【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリアパフォーマンスを具備する誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】前駆物質を処理チャンバへ流すことと、前記前駆物質が、有機ケイ素化合物と炭化水素化合物の混合物を備えており、かつ、前記炭化水素化合物が、エチレン、プロピン、または、これらの組合わせを備え、前記半導体基板上に炭素−炭素結合を有する炭化ケイ素ベースの誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成することと、前記前駆物質中の前記炭素−炭素結合の少なくとも一部が、前記低密度プラズマ内に生き残り、かつ、前記誘電バリア膜内に存在し、制御された量の窒素を導入することにより、前記誘電バリア膜から炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）、および／または、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を除去することと、を備える方法。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有する有機ケイ素化合物を、化学気相成長法（ＣＶＤ）により成膜し、炭素含有酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜として使用する。
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子１に対し、酸素原子が０．５以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^１，Ｒ^２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ^３，Ｒ^４は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】優れた透明性、導電性、及び強度を兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材１は、基材２、グラフェン層４、並びに前記基材１と前記グラフェン層４との間に介在するハードコート層５を備える。グラフェン層４はグラフェンシートから構成される。グラフェンシートは、例えば熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などの蒸着法により形成される。この場合、例えばチャンバー内に気相状態の炭素源を供給し、この炭素源をチャンバー内で加熱したりプラズマ処理したりすることにより、炭素源が分解すると共に炭素原子が互いに結合して六角形の平面構造を形成し、これによりグラフェンシートが形成される。 （もっと読む）

【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第２の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第２の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第１の膜の厚さは前記スペースの幅の１／２未満であり、前記第２の膜は、前記第１の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 良好な絶縁特性を有する絶縁膜の形成に使用される高精細印刷インキ組成物および該印刷インキ組成物から形成された絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 少なくとも不揮発性成分と溶剤を含有する絶縁膜形成用印刷インキ組成物であって、反転オフセット印刷、剥離オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷のいずれかに用いられ、ポリシロキサンが不揮発性成分の７５重量％以上であることを特徴とする絶縁膜形成用印刷インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】 長期の室温（２０〜２５℃）保存安定性に優れ、さらに高感度で、精度よくパターン形成できるシリカ系感光性樹脂組成物、これを用いたパターン精度の高い硬化物が得られるシリカ系絶縁被膜の形成方法、電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）成分：下記一般式（１）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも１種、（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能な有機溶媒、（ｄ）成分：オニウム塩を必須成分として含有するシリカ系感光性樹脂組成物。
【化１】
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【課題】誘電率の増加、シラノールの増加、または有機部分の減少、の少なくとも一つによって損傷した、基体上のシリカ誘電フィルムの損傷を回復する。
【解決手段】基体上のそのような損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率のシラノールの減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の有機部分の増加、の１つ以上をもたらす。このとき、該損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える。 （もっと読む）

【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液ＰをシートフィルムＦの表面に塗布し、溶剤を揮発させることでポリシラザン薄膜Ｒを得る。これを半導体基板に転写するのに先立って、ＵＶ光源２０２から拡散板２０３を介して強度を均一化したＵＶ光Ｌを薄膜Ｒに照射する。これにより、薄膜Ｒの表面Ｒａの粘度が選択的に増大し、基板転写時に、基板表面に形成されたトレンチを埋めることなくエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】トランジスタが形成されたシリコン基板１０上にＳｉＯ_２を主成分とする層間絶縁膜２が設けられ、さらに層間絶縁膜２の上には、多孔質層間絶縁膜１が設けられている。多孔質層間絶縁膜１には配線９０およびビア９１が埋め込まれている。
なお、この多孔質層間絶縁膜１は、環状シロキサンと、少なくとも１つの酸素原子を含む有機化合物と、を含む混合原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜している。これにより、大きな空孔径のかご型構造を有する層間絶縁膜が得られるようになる。すなわち、環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、より大きな空孔を形成することが可能となる。大きな空孔の形成が膜密度低減に貢献し、その結果、多孔質絶縁膜の比誘電率低減が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増大を抑制しつつ、簡易な構成で、絶縁膜とさらに上部に形成された絶縁膜との界面の電荷を低減することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ半導体を用いた基板を用意する工程と、（ｂ）前記基板の表層部において、前記基板の素子領域を囲むように、リセス構造と前記リセス構造の下部にガードリング層とを形成する工程と、（ｃ）前記ガードリング層を覆って、第１絶縁膜を形成する工程と、（ｄ）前記第１絶縁膜を覆って、前記第１絶縁膜とは異なる材質の第２絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記第１絶縁膜上に蓄積する電荷とは逆電荷のイオンを、前記工程（ｄ）の前、又は、前記工程（ｄ）中、又は前記工程（ｄ）の後に照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体デバイスにおける銅表面との電気的接続の信頼性を向上させることである。
【解決手段】本発明は、半導体デバイス上の銅層又は銅ボンディングパッドの表面を酸化に対して保護する方法を提供する。層又はボンディングパッドの表面が、プラズマで酸化層を除去することによって洗浄される。プラズマ強化堆積プロセスを用いて層の洗浄された表面上にポリマー層が形成され、酸化ガスへの曝露に対し層の洗浄された表面が保護される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＤ法によって形成するシリコン酸化膜に、ボイドが発生することを抑制する。
【解決手段】基板、基板表面に形成された溝状領域Ｇ、及び溝状領域Ｇに埋設されたシリコン酸化膜８を有する半導体装置の製造方法であって、溝状領域Ｇを含む基板の表面を覆うライナー膜６を形成するライナー膜形成工程と、ライナー膜６の表面を水洗する水洗工程と、水洗後の残留水分を除去する水分除去工程と、基板表面にポリシラザン溶液をスピンコートにより塗布する塗布工程と、アニールによりポリシラザン溶液をシリコン酸化膜８に改質する改質工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）が良好であり、さらに上層のホトレジスト膜におけるスカムの発生を抑制することができる、反射防止膜形成用熱酸発生剤、反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた反射防止膜の提供。
【解決手段】熱酸発生剤として下記式（１）を使用した反射防止膜。ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基を示し、Ｒ^２は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、Ｒ^３は水素原子、又はアルキル基を示し、Ｙ⁻は非求核性対向イオンを表す。
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【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）