【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Ｓに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ３３Ｈによって加熱された基板Ｓを収容する反応室３１Ｓに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたＺｒ（ＢＨ_４）_４を供給する。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を上記基板Ｓ上で熱酸化することによって、基板Ｓの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるＺｒＢＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を抑え、デバイスのリーク電流の発生、耐圧低下、しきい値電圧の継時変化、およびショートチャネル効果を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】単結晶ＡｌＮからなる基板を準備するステップと、前記単結晶ＡｌＮからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、単結晶ＡｌＮからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図２に示すように、半導体基板１上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜１０を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜１０上に、第１の金属元素を有する第１の金属膜あるいは金属酸化膜２０を成膜する第１の成膜工程と、高誘電体膜１０に第１の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜１０上に金属元素吸収膜５０を成膜する第２の成膜工程と、金属元素吸収膜５０に、第１の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜６０を選択的に除去する除去工程の６工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面のプラズマ酸化により、界面準位密度が低くリーク電流の少ない高品質な酸化膜をシリコン表面上に形成する。
【解決手段】
酸化膜の形成方法は、ＫｒとＯ_２の混合ガス中にプラズマを形成することにより原子状酸素Ｏ＊を発生させ、前記原子状酸素Ｏ＊によりシリコン表面をプラズマ酸化するプラズマ酸化工程を含み、前記プラズマ酸化工程は、８００〜１２００ｍＴｏｒｒの圧力範囲において実行される。 （もっと読む）

【課題】放置時間が長くても、化合物半導体積層構造の表面のダングリングボンドがフッ素で終端された状態が維持されるようにし、閾値電圧の変動を抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、化合物半導体積層構造６と、化合物半導体積層構造６の表面を覆うフッ素含有バリア膜９と、化合物半導体積層構造６の上方にフッ素含有バリア膜９を挟んで設けられたゲート電極８とを備える。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第１の元素を含む第１の処理ガスをＣＶＤ反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第１の元素を含む第１の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第２の元素を含む第２の処理ガスを供給することで、前記第２の処理ガスと前記第１の層を反応させ前記第１の元素および前記第２の元素を含む第２の層を形成する工程と、を１回ずつ含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１の元素および前記第２の元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜を形成する際に、界面準位を低減しつつ、ＥＯＴのさらなる低減が実現可能な金属酸化物高誘電体エピタキシャル膜の製造方法、および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】単結晶領域１０２を有する基板１０１上に、金属膜であって、該金属膜の酸化物の誘電率が酸化シリコン膜よりも高く、かつ金属膜の酸化物が単結晶領域１０２とエピタキシャル関係を有する金属膜１０３を、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない基板温度で形成する（図１（ｂ））。金属膜１０３が形成された基板１０１を、上記界面反応しない基板温度で、単結晶領域１０２と金属膜１０３とが界面反応しない酸素分圧の酸素ガス雰囲気に暴露する（図１（ｃ））。酸素ガス雰囲気に暴露された基板１０３を、上記酸素分圧の酸素ガス雰囲気に保持し、金属膜の酸化物である金属酸化物高誘電体膜が結晶化する基板温度で熱処理する（図１（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１と、基板１の上に形成されたIII族窒化物からなる半導体層２、３と、半導体層２、３の上に、それぞれ形成されたソース電極５、ゲート電極７及びドレイン電極６と、半導体層２、３の上に、ゲート電極７の下部及び半導体層２、３と接し、且つ、ソース電極５及びドレイン電極６と離間するように形成されたシリコンを含まない第１保護膜８と、半導体層２、３の上に、半導体層２、３と接し且つゲート電極７の下部と離間するように形成され、第１保護膜８と組成が異なり且つ窒素を含む第２保護膜９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた半導体特性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を、基材上に有し、ゲート絶縁膜が、酸化ケイ素を含む層であり、かつゲート絶縁膜の表面の飛行時間型二次イオン質量分析から得られるポジティブイオンスペクトルにおいて、アルゴンとケイ素のピーク強度比（Ａｒ／Ｓｉ）が２．３×１０^−５以上である。また、薄膜トランジスタを製造する本発明の方法は、１．００×１０^−３Ｔｏｒｒ以下の圧力のアルゴン雰囲気における酸化ケイ素のスパッタリングによって、前記ゲート絶縁膜を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の多層配線において配線間隔を低減させても所定の低比誘電率を維持できるとともに、電気的特性の劣化などを抑制できる多孔性の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成される配線構造を構成し、空孔を有する多孔性絶縁膜１３を得るための母体となる母体絶縁膜を気相成長法を用いて堆積する。この際、多孔性絶縁膜１３の比誘電率、配線２０間の間隔や絶縁耐圧のような、配線構造を決める因子に要求される設計値に応じて、多孔性絶縁膜１３の分子骨格形成材料の流量に対する多孔性絶縁膜１３の空孔形成材料の流量の比の、少なくとも範囲をまず決定する。この後、決定した流量比の範囲で母体絶縁膜を堆積し、この母体絶縁膜に熱や紫外線などのエネルギーを与えて空孔を有する多孔性絶縁膜１３にする。 （もっと読む）

【課題】１回のゲート絶縁膜形成工程で複数の厚みのゲート絶縁膜を同一の半導体基板上に形成することができるとともに、ゲート絶縁膜に酸化促進物質による欠陥が発生するのを抑制することができる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、上記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に上記酸化促進物質の注入量に応じた複数の厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで上記酸化膜中に存在する上記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化プラセオジムの誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法を提供し、以って半導体素子のリーク電流及び等価酸化物膜厚の過大の問題を解決すること。
【解決手段】本発明では、酸化プラセオジムを備えたトランジスタは、少なくとも一つのIII−Ｖ族基板と、一つのゲート誘電層と、一つのゲート電極とを含む。また、III−Ｖ族基板にゲート誘電層が設けられ、ゲート誘電層にゲート電極が設けられ、誘電層は酸化プラセオジム（Ｐｒ_xＯ_y）である。本発明は、誘電層材料として高誘電率及び高エネルギーギャップを備えた酸化プラセオジム（Ｐｒ₆Ｏ₁₁）を用いることにより、リーク電流を有効に抑制する外、更にIII−Ｖ族材料を基板とした素子の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）を薄くさせることもできる。 （もっと読む）