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Fターム[5F058AG01]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 有機絶縁膜形成後の処理 (1,322) | 熱処理(後処理) (756)

Fターム[5F058AG01]に分類される特許

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【課題】硬化後の硬化物の熱伝導性に優れており、かつ該硬化物の耐湿性にも優れている絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と導電層4とを接着するために用いられ、絶縁シート又は絶縁ペーストである。本発明に係る絶縁材料は、分子量が10000未満であり、かつ環状エーテル基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、シリカと、アルミニウム原子を有する有機化合物とを含む。上記絶縁材料100重量%中、上記シリカの含有量は15体積%以上、70体積%以下である。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】環状エーテル構造を有する繰り返し単位と、酸により脱離しうる有機基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物(A)を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1を準備する第1工程と、基板1上にゲート電極2を形成する第2工程と、ゲート電極2上に第1絶縁膜としてゲート絶縁膜3を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜3上に非結晶質の半導体薄膜4aを形成する第4工程と、非結晶質の半導体薄膜4a上に第2絶縁膜としてチャネル保護膜5を形成する第5工程と、チャネル保護膜5の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜4aを結晶化させて結晶化領域を形成する第6工程と、結晶化領域の上方にソース電極7S及びドレイン電極7Dを形成する第7工程と、を含み、第5工程において、チャネル保護膜5は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 (もっと読む)


【課題】耐クラック性に優れ、しかもMEMS等の深堀された微細凹凸に対する樹脂の埋め込み性能が良好であり、保護膜の粘着性を抑えた基板表面保護膜用組成物及びそれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】環球法で測定した軟化点が140℃以上であるフェノール樹脂と、Tgが70℃以下である熱可塑性樹脂と、有機溶媒とを含有し、フェノール樹脂と熱可塑性樹脂との含有質量比が100:40〜100:300であって、25℃における粘度が4〜10000mPa・sである基板表面保護膜用組成物、及び、それを用いて微細加工された凹凸を有する基板表面を被覆保護し、次に、その裏面を加工する工程を含む基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも1層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第1絶縁膜12とする。次いで、めっきシード層18形成、フォトレジスト溝パターン22形成、めっき、フォトレジスト溝パターン22除去、配線下以外のめっきシード層18除去に依り、第1の絶縁膜上に配線26を形成する。そして、第1絶縁膜の表面上にシリカ粒子30を分散し、散したシリカ粒子30をマスクとして、CF4及びO2を混合したガスで、第1絶縁膜12をドライエッチングすることに依り、段差が100nm以上の凹凸32を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第2絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜34を形成する。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】分子内に第1の官能基を含有する繰り返し単位であって、該第1の官能基が、活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位を含有する高分子化合物(A)と、分子内に、オキシカルボニルオキシレン基にジ置換カルビレン基が結合した構造の二価の有機基と2個以上の活性水素とを含有する活性水素化合物(B)とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】基板温度の過度の上昇を抑え、加熱対象のポリイミド膜やHigh−k膜を含む基板を加熱処理することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる導電性の基板支持台と、前記基板支持台上に設けられ基板が載置される誘電体板と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生されたマイクロ波を前記処理室内へ供給するマイクロ波供給部と、を備えるように基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】
塗布法により形成可能な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】
エポキシ基を有する樹脂とヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される前記エポキシ基と反応する官能基を有する少なくとも一種の化合物との反応生成物であるポリマー又はオリゴマー、及び溶剤を含む絶縁膜形成用組成物。前記絶縁膜形成用組成物を基材上に塗布し、ベークすることによって、絶縁膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】優れた透明性、導電性、及び強度を兼ね備える実用的な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】透明導電性部材1は、基材2、グラフェン層4、並びに前記基材1と前記グラフェン層4との間に介在するハードコート層5を備える。グラフェン層4はグラフェンシートから構成される。グラフェンシートは、例えば熱CVD法やプラズマCVD法などの蒸着法により形成される。この場合、例えばチャンバー内に気相状態の炭素源を供給し、この炭素源をチャンバー内で加熱したりプラズマ処理したりすることにより、炭素源が分解すると共に炭素原子が互いに結合して六角形の平面構造を形成し、これによりグラフェンシートが形成される。 (もっと読む)


