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Fターム[5F058AA06]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 有機絶縁膜形成目的、効果 (1,213) | 段差被覆性の改善 (65)

Fターム[5F058AA06]に分類される特許

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【課題】耐クラック性に優れ、しかもMEMS等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】環球法で測定した軟化点が140℃以上であるフェノール樹脂と、Tgが70℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有質量比が100:40〜100:300であって、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである基板表面保護膜用組成物、及び、それを用いて微細加工された凹凸を有する基板表面を被覆保護し、次に、その裏面を加工する工程を含む基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式1で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物:



・・・化学式1
(式中、Rは1乃至25個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、x、yはそれぞれ1乃至200であり、各波線は水素原子、xシロキサン単位またはyシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、xシロキサン単位、yシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のxシロキサン単位またはyシロキサン単位との結合を示す)。 (もっと読む)


【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して0.35重量%以上2.20重量%以下で、並びに、一般式(1)〜(3)で表される化合物の合計に対して、一般式(1):Si(ORで表されるテトラアルキシキシラン化合物を45mol%以上87mol%以下で、一般式(2):RSi(ORで表されるトリアルコキシシラン化合物を10mol%以上50mol%以下で、そして一般式(3):RSi(ORで表されるジアルコキシシラン化合物を1.5mol%以上3.6mol%以下で含有する。 (もっと読む)


【課題】塗布法により幅の広いトレンチに埋め込みを行った場合にも、ディンプルが生じず、はがれやにごりなどなく、均質で、平坦な表面を有する硬化膜を形成することができる硬化性組成物を提供する。
【解決手段】以下の(A)成分〜(C)成分を含有することを特徴とする硬化性組成物。(A)成分:脱離基を有するエポキシ基含有ポリシロキサンであり、該ポリシロキサン中に含まれる全Si原子の数を100mol%とするとき、前記脱離基の含有割合が35mol%以下であるエポキシ基含有ポリシロキサン。(B)成分:シリコーン系界面活性剤。(C)成分:溶剤。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第1および第2の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第1の領域に設けられ、第1の幅を有する第1の溝と、前記基板の前記第2の領域に設けられ、第1の幅よりも広い第2の幅を有する第2の溝と、前記第1の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第1の絶縁膜と、前記第1の幅を上回る直径を有し、前記第2の溝を埋める微粒子と、前記第2の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第2の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第2の絶縁膜とを持つ。 (もっと読む)


【課題】SOD法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域G、及び溝状領域Gに埋設されたシリコン酸化膜8を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Gを含む基板の表面を覆うライナー膜6を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜6の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜8に改質する改質工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】高い機械強度および低い屈折率と比誘電率を示す電気絶縁膜の材料として好適なジシロキサン誘導体及びその製造法、作製した膜及びその膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(1)


