【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性（膜面状）及び耐熱性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）式（１）で表されるモノマー単位を含む重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


（式（１）中、Ｒ¹はアルキル基又はアリール基を表し、Ｘは−ＣＯＯＲ²、−ＣＯＮ（Ｒ²）₂又は−ＣＮを表し、Ｒ²は水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ²が複数存在する場合は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。） （もっと読む）

ブロック共重合体などの自己組織化材料は、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。共重合体は、基板（１１０）上に堆積され、所望のパターンへと自己組織化を促される。ブロック共重合体を形成するブロックのうちの一つ（１６４）は、選択的に除去される。残っているブロックは、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。スペーサ材料は、ブロック（１６２）上にブランケット堆積される。スペーサ材料は、マンドリル（１６２）の側壁上にスペーサを形成するために、スペーサエッチングに暴露される。マンドリル（１６２）は、独立したスペーサを残すために選択的に除去される。スペーサは、下部基板（１１０）内にパターンを画定するために、ピッチ増倍化マスク機構として使用されうる。
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【課題】電着法により基板に設けた非貫通穴内部に絶縁層を形成する際に、絶縁層を必要としない基板表面の絶縁層の形成を抑制し、非貫通穴内部に選択的に成膜できる基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０に非貫通穴１１を形成し、電着法により非貫通穴１１内部に絶縁層１５を形成する際に基板１０の表面に形成される余剰な絶縁層１５を、摩擦手段１７による摩擦によって除去し、これによって非貫通穴１１内部に選択的に絶縁層１５を成膜する。 （もっと読む）

本発明は、乾式熱転写プロセスによって提供することが可能な、新規な誘電体層と、金属組成物を含む新規な電極とを含む薄膜トランジスタに関する。
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【課題】液状の絶縁膜材料を塗布して得られる層間絶縁膜において、誘電率を低下させるために絶縁膜として多孔構造が用いられているが、気泡を生成してから時間が経つと気泡同士が結合して大きな気泡となり、絶縁膜の強度は弱くなってしまう。また、時間の経過と共に表面への気泡の移動により、表面に開放された連続的な空孔を生成し、ウェット処理により空孔部へ水分が侵入するため誘電率が上昇する。
【解決手段】絶縁膜組成物にガスを充填加圧してガスを溶解させ、減圧することによって絶縁膜組成物中に溶解したガスを析出させて気泡を生成した後、絶縁膜組成物を重合させることによって絶縁膜に球状或いは網目状の空孔を形成することによって誘電率を低下させる。 （もっと読む）