【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液が表面に塗布されてなる薄膜Rを担持するシートフィルムFを処理チャンバ1内に収容し、処理チャンバ1内を排気する。加熱ヒータ541によってシートフィルムFを所定温度に加熱しつつ、処理チャンバ1内に酸素を含む硬化促進ガスを導入して薄膜Rの粘度を増大させる。その後、ガスの供給を停止するとともに処理チャンバ1内を再び排気することで硬化促進ガスを除去し、硬化の進行を抑制する。この状態で、シートフィルムF上の薄膜Rと基板Wとを密着させ加圧することで、薄膜Rを基板Wに転写する。 (もっと読む)


【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第1の膜を成膜する工程と、前記第1の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第2の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第2の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第1の膜の厚さは前記スペースの幅の1/2未満であり、前記第2の膜は、前記第1の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 (もっと読む)


【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して0.35重量%以上2.20重量%以下で、並びに、一般式(1)〜(3)で表される化合物の合計に対して、一般式(1):Si(ORで表されるテトラアルキシキシラン化合物を45mol%以上87mol%以下で、一般式(2):RSi(ORで表されるトリアルコキシシラン化合物を10mol%以上50mol%以下で、そして一般式(3):RSi(ORで表されるジアルコキシシラン化合物を1.5mol%以上3.6mol%以下で含有する。 (もっと読む)


【課題】簡便な手法で優れたパッシベーション特性を有する半導体基板用パッシベーション膜を形成可能な半導体基板用パッシベーション膜形成用材料を提供する。
【解決手段】半導体基板用パッシベーション膜形成用材料を、アニオン性基又はカチオン性基を有する高分子化合物と、分散媒と、金属アルコキシドとを含んで構成する。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】(A)分子内にビニルオキシ基を含有する低分子化合物及び/又は分子内にビニルオキシ基及び活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第1の官能基を含有する高分子化合物と、(B)分子内にN−マレオイルアミノ基を含含有する低分子化合物及び/又は分子内にN−マレオイルアミノ基及び活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第1の官能基を含有する高分子化合物とを、含有し、前記2種類の高分子化合物のうちの少なくとも一方の高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 (もっと読む)


【課題】 良好な絶縁特性を有する絶縁膜の形成に使用される高精細印刷インキ組成物および該印刷インキ組成物から形成された絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 少なくとも不揮発性成分と溶剤を含有する絶縁膜形成用印刷インキ組成物であって、反転オフセット印刷、剥離オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷のいずれかに用いられ、ポリシロキサンが不揮発性成分の75重量%以上であることを特徴とする絶縁膜形成用印刷インキ組成物。 (もっと読む)


【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、TFT,絶縁膜および有機EL素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 長期の室温(20〜25℃)保存安定性に優れ、さらに高感度で、精度よくパターン形成できるシリカ系感光性樹脂組成物、これを用いたパターン精度の高い硬化物が得られるシリカ系絶縁被膜の形成方法、電子部品を提供する。
【解決手段】 (a)成分:下記一般式(1)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、(b)成分:光酸発生剤又は光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも1種、(c)成分:(a)成分を溶解可能な有機溶媒、(d)成分:オニウム塩を必須成分として含有するシリカ系感光性樹脂組成物。
【化1】
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【課題】誘電率の増加、シラノールの増加、または有機部分の減少、の少なくとも一つによって損傷した、基体上のシリカ誘電フィルムの損傷を回復する。
【解決手段】基体上のそのような損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率のシラノールの減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の有機部分の増加、の1つ以上をもたらす。このとき、該損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える。 (もっと読む)


【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、チャネル部を有する有機半導体膜と、ゲート電極と、前記チャネル部と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記チャネル部を第1の温度に加熱する工程と、前記第1の温度の前記有機半導体膜に、前記第1の温度よりも低い第2の温度の絶縁性ポリマーを含む液滴材料を配置し一定の方向に延ばす塗工工程により前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


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