【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第１の基体、第１の誘電体材料からなる第１の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第１の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第２の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フッ素、ＨＦ、または、低分子のフルオロカーボン類の脱離が少なく、上に積層する膜との密着性が優れた絶縁膜の形成方法、およびその形成方法を用いて形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上にフルオロカーボン膜を形成する工程、および、その表面と、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＳｉＦ₄、ＰＦ₅およびＢＦ_３などの無機フッ化ガスを含む処理ガスとを接触させる工程を有する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フッ素、ＨＦまたは低分子のフルオロカーボン類の脱離が少なく、上に積層する膜との密着性が優れた絶縁膜の形成方法、およびその形成方法を用いて形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上にフルオロカーボン膜を形成する工程、および、その表面と、酸素、オゾン、一酸化炭素、二酸化炭素および亜酸化窒素などの酸化性ガスを含む処理ガス、とを接触させる工程を有する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）