説明

Fターム[5F058BA06]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜形成の目的、効果 (3,596) | 膜厚の制御 (334)

Fターム[5F058BA06]に分類される特許

1 - 20 / 334




【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置1は、ターゲット8に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット12を備える。ターゲット8に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてPID制御部10に出力する放電用電源9と、マグネット12の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源11とを有する。PID制御部10は、放電用電源9から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット12の電磁石に対する通電量をPID制御するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子を提供する。
【解決手段】弾性膜50、密着層56、第1電極60、圧電体層70、及び第2電極80を備えた圧電素子300を具備し、圧電体層70は、少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、チタンとバリウムのモル比(Ti/Ba)が1.17以上1.45以下である。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばSbCl、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt)を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 (もっと読む)


【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH)及びアンモニア(NH)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。 (もっと読む)


【課題】電気−機械変換膜がインクジェット工法で安定して形成でき、熱処理においても密着性が低下しない電気−機械変換素子と液滴吐出ヘッド及びインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電気-機械変換素子は、基板301または下地膜上に形成された、一般式ABO3(但し、Aは、Sr、Ba、Ca、La、から選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。)で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成る密着層303と、その上に形成された金属から成る第1の電極304と、電極304上に形成された導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極305と、第2の電極305上に第1の電極304表面のみを疎水性領域とする改質処理を介してインクジェット工法により形成された電気-機械変換膜306と、その変換膜306上に形成された導電性酸化物から成る第3の電極307とを備える。 (もっと読む)


【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜5であり、ゲート電極は、第1の金属膜6又は第2の金属膜8を含む導電膜から構成されている。 (もっと読む)


【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器2内に、基板であるウエハWの載置領域を備えた載置台3と、この載置台3と対向する天板部材4とを設け、載置台3を昇降機構5により天板部材4側へ上昇させて、載置台3と天板部材4との間で処理空間Sを形成する。載置台3における載置領域の外側領域と天板部材4との少なくとも一方には突起部43が設けられ、前記処理空間Sの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材4との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の1mm未満の隙間40が形成される。隙間40が狭小であることから、処理空間S内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 (もっと読む)


【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するALD法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド16が、第1の空間S1内の第1の領域で第1のプロセスガスをステージ14に向けて供給する。ヘッド16は、第2の領域R2に退避可能である。ヘッド16は、第1の空間S1内の第1の領域の上方の上部領域Raと第1の領域の下方の下部領域Rbとを画成する。供給源18は、上部領域Raに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Raには、第2のプロセスガスが供給される。ヘッド16は、ステージ14を覆い、且つ、下部領域Rbに面する連通路Pの開口を覆う大きさを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する脱水化または脱水素化された酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の湾曲を抑えて特性の高い太陽電池を製造することが可能なテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ300μm以下の半導体基板の一方の表面である第1の表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、半導体基板の第1の表面とは反対側の第2の表面をエッチングすることによってテクスチャ構造を形成する工程と含み、窒化シリコン膜のシリコン原子に対する窒素原子の含有比率が1.3以上2以下であるテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体42であって、円筒形状に形成された側壁部43を有し、該側壁部43が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層44の上部に設けられる冷却ガス供給口74と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層45と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路47と、前記側壁内層の内側に設けられる空間75と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔78と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部79と、を有する断熱構造体。 (もっと読む)


【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、炭化珪素基板1の表面を洗浄する(ステップS1)。つぎに、原料ガスをECRプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板1に照射することで、炭化珪素基板1の表面にシリコン窒化膜2を成長させる(ステップS2)。つぎに、ECRプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜2の表面にシリコン酸化膜3を堆積する(ステップS3)。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜2およびシリコン酸化膜3が形成された炭化珪素基板1のアニール処理を行う(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物半導体膜と一部が接する第2の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構成とする。 (もっと読む)


【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマCVD装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール6と、プラズマ発生電極7とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁8を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列9を1列以上備えるプラズマCVD装置。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたトレンチ側面の酸化膜を薄膜化し、且つトレンチ上のパターン上部の角がエッチングされることを抑制する。
【解決手段】熱酸化膜60形成後にトレンチ61が形成されたウェハWをプラズマによって酸化処理するプラズマ処理方法であって、ウェハWはイオン引き込み用の高周波電圧が印加されるサセプタに載置され、プラズマによる酸化処理は、イオン引き込み用の高周波電圧をウェハWに印加しながら行われる。プラズマ酸化処理における処理ガスは、ヘリウムと酸素を含む混合ガスであり、プラズマ処理は、処理容器内において6.7〜133Paの圧力で行われる。 (もっと読む)


1 - 20 / 334