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Fターム[5F058AA03]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 有機絶縁膜形成目的、効果 (1,213) | 膜厚の制御 (78)

Fターム[5F058AA03]に分類される特許

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【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1を準備する第1工程と、基板1上にゲート電極2を形成する第2工程と、ゲート電極2上に第1絶縁膜としてゲート絶縁膜3を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜3上に非結晶質の半導体薄膜4aを形成する第4工程と、非結晶質の半導体薄膜4a上に第2絶縁膜としてチャネル保護膜5を形成する第5工程と、チャネル保護膜5の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜4aを結晶化させて結晶化領域を形成する第6工程と、結晶化領域の上方にソース電極7S及びドレイン電極7Dを形成する第7工程と、を含み、第5工程において、チャネル保護膜5は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 (もっと読む)


【課題】耐クラック性に優れ、しかもMEMS等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】環球法で測定した軟化点が140℃以上であるフェノール樹脂と、Tgが70℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有質量比が100:40〜100:300であって、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである基板表面保護膜用組成物、及び、それを用いて微細加工された凹凸を有する基板表面を被覆保護し、次に、その裏面を加工する工程を含む基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、0.3以上で0.8以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第1および第2の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第1の領域に設けられ、第1の幅を有する第1の溝と、前記基板の前記第2の領域に設けられ、第1の幅よりも広い第2の幅を有する第2の溝と、前記第1の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第1の絶縁膜と、前記第1の幅を上回る直径を有し、前記第2の溝を埋める微粒子と、前記第2の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第2の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第2の絶縁膜とを持つ。 (もっと読む)


【課題】SOD法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域G、及び溝状領域Gに埋設されたシリコン酸化膜8を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Gを含む基板の表面を覆うライナー膜6を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜6の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜8に改質する改質工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】高い機械強度および低い屈折率と比誘電率を示す電気絶縁膜の材料として好適なジシロキサン誘導体及びその製造法、作製した膜及びその膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)


(式中、nは4または5を表し、nが4のときRはブチル基を除く炭素数3〜6のアルキル基等を表し、nが5のときRは炭素数2〜6のアルキル基等を表す。Rは水素原子またはメチル基を表す。)で表されるジシロキサン誘導体及びその製造法、さらに該ジシロキサン誘導体を材料としてプラズマ誘起化学気相蒸着法によって成膜し、それを絶縁膜として用いる。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線重合性化合物(A)およびゲッタリング剤(B)を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シロキサン樹脂組成物を用いて、透明性に優れ、高引っかき傷硬度、高絶縁性、低誘電率を有し、さらに平坦性に優れ、焼成時の膜減りがなく、厚膜にしてもクラックの発生がなく、かつ基板界面での膜剥れがなく、密着性に優れている焼成硬化膜を形成する。
【解決手段】シラノール基またはアルコキシシリル基含有シロキサン樹脂組成物を基材に塗布し、プリベーク処理した後、アルカリ水溶液で処理してからリンス、焼成を行うことにより、シラノール基またはアルコキシシリル基含有シロキサン樹脂組成物の焼成硬化被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムFの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ340と、ステージ340保持されたシートフィルムFの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル343と、塗布された薄膜材料をシートフィルムFの表面に広げるためにステージ340を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット34において、塗布手ノズル343より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムFを保持した状態でステージ340を回転することでステージ340の中央部341aとシートフィルムFとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 (もっと読む)


【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。
【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜(PSQ膜)を製造する。 (もっと読む)


【課題】樹脂部材がPECVDによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。
【解決手段】一般式(1)の環状シロキサン化合物
【化1】


(式中、R〜Rは、炭素数1〜20の炭化水素基等、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、m+nは3以下の整数。xは1以上の整数、y及びzは0以上の整数、x+y+zは3以上の整数。)を重縮合または重付加してポリ環状シロキサンを製造し、それを封止材としたり、また樹脂部材に塗布して耐プラズマ性を付与し、PECVDによりガスバリア層を成膜したガスバリア性樹脂部材とする。 (もっと読む)


【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スクリーン印刷やディスペンス塗布に最適なレオロジー特性を有し、各塗布基板との濡れ性を向上させ、500回以上の連続印刷が可能であり、印刷・塗布後や乾燥・硬化時にワキやハジキ、ピンホールが発生せず、所定部分を被覆できる半導体装置用ポリイミド樹脂組成物並びにそれを用いた半導体装置中の膜形成方法及び該方法により形成された膜を絶縁膜や保護膜等として有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置用ポリイミド樹脂組成物は、第一の有機溶媒(A)及び第二の有機溶媒(B)の混合溶媒に可溶な耐熱性ポリイミド樹脂であって、ポリイミドの繰り返し単位中にアルキル基及び/又はパーフルオロアルキル基を含み、チクソトロピー性を有するポリイミド樹脂を、前記混合溶媒中に含む。 (もっと読む)


【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および/または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、SiO膜の0.75倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、15%以上、38%以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】素子の信頼性を劣化させることなく、より比誘電率の低い絶縁膜を形成する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下地膜101に、環状シロキサンをプラズマ重合させて第一の絶縁膜102を形成する工程と、第一の絶縁膜102を形成する工程の後、連続的に、第一の絶縁膜102上に、環状シロキサンをプラズマ重合させて第二の絶縁膜103を形成する工程と、を含む。第一の絶縁膜102の成膜速度は、第二の絶縁膜103の成膜速度よりも遅い。 (もっと読む)


【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造a1と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および/または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも1個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が0.01〜10モル%である。 (もっと読む)


【課題】薄く、剥がれ難く、異方性が小さい液晶ポリエステル被膜が半導体基板上に形成されてなる液晶ポリエステル被覆半導体基板を製造する。
【解決手段】半導体基板上に、液晶ポリエステルと溶媒とを含み、前記液晶ポリエステルが前記溶媒に溶解している液状組成物の塗膜を形成し、前記塗膜から前記溶媒を除去する。前記塗膜の形成は、前記半導体基板上に前記液状組成物を載せ、前記半導体基板を回転させることにより行うことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】比較的低い低分子量、比較的低い融点および高い蒸気圧を有する第四族金属前駆体の提供。
【解決手段】次式で表される第四族金属前駆体の一群。M(OR(RC(O)C(R)C(O)OR(ここで、Mは、Ti、Zr及びHfからなる群より選択される第四族金属であり;Rは、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル、及びC6〜12のアリールからなる群より選択され、好ましくはメチル、エチル又はn−プロピルから選択され;Rは、分岐鎖のC3〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され、好ましくはイソ−プロピル、tert−ブチル、sec−ブチル、イソ−ブチル、又はtert−アミルから選択され;Rは、水素、C1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され、好ましくは水素である) (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式(1)
【化1】


(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が1乃至3のアルキル基を表す。但し、R、R、R及びRは同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。)で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 (もっと読む)


【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Cu配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜(第1の配線層間絶縁膜3)に配線形成用溝(第1層配線形成用溝21)を形成する。配線形成用溝内にCu配線(第1層配線4)を形成し、Cu配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Cu配線上及び配線層間絶縁膜上にSi−O、C−O、Si−CH、Si−H、Si−C及びC−Hのうちの少なくとも何れか1つの結合を含む絶縁膜層(第1の有機ポリマー層6)を形成する。Cu配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Cu配線上にキャップメタル(第1のキャップメタル5)を選択的に形成する。 (もっと読む)


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