【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記１〜４の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
１．ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が４０％以下であること。
２．ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が２０μｓ〜２００μｓであること。
３．試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が５０％以下であること。
４．試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−２０Ｖ〜−２００Ｖであること。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

一態様における方法は、デバイスの製造を含む。このデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、このＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。他の態様におけるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、ＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】溶射プロセスにおいて液体前駆体をプラズマ・トーチのプラズマ・ガス流内に完全に浸透させること。
【解決手段】プラズマ溶射デバイス１は、加熱区域６内でプラズマ・ガス５を加熱するためのプラズマ・トーチ４を含み、このプラズマ・トーチ４は、プラズマ・ガス流８を生成するためのノズル本体７を含み、且つこのノズル本体７を通って中心長手方向軸線１０に沿って延びるアパーチャ９を有している。アパーチャ９は、プラズマ・ガス５用の入口１２を有する収束セクション１１と、アパーチャの最小断面領域を含むスロート・セクション１３と、プラズマ・ガス流８用の出口１５を有する発散セクション１４とを有し、導入管１６が、プラズマ・ガス流８内に液体前駆体１７を導入するために提供される。本発明によれば、浸透手段１８、１８２が、プラズマ・ガス流８内部に液体前駆体１７を浸透させるために提供される。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の陽極１１ａの載置面に基板１が載置される。陽極に対向する陰極１３には流路１３ａが形成され、冷却水が通される。陽極１１ａと陰極１３とに電圧を印加して、プラズマにより基板１上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極１１ａを冷却部材１２で冷却して基板１を所定の温度に急冷する。 （もっと読む）

【課題】
DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】
原料ガス導入口に、炭酸ガスレーザーを照射することで，原料ガス分子を原子状に解離させ，基板構成原子の原子間結合エネルギーに相当する5eV程度の並進エネルギーを有する原子ビームを発生させる。原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。シリコン基板上に炭素系薄膜の堆積を確認し、ラマン分光法による分析結果からDLC薄膜であるとことを確認した。 （もっと読む）

マクロ多孔性の支持構造基板上に、犠牲層を成長させる。その後、上記支持構造基板の背面を部分的に除去し、該支持構造基板の背面において、該犠牲層の一領域を露出させる。上記支持構造基板の背面の表面、および、上記犠牲層の露出した領域に薄層を成長させ、細孔内の上記犠牲層を、該薄層に関して選択的に除去し、該薄層によって細孔底面を形成する。
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【課題】膜原料となるダイヤモンド微粒子など微粒子液状組成物は粘度が低く、増粘材なしではスピン塗布機での膜形成が困難である。
【解決手段】ダイヤモンド微粒子や銀微粒子のコロイド状液状組成物を、微細且つ複数あるノズルから液滴状で塗出する方法により、低粘度でも均一膜厚に、しかも重ね塗りにより膜厚を制御して塗布することができた。乾燥させてから重ね塗りするとポーラス構造の密度を低くすることができる。ここではリーク電流、絶縁破壊電圧は十分実用に耐え、比誘電率２．８の低誘電率膜を製造することができた。 （もっと読む）

【課題】 水素ガスを使わずにどのような材料の基板上にもダイヤモンドを合成することが可能な低温合成方法であって、かつ安価で簡便に合成することができるダイヤモンドの低温合成方法を提供する。
【解決手段】 基板表面近傍に対向配置した金属ポルフィリン錯体５を加熱し蒸発させながら、高周波放電プラズマを発生させて基板４ａ，４ｂ表面上にダイヤモンドを合成する。 （もっと読む）

【課題】 広い面積にわたって均一に炭素含有固体膜を形成することのできる薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー内で炭化水素誘導体からなる原料流体と二酸化炭素からなるキャリア流体を混合して超臨界状態を形成し、白金、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄またはその合金から選ばれたすくなくとも１種の金属触媒での触媒反応により超臨界流体中の原料流体に活性種を発生させ、その流体を基板に吹き付けることにより、基板上に炭素含有固体膜を形成する。 （もっと読む）