22で遮蔽されなかったビーム24を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム24が横切るように遮蔽部材22とビーム24との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム24に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム24の強度分布を求める。 (もっと読む)


【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも1つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第1の副パターンおよび第2の副パターンとがあり、第1の副パターンを描画する第1の描画工程の後に、主パターンを描画する第2の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第1の副パターンの近傍の所定位置に第2の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】複数の開口が設けられた第1および第2の成形開口板を用いて発生させた複数の可変成形電子ビームによる描画方法及び描画装置に関し、ビームむらを打ち消して描画を行なうことを目的としている。
【解決手段】第1と第2の成形開口板のそれぞれに複数の開口を設け、第1の成形開口板の複数の開口を通過した複数の電子ビームを第2の成形開口板の対応する開口部に結像させ、第2の成形開口板の複数の開口を通過した複数の成形電子ビームを被描画材料上にショットするようにした電子ビーム描画方法において、複数の成形電子ビームのショットにより描画される各図形を、少なくとも2回の同一形状および断面積の成形電子ビームの多重ショットにより描画すると共に、該少なくとも2回のショットを前記第1成形開口板の異なる開口を使用して成形した電子ビームにより行う。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関し、寸法の制限された図形8の電流密度均一性を最良化し、線幅線形性を向上させることができる手段を提供することを目的としている。
【解決手段】第1の成形開口板3の前段に、第1の成形開口板を照射する荷電粒子ビームの同開口板の開口位置に対する位置を調節するためのビームアライメント手段29を備え、第2の成形開口板7の開口を通過する荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布を測定する手段と、該測定手段により得られた電流密度分布からその直線成分を抽出する手段とを備え、該測定手段及び抽出手段により得られた傾斜成分が除去されるように、前記ビームアライメント手段29により第1の成形開口板3の照射位置を調節するように構成する。 (もっと読む)


【課題】カソードの長寿命化を図ることが可能な電子銃の駆動方法と、この機能を備えた電子ビーム描画装置、さらには、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に、電子ビームの電流密度を測定し、この値から得られる輝度が目標輝度のスペック内でない場合に、エミッション電流を調整して輝度がスペック内となるようにする。電子ビームの開き角の測定値が設定範囲内となるように調整してから、エミッション電流の調整を行うことが好ましい。 (もっと読む)


【目的】過剰な照射量を短縮し、描画時間を短縮して装置のスループットを向上させることが可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】描画装置100は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する選択部56と、小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部70と、小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)



【課題】 本発明は,追加的な装置を要せず,汎用性が高く,迅速な演算を行うことができるビームプロファイルモニターを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のビームプロファイルモニターは,ビームスイープ手段と,アパーチャーと,ビーム検出手段と,台形波形取得手段と,ビームプロファイル取得手段とビーム照射積算プロファイル取得手段を有する。
ビームプロファイルモニターは,台形波形マッピングデータを用いてビームプロファイルを求めるため,追加的な装置を必要とすることない。さらに,台形波形マッピングデータは,情報量が小さいので演算処理を迅速に行うことができる。しかも,本発明のビームプロファイルモニターは,ビームスイープ手段,アパーチャー,及び検出系が存在すれば,全てのビーム系において利用できるため,汎用性が高い。 (もっと読む)


【課題】レジストの熱効果や線量変化量を高いスループットで補正できる粒子ビームの描画方法を提供する。
【解決手段】レイアウトデータに基づいてショット領域の第1露光線量が決定される。粒子ビーム描画装置のショット期間を制御するように構成された制御ユニットが荷電粒子ビームが基準電流密度に到達したと見なす第1時点t1と、前記荷電粒子ビームが実際にターゲット基板にて基準電流密度に到達する第2時点t2との間の線量偏差を補正する補正線量が決定される。 (もっと読む)


本発明は、多数のビームからのそれぞれのビームの強度が決定されるリソグラフィシステムであって、複数のビームを同時に感知して、これらの集合信号を与えるように構成されたセンサ領域を有するセンサを備えた測定装置を具備するリソグラフィシステムに関する。複数のビームが、関連する一時ブランキングパターンに従ってそれぞれ変調される。本発明は、さらに、測定された集合信号及びビームの一時ブランキングパターンによってそれぞれのビームの強度を計算する方法に関する。
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【課題】所望の電流密度を得るために最適なフィラメント電力を求めることが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、フィラメント電力によりカソード11を加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束し、加速電圧により加速することにより所定のエミッション電流の荷電粒子ビーム20を照射する荷電粒子銃10と、電流密度を測定するための検出器22と、フィラメント電力およびエミッション電流を制御するための制御部18と、バイアス飽和点における電流密度とエミッション電流との関係とフィラメント電力とエミッション電流との関係を記憶し、設定電流密度よりエミッション電流値とフィラメント電力値を算出するための記憶演算部19を備える。 (もっと読む)


