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Fターム[5F058AG08]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 有機絶縁膜形成後の処理 (1,322) | 無機物混入 (2)

Fターム[5F058AG08]に分類される特許

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【課題】 低誘電率膜の誘電率を回復させる方法を記載する。
【解決手段】 複数の孔を持つ多孔質誘電体層を基板上に形成する。その後、複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電体層を得る。最後に、複数の孔から添加剤を除去する。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の保護膜に蓄積する負の電荷によって、半導体基板内の電荷バランスが崩れ、半導体装置の耐圧が低下してしまう。本発明は、簡便な方法を利用して、前記課題を解決することを目的としている。
【解決手段】 半導体装置10は、回路素子が作り込まれている半導体基板35と、その半導体基板35上に形成されている絶縁性の保護膜46を備えている。保護膜46の表面47には、水酸基(OH)が結合している。これにより、保護膜46の表面47は、水滴との接触角が40°以下になっている。 (もっと読む)


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