(式中、nは4または5を表し、nが4のときRはブチル基を除く炭素数3〜6のアルキル基等を表し、nが5のときRは炭素数2〜6のアルキル基等を表す。Rは水素原子またはメチル基を表す。)で表されるジシロキサン誘導体及びその製造法、さらに該ジシロキサン誘導体を材料としてプラズマ誘起化学気相蒸着法によって成膜し、それを絶縁膜として用いる。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線重合性化合物(A)およびゲッタリング剤(B)を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ボイドを発生させることなく絶縁膜を注入することを可能とする終端トレンチを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は,半導体素子が形成されたセル領域と,このセル領域の四方をX方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとX方向と90度であるY方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとで囲む終端トレンチ領域とを有する素子形成領域と,複数の素子形成領域を分離する溝を備えるダイシングライン領域とを具備する。この終端トレンチ領域は,素子形成領域の四隅においてX方向に長手方向が平行なトレンチとY方向に長手方向が平行なトレンチとが交差し,素子形成領域の四方側面において,終端トレンチ領域の短手方向の垂直断面が開放された状態で,ダイシングライン領域の長手方向と垂直に接していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シロキサン樹脂組成物を用いて、透明性に優れ、高引っかき傷硬度、高絶縁性、低誘電率を有し、さらに平坦性に優れ、焼成時の膜減りがなく、厚膜にしてもクラックの発生がなく、かつ基板界面での膜剥れがなく、密着性に優れている焼成硬化膜を形成する。
【解決手段】シラノール基またはアルコキシシリル基含有シロキサン樹脂組成物を基材に塗布し、プリベーク処理した後、アルカリ水溶液で処理してからリンス、焼成を行うことにより、シラノール基またはアルコキシシリル基含有シロキサン樹脂組成物の焼成硬化被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】a)紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、b)レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびc)フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。
【解決手段】吸収組成物は、少なくとも1つの無機ベース化合物、少なくとも1つの吸収化合物および少なくとも1つの材料変性剤を含む。更に、吸収組成物の製造方法は、a)少なくとも1つの無機ベース化合物、少なくとも1つの吸収化合物、少なくとも1つの材料変性剤、および1つまたは複数の溶媒を組み合わせて反応混合物を形成する工程であって、少なくとも1つの材料変性剤が、少なくとも1つの酸および水を含む工程、およびb)反応混合物を、吸収材料、コーティングまたはフィルムに形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に設けられた微細空間内に、充填不全などを回避して、絶縁物を確実に充填しえる方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板2に設けられた微細空間21内に絶縁物を充填するにあたり、微細空間21の開口する半導体基板2の一面側から、微細空間21内に流動性絶縁物4を充填する。そして、流動性絶縁物4を、加圧したままで、硬化させる。 (もっと読む)


【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極9を被覆するとともに、貫通孔6内を充填する保護層10を備える半導体装置1において、保護層10が複数層11、12からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板2の一面2aに近い層が、少なくとも貫通電極の底面9aと側面9bの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ(溝)への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを50モル%以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が1000〜50000であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して14質量%超30質量%以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜14により、基板10表面上に形成されたトレンチ12を埋め込む。 (もっと読む)


【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および/または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、SiO膜の0.75倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、15%以上、38%以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】比較的低い低分子量、比較的低い融点および高い蒸気圧を有する第四族金属前駆体の提供。
【解決手段】次式で表される第四族金属前駆体の一群。M(OR(RC(O)C(R)C(O)OR(ここで、Mは、Ti、Zr及びHfからなる群より選択される第四族金属であり;Rは、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル、及びC6〜12のアリールからなる群より選択され、好ましくはメチル、エチル又はn−プロピルから選択され;Rは、分岐鎖のC3〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され、好ましくはイソ−プロピル、tert−ブチル、sec−ブチル、イソ−ブチル、又はtert−アミルから選択され;Rは、水素、C1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され、好ましくは水素である) (もっと読む)


【課題】 MEMS製造における基板の加工工程において、基板の保護膜、特にシリコンのエッチング時のウエハおよび/またはデバイス面を保護するために用いられる保護膜を作製するための塗布組成物を提供する。
【解決手段】 水溶性樹脂を有機溶媒に溶解させた半導体素子保護膜用塗布組成物であって、水溶性樹脂は分子量900000〜2000000の水溶性樹脂(A)と、分子量45000〜120000の水溶性樹脂(B)とを含み、水溶性樹脂(A):水溶性樹脂(B)の質量比で1:3〜1:9と、水溶性樹脂(A)と水溶性樹脂(B)とを合わせた水溶性樹脂の濃度が20〜28質量%となるように溶解させた半導体素子保護膜用塗布組成物。水溶性樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、および水溶性セルロース誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種である。 (もっと読む)


【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Cu配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜(第1の配線層間絶縁膜3)に配線形成用溝(第1層配線形成用溝21)を形成する。配線形成用溝内にCu配線(第1層配線4)を形成し、Cu配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Cu配線上及び配線層間絶縁膜上にSi−O、C−O、Si−CH、Si−H、Si−C及びC−Hのうちの少なくとも何れか1つの結合を含む絶縁膜層(第1の有機ポリマー層6)を形成する。Cu配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Cu配線上にキャップメタル(第1のキャップメタル5)を選択的に形成する。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第1の圧力まで上昇させ(工程3)、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第2の圧力まで上昇させ(工程4)、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う(工程5)。 (もっと読む)


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