半導体装置製造の分野において、二次元ドーズマップを用いた表面の製造のための方法が開示される。表面上のイメージを作製するための荷電粒子ビームショットの集合が、複数のショットに対するドーズマップを表面のためのドーズマップと組合せることによって決定される。同様の方法が、レチクルイメージのフラクチャリングまたはマスクデータ準備のために開示される。グリフを作製するための方法もまた開示され、その方法では1以上のショットの二次元ドーズマップが計算され、ショットのリストおよび計算されたドーズマップが後での参照のために記憶される。
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【課題】帯電効果によるビーム位置ずれ量分布を精度良く算出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】パターン密度分布ρ(x,y)と、このパターン密度分布ρ(x,y)を用いて算出したドーズ量分布D(x,y)とを乗算して照射量分布E(x,y)を算出する(S104)。照射量分布E(x,y)とかぶり広がり分布を記述する関数g(x,y)とを用いてかぶり電子量分布F(x,y,σ)を算出する(S106)。照射量分布E(x,y)とかぶり電子量分布F(x,y,σ)を用いて、照射域及び非照射域の帯電量分布C(x,y)を算出する(S108)。帯電量分布C(x,y)と、帯電量を位置ずれ誤差に変換する応答関数r(x,y)とを用いて、位置ずれ量分布p(x,y)を算出する(S110)。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子ビーム描画装置のビーム電流検出方法に関し、オンライン動作させながら、電子ビームの電流密度を測定することができるようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法を提供することを目的としている。
【解決手段】第1のスリットと第2のスリットを組み合わせることで、任意の形状の電子ビームを作り、その電子ビームを描画材料12上に照射して所定のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法であって、第2のスリットを電子ビームが開口部を通過しないようにして、第2のスリットを流れる電流Iaを求め、次に第2のスリットの部分で電子ビームの一部が開口部を通過するようにして第2のスリットを流れる電流Ibを求め、前記電流IaとIbの差分に基づいて材料面上の電流密度を測定するように構成する。 (もっと読む)


【目的】描画中に電子ビームの電流密度調整を行なうことが可能な装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置100は、電子ビーム200を照射する電子銃201と、制御値を入力し、制御値に基づいて電子銃201を制御する電子銃電源230と、試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビーム200の電流密度を測定する電流密度測定部242と、電流密度の測定毎に、電流密度が略一定になるように、測定された電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を電子銃電源230に出力するPID制御部244と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画中、電子ビームの電流密度を略一定に維持することができる。 (もっと読む)


【課題】 可視光や紫外光等によって影響を受けることなく、試料に照射された電子線エネルギーを正確に測定することのできる電子線照射システムを提供する。
【解決手段】 電子線照射システムにおいては、チャンバ2に収容された試料4に電子線Eを照射し、その試料4に照射された電子線エネルギーを、電子線検出器7によって測定する。このとき、電子線検出器7の検出面7aを、導電性遮光膜7bで覆うことにより、当該電子線検出器7にて電子線Eを検出する際に、チャンバ2内における可視光や紫外光等から影響を受けることを防止する。これによって、試料4に照射された電子線エネルギーを正確に測定することができる。 (もっと読む)


【課題】 電子銃を構成する電極あるいは絶縁体の表面に存在する放電要因を効率的かつ効果的に除去し電子銃の耐電圧特性を簡便に向上させる。
【解決手段】 電子銃のコンディショニング処理装置10には、電圧供給部11、該電圧供給部11の出力電圧を調整する電圧調整部12、電子銃の電極間に流れるリーク電流を検出する電流検出部13が備えられる。また、電子銃内を減圧状態に調節するための真空排気部15、圧力検出部16が取り付けられている。そして、例えばパーソナルコンピュータ(PC)17が、電流検出部13で検出するリーク電流あるいはその基準値との比較等に基づき、データ処理を行い、電圧供給部11から接続部14を通して電極間に印加される電圧を電圧調整部12を介して制御するようになっている。 (もっと読む)


【課題】各ビーム個別のビーム特性の計測及びビーム間の配列間隔の計測の高速化が可能で、かつマルチ荷電粒子ビームの高精度な計測と補正を実現するマルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置 及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】マルチ荷電粒子ビームを発生する発生装置(電子銃1、コンデンサレンズ群3)と、マルチ荷電粒子ビームの照射により発光する蛍光体材料を有する試料41と、マルチ荷電粒子ビームが照射される試料41上の被照射位置の蛍光体材料の発光を導入してマルチ荷電粒子ビームの特性を検出する検出部(画像入力手段47)とを有し、蛍光体材料の発光の検出に基づいてマルチ荷電粒子ビームの特性(照射位置、強度)を比較演算手段51、個別偏向手段45、コンデンサレンズ群3により制御(補正)する。 (もっと読む)


【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程(S102)と、マークからの反射信号を計測する計測工程(S104)と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程(S108)と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 (もっと読む)


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