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Fターム[5F058AG07]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 有機絶縁膜形成後の処理 (1,322) | プラズマ処理(後処理) (74)

Fターム[5F058AG07]に分類される特許

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【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも1層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】誘電率の増加、シラノールの増加、または有機部分の減少、の少なくとも一つによって損傷した、基体上のシリカ誘電フィルムの損傷を回復する。
【解決手段】基体上のそのような損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率のシラノールの減少、該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の有機部分の増加、の1つ以上をもたらす。このとき、該損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える。 (もっと読む)


【課題】基板の加熱ムラを防止する。
【解決手段】基板1の加熱ムラを防止する基板処理装置10は、処理室内12に設けられ基板を保持する基板保持部21と、前記処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部26と、前記基板保持部と前記マイクロ波供給部との間に設けられ、複数の貫通孔20が、前記基板保持部に保持された前記基板の中心に対向した部位の孔密度が前記基板の端部に対向した部位の孔密度よりも高くなるように設けられている拡散板19と、を備える。 (もっと読む)


【課題】Siを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Siを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の窒素含有率を低減させる窒素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Siを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Siを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の酸素含有率を低減させる酸素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Si(ここで、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 (もっと読む)


【課題】樹脂部材がPECVDによってダメージを受けないよう、耐プラズマ性を向上させた部材を提供し、またそれを用いたガスバリア部材等を提供する。
【解決手段】一般式(1)の環状シロキサン化合物
【化1】


(式中、R〜Rは、炭素数1〜20の炭化水素基等、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、m+nは3以下の整数。xは1以上の整数、y及びzは0以上の整数、x+y+zは3以上の整数。)を重縮合または重付加してポリ環状シロキサンを製造し、それを封止材としたり、また樹脂部材に塗布して耐プラズマ性を付与し、PECVDによりガスバリア層を成膜したガスバリア性樹脂部材とする。 (もっと読む)


【課題】 空隙を組み込んだ構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 VLSI及びULSI用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低k材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。より具体的には、本明細書で説明する方法は、内部に種々異なる深さの空隙がフォトリソグラフィにより画定された光パターン化可能低k材料の内部に構築される相互接続構造体を提供する。本発明の方法においては、空隙を形成するのにエッチ・ステップは必要としない。光パターン化可能低k材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 (もっと読む)


【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、(A)ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、(B)ビニル基を含み−Si−O−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、(C)当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】良好な膜質のコーティング膜を与えることができるコーティング装置およびコーティング方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、
該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。このような構成により、前記プラズマを電子デバイス用基材上に照射しつつ、該基材上にコーティング層を形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Si(ここで、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、適当な均一な厚さを有する膜の形成可能で、かつ誘電率、ヤング率等の特性に優れた膜を製造することができる膜形成用組成物、およびその膜形成組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じ、残部に不飽和基を生成する官能基を有する化合物(X)を含有する組成物。 (もっと読む)


【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Sivwxyz(式中、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、zは0〜15原子%である)は、Si−CH3を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び2.7よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び/又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからCVD法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも1つのSi−H結合を含有するオルガノシラン及び/又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び/又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜を用いた層間絶縁膜SiOCH膜をCMPプロセスにおけるダメージから保護しつつ、配線間層間絶縁膜SiOCH膜の実効誘電率を低減する。
【解決手段】半導体装置100は、SiOCH膜10の表層が改質されることにより形成された、SiOCH膜10よりも炭素濃度が低くかつSiOCH膜10よりも酸素濃度が高い表面改質層20が設けられるとともに、Cu配線50の表面及び表面改質層20の表面に接するキャップ絶縁膜60を有している。このため、SiOCH膜10全体の誘電率の上昇を低減しつつ、CMPプロセスにおいて親水性の表面改質層20が露出することによって水滴が残りにくくなり、CMPプロセス後のパーティクルの残留やウォーターマークの発生を低減できる。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。 (もっと読む)


【課題】残渣の少ないCVD用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖/分岐/環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が200ppmより多く20000ppm以下の量である組成物。前記安定剤化合物が265℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物(例えば、4−メトキシフェノール)であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 (もっと読む)


【課題】F添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とF添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部44A内のF添加カーボン膜44の露出表面に、Taバリアメタル膜47の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Fと反応した場合に安定な化合物を形成するAlなどの金属元素よりなる金属膜49を堆積する。 (もっと読む)


【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高いケイ素含有膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】ケイ素含有膜の形成方法は、下記一般式(1)で表される有機シラン化合物と空孔形成剤とを用いて、化学気相成長法により堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜を硬化させる工程と、を含む。
【化1】


・・・・・(1)
(式中、R〜Rは、同一または異なり、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Rは炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜2の整数を示す。) (もっと読む)


【課題】加工耐性が高いケイ素含有絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される有機シラン化合物を含む第1の組成物を基板上に供給する工程と、他のシラン化合物を含む第2の組成物を前記基板上に供給する工程とを含む。
【化19】


・・・・・(1)
(式中、R〜Rは、同一または異なり、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示し、Rは炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基、フェニル基を示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜2の整数を示す。) (もっと読む)


【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高い膜を形成することができるケイ素含有膜形成用組成物、上記組成物を用いるケイ素含有膜の形成方法、および上記形成方法によって得られるケイ素含有膜を提供する。
【解決手段】ケイ素含有膜形成用組成物は、下記一般式(1)で表される有機シラン化合物と、空孔形成剤とを含む。
【化1】


・・・・・(1)
(式中、R〜Rは、同一または異なり、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Rは炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、nは1〜3の整数を示し、mは1〜2の整数を示す。) (もっと読む)


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