【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材２２と、該遮蔽部材２２で遮蔽されなかったビーム２４を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム２４が横切るように遮蔽部材２２とビーム２４との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム２４に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム２４の強度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】例えばセルフアライメントを採用する上で好適となる荷電粒子線描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線を用いて被処理体にパターンを描画する荷電粒子線描画方法であって、被処理体の描画領域として第１領域と第２領域とを設定する工程と、第１領域の描画を行うとともに、該第１領域の描画の開始から終了までの間に荷電粒子線の位置ずれ量を補正するための第１キャリブレーションを行う工程（Ｓ１００〜Ｓ１０３）と、第２領域の描画を行うとともに、該第２領域の描画の開始から終了までの間に荷電粒子線の位置ずれ量を補正するための第２キャリブレーション（Ｓ１０４〜Ｓ１０７）を行う工程とを有する。このとき、第１キャリブレーションと第２キャリブレーションとを行う頻度が異なる。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイの欠陥検査時間の短さの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体５を移動させながら、切り替え部により電流検出部１７ａに対して最初に入射する第１電子ビームＢ_１の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出し、次に、第１電子ビームＢ_１の照射をＯＦＦとし、第１電子ビームＢ_１の隣に位置し、第１電子ビームＢ_１の次に入射する第２電子ビームＢ_２の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子銃の異常放電を高い作業効率で効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】アノードとウェネルトの間に電圧を印加するとともに印加電圧を徐々に増加させ、これらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法であって、電子銃内の圧力を測定し、圧力の測定値の中の最小値を定めるとともに、測定値と最小値とを比較し、印加電圧を制御する。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電子銃内の圧力が所定値より低くなったところで行うことが好ましい。さらに、電子銃内の圧力の測定値と最小値とを比較し、印加電圧を所定時間維持するか、または、降圧したうえで所定時間維持することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを偏向させるＤＡＣアンプがより高速化された場合でも、確実にＤＡＣアンプの診断を図る。
【解決手段】対向配置された電極１４ａ，１４ｂ間に荷電粒子ビームを通過させ、電極１４ａ，１４ｂの電圧差で荷電粒子ビームの偏向を行う。ＤＡＣアンプ２０，２１が正常かの診断時に、ＤＡＣアンプ２０に入力されるデジタル電圧情報と、ＤＡＣアンプ２１の出力電圧とを一致を図る。電極１４ａ，１４ｂに同じ電圧を印加指示をした場合の荷電粒子ビーム照射位置の移動を検出することでＤＡＣアンプ２０，２１の診断を行う。 （もっと読む）

【課題】適切なビームドリフト補正を実行する装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、複数の描画単位領域の各描画単位領域を描画するための描画予測時間を算出する描画予測時間算出部１１２と、電子ビームの次回のビームドリフト補正を行う指定時刻を算出する指定時刻算出部３４と、次回の描画単位領域の描画予測時間と次回のビームドリフト補正の指定時刻を用いて、ビームドリフト補正を行う必要性の有無を判定する判定部５２と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合に、ビームドリフト補正を行う補正部４０と、ビームドリフト補正が必要と判定された場合にはビームドリフト補正が行われた荷電粒子ビームを用いて、ビームドリフト補正が必要ないと判定された場合には判定後にビームドリフト補正が行われていない電子ビームを用いて、次回の描画単位領域に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カソードの長寿命化を図ることが可能な電子銃の駆動方法と、この機能を備えた電子ビーム描画装置、さらには、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に、電子ビームの電流密度を測定し、この値から得られる輝度が目標輝度のスペック内でない場合に、エミッション電流を調整して輝度がスペック内となるようにする。電子ビームの開き角の測定値が設定範囲内となるように調整してから、エミッション電流の調整を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】照射量に関連した異常を描画中にほぼリアルタイム且つ効率的に検出・処理できる描画装置および描画方法を提供する。また、異常原因の推定を含む異常診断を行う方法を提供する。
【解決手段】基板２に電子ビーム５４を照射して発生した反射・散乱電子を検出部１９で検出する。描画データから得られた所定単位におけるＮ番目のショットの面積（Ｓ_Ｎ）と照射時間（ｔ_Ｎ）の積を演算部２５ａにて演算する。所定単位毎に指示相当値を累積した値と、検出部１９からの信号（Ｄ_Ｎ）を所定単位で積分した値とを、比較部２４にて、比較・判定して、電子ビーム５４の照射量に異常が起きているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】高精度な帯電効果補正処理を実行しつつ、処理の所要時間を短縮する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することによりパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度分布算出部10b1b1と、ドーズ量分布算出部10b1b2と、照射量分布算出部10b1b3と、照射量分布とかぶり荷電粒子分布とのコンボリューション計算を実行するかぶり荷電粒子量分布算出部10b1b4と、荷電粒子ビーム10a2bの照射時刻を算出する照射時刻算出部10b1b5と、経過時間を算出する経過時間算出部10b1b6と、帯電量分布算出部10b1b7と、帯電量分布と位置ずれ応答関数とのコンボリューション計算を実行する位置ずれ量マップ算出部10b1b8と、中央演算処理部10b1b9と、算出部10b1b4,10b1b8における演算に用いられ、中央演算処理部10b1b9より高速の高速演算処理部10b1b10とを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置のビーム電流検出方法に関し、オンライン動作させながら、電子ビームの電流密度を測定することができるようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法を提供することを目的としている。
【解決手段】第１のスリットと第２のスリットを組み合わせることで、任意の形状の電子ビームを作り、その電子ビームを描画材料１２上に照射して所定のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法であって、第２のスリットを電子ビームが開口部を通過しないようにして、第２のスリットを流れる電流Ｉａを求め、次に第２のスリットの部分で電子ビームの一部が開口部を通過するようにして第２のスリットを流れる電流Ｉｂを求め、前記電流ＩａとＩｂの差分に基づいて材料面上の電流密度を測定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン描画精度をキープしながらシステムの小型化・単純化を実現する。
【解決手段】電子ビーム２を試料１３面上に走査して描画を行う電子ビーム描画装置において、電子光学系の各構成要素として、静電式照明レンズ２０、第１の静電式成形偏向器２１、第２の静電式成形偏向器２２、静電式縮小レンズ２４、静電式主偏向対物レンズ２５、静電式副偏向器２８、静電式プリ主偏向器２９、静電式プリ副偏向器３０などの静電式の各レンズ及び偏向器から構成した。 （もっと読む）

【課題】 マルチビームが試料面に対して垂直になるようにランディング角を高精度に調整することができる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 電子線が通過する際に平行ビーム化する集束レンズ１１２と、平行ビームが通過する際にマルチビーム化するアパーチャアレイ１１３と、マルチビームの個別の通過の際にオンオフ用偏向を行うブランカーアレイ１１５と、マルチビームが個別に通過する２段配置の偏向器を有するマルチアライナー１１６，１１７と、マルチビームを一括して偏向する一括偏向器１１９と、マルチビームが流入されるブランキング絞り１２０と、マルチビームを個々に試料面に結像させる電子光学系１３０，１３１とを有する。ブランキング絞りに流入するマルチビームの電流の検出に基づき、マルチアライナー１１６，１１７により試料面に対してマルチビームが垂直になるようランディング角を調整する。 （もっと読む）

【課題】電子線を照射する照射系での非点収差を評価する。
【解決手段】基準試料ＷＰの表面に、複数（例えば４つ）の同心円からなる図形パターンを形成し、この基準試料ＷＰを電子線でスキャンすることによって得られる電子信号に基づいて画像（スキャン画像）を形成する。このスキャン画像では、非点収差の方向を長手方向とする領域に像のボケが生じ、また、非点収差の大きさによって、ボケが生じた領域の範囲が変化する。したがって、得られたスキャン画像に基づいて、照射装置１０の照射系での非点収差の方向及び大きさを検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】下地層の製造ばらつきに起因するパターン寸法誤差を低減する事が可能な電子ビーム露光方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム露光方法は、パターン及びマークを有する下地層の上に形成された被加工層を加工するために前記被加工層の上に形成されたレジストを露光する電子ビーム露光方法であって、前記マーク上に電子ビームを走査して反射電子信号を得る工程(S403)と、前記反射電子信号に基づいて前記パターンの面積密度、及び前記パターンの面積密度と電子ビームの照射量との関係を定めるパラメータの少なくとも１つを補正する工程(S404,S405)と、前記補正の後に、前記パターンの面積密度、及び前記パターンの面積密度と電子ビームの照射量との関係に基づいて、電子ビームの照射量を決定する工程(S407)と、前記決定された照射量の電子ビームで前記レジストを露光する工程(S408)とを含む。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンしながら、照射をオンオフすることにより、パターンを描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象の前記パターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記パターンの描画位置を前記線幅の測定方向に移動して前記第１の描画工程を実行する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において固定された前記パターンからの荷電粒子線量を測定する測定工程と、測定された前記荷電粒子線量と前記描画位置とに基づいて前記描画パターンの線幅を決定する線幅決定工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】ファラデーカップまでビームを到達させる手間を省き、より短時間にアライメントコイルによるビームの光軸調整を行なう方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントコイルによるビーム軸調整方法は、アライメントコイルを用いて荷電粒子ビームを走査して、アライメントコイルから見て荷電粒子ビーム進行方向の後段に位置するアパーチャの画像を取得する画像取得工程と、取得された画像の輝度に基づいて、輝度の重心位置を演算する重心位置演算工程と、かかる重心位置に荷電粒子ビームが照射されるように上述したアライメントコイルへ流す励磁電流を調整するアライメント工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より短時間でビーム軸を調整することができる。 （もっと読む）

【目的】測定可能なビーム分解能の精度を向上させるビームの強度分布測定方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法は、上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、上述した金属マークとして、金属マークの厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する荷電粒子ビームの分解能σ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする。本発明によれば、測定可能なビーム分解能の精度を向上させることができる。 （もっと